湿化学法制备ATO/TiO_2导电复合粉体包覆机制的研究

采用湿化学共沉淀法,通过在TiO2颗粒表面包覆Sb掺杂SnO2(ATO)制备ATO/TiO2导电粉.运用TG-DSC、XRD、XPS、SEM、BET和电导率等手段对ATO/TiO2导电粉进行了表征.研究结果表明:锡锑混合物xSn(Sb)O2.yH2O以非晶态的形态靠范德华力与静电引力吸附在TiO2表面,煅烧过程中,xSn(Sb)O2.yH2O脱去结晶水吸附或鍵合在TiO2表面.随着TiO2颗粒表面包覆层ATO厚度逐渐增加,ATO/TiO2粉体的电导率逐渐增加.

湿化学法制备ATO/TiO_2复合粉体电阻率及导电机理的研究

采用湿化学共沉淀法,在TiO2颗粒表面包覆ATO制备ATO/TiO2复合粉体。研究了复合粉体的形态结构、ATO含量对ATO/TiO2复合粉体电阻率的影响,并对导电机理进行了讨论。研究结果表明,ATO以非晶态的形态靠范德华力与静电引力吸附在TiO2表面,ATO含量决定TiO2颗粒表面能否形成完整的导电网络基本框架。渗滤阈值前(VC=0.0689),导电的ATO含量相对较少,ATO/TiO2复合材料电阻率大,导电连通网络尚未大范围形成,电阻率随ATO含量变化而变化的速度缓慢;达到渗滤阈值(VC=0.0689-0.1562)时,导电连通网络逐渐形成,ATO/TiO2复合材料电阻率随ATO含量变化而急剧变化;当体积分数超过0.1562时,ATO导电粒子含量很高,导电连通网络己经大范围形成,ATO/TiO2复合材料电阻率随ATO含量变化而变化的速度又趋缓慢。

煅烧温度对ATO/TiO_2粉体表面晶化及电导率的影响

用湿化学法在TiO2颗粒表面包覆ATO制得ATO/TiO2复合导电粉;运用TG-DSC、XRD、XPS、SEM、和电导率测试等手段对ATO/TiO2导电粉进行了表征.结果表明:煅烧温度对SnO2的晶化程度、Sb的价态、ATO/TiO2导电粉的导电性产生影响.电导率-温度(lnσ-T)关系呈抛物线(100～900℃):上坡段(150～400℃),温度增加,无定形SnO2逐渐晶化,电导率增加,导电性上升,溶入SnO2的Sb3+→Sb5+转变,载流子浓度加大,包膜层多孔结构逐渐致密化;底部平台(400～600℃),SnO2晶化结束,Sb3+→Sb5+转变趋于完成,电子散射趋于最低,电导率最大,导电性达到最佳;下坡段(600～900℃),Sb3+→Sb5+转变发生逆转,TiO2基体颗粒长大,锐态型向金红石型转变,破坏包膜结构,电导率上升,导电性恶化.

煅烧温度对Sn（Sb）O2包覆TiO2导电粉性能的影响

采用共沉淀法在亚微米级二氧化钛表面包覆Sn(Sb)O2，制得二氧化钛导电粉。用XRD、XPS、TG—DSC等测试手段对粉体进行了分析，讨论了不同煅烧温度对导电二氧化钛粉体的表面元素的变化、物相、体积电阻率的影响及原因。

常泰公司开发出年产100t纳米材料装置

江苏常泰化工集团公司研制开发出用均匀沉淀法制备纳米ZnO的工业化装置。该纳米ZnO生产技术为国内首创，达到国际先进水平，纳米ZnO被广泛用于塑料、建材、电子仪表及国防等工业。常泰公司已建成一套年产100t纳米材料的装置，开发出纳米级TiO2、新型无机抗菌剂、浅色导电粉、纳米远红外粉体、纳米防紫外线粉体等9种纳米产品。