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As_2O_3对K562 ATM/ATR基因表达和细胞凋亡的影响 被引量:1
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作者 叶敏军 任行洲 《浙江医学》 CAS 2008年第3期229-231,共3页
目的探讨不同浓度As2O3对K562细胞ATM(Ataxia Telangiectasia Mutated)/ATR(ATM-Rad3-Related)基因表达的影响及相应的细胞周期变化和细胞凋亡机制。方法以不同剂量的As2O3作用于K562细胞株,RT-PCR半定量检测ATM/ATR基因表达,流式细胞... 目的探讨不同浓度As2O3对K562细胞ATM(Ataxia Telangiectasia Mutated)/ATR(ATM-Rad3-Related)基因表达的影响及相应的细胞周期变化和细胞凋亡机制。方法以不同剂量的As2O3作用于K562细胞株,RT-PCR半定量检测ATM/ATR基因表达,流式细胞术检测P53、Annexin V和细胞周期。结果随药物浓度升高,ATM基因表达量增强而ATR基因表达量降低,P53水平升高,细胞凋亡显著,亚二倍体和G1期细胞数增多,S期和G2/M期细胞减少。不加入药物的K562细胞ATM和ATR几乎不表达。结论ATM和ATR基因表达变化呈As2O3浓度依赖的形式,且与P53水平、细胞周期和细胞凋亡率的改变相关。 展开更多
关键词 as2o3atm/atr基因 细胞周期变化 细胞凋亡
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