热处理对ATO/Ag/ATO/Cr薄膜电极结构和电性能的影响

利用磁控溅射和湿法刻蚀技术在玻璃基底上制备ATO/Ag/ATO/Cr复合薄膜及其电极,研究不同热处理温度对薄膜电极结构、表面形貌以及电学性能的影响。由于ATO (Sb掺杂SnO2)和Cr的共同保护作用,不仅有效阻挡氧气向电极表面扩散造成Ag的氧化,同时抑制Ag薄膜在高温下的表面凝聚现象,使得薄膜电极在550℃空气退火后,仍然具有较低的电阻率,为23 nΩ·m,且经过600℃的高温处理后依然具有较好的导电性能。因此,选择一定厚度的ATO作为Ag的保护层能显著提高Ag基薄膜电极在热处理过程中的抗氧化性。单项试验结果表明,此厚度30～60 nm为宜。

Cr/Cu/Ag/Cu/Cr新型银基复合薄膜电极的防氧化性能研究

采用直流磁控溅射技术和光刻工艺制备了Cr/Cu/Ag/Cu/Cr复合薄膜及其电极,研究不同温度热处理对复合薄膜和电极结构、表面形貌和电性能的影响。Ag层与最外层的Cr层之间的Cu层不仅增强了Cr和Ag之间的粘附力,而且起到了牺牲层和氧气阻挡层的作用;Cr和Cu对Ag的双重保护使得薄膜电极在温度小于500℃时电阻率保持较为稳定,约为3.0×10-84.2×10-8Ω·m之间。然而由于电极表面氧化和边沿氧化的共同作用,薄膜电极的电阻率在热处理温度超过575℃出现了显著的上升。尽管如此,Cr/Cu/Ag/Cu/Cr薄膜电极仍然是一种能够承受高温热处理并且保持较低电阻率的新型电极,满足场发射平板显示器封接过程中的热处理要求。