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锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响
被引量:
2
1
作者
杨保平
钟小华
+3 位作者
张晓亮
崔锦峰
贾均红
易戈文
《无机盐工业》
CAS
北大核心
2012年第1期19-21,共3页
以四氯化锡和三氯化锑为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了不同锑掺杂量的纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)薄膜。分别利用XRD、FESEM、紫外可见分光光度计和四探针电阻仪对晶体结构、薄膜形貌、光透过率和薄膜方块电阻进行表征,考察锑掺杂量对AT...
以四氯化锡和三氯化锑为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了不同锑掺杂量的纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)薄膜。分别利用XRD、FESEM、紫外可见分光光度计和四探针电阻仪对晶体结构、薄膜形貌、光透过率和薄膜方块电阻进行表征,考察锑掺杂量对ATO薄膜晶体结构、晶粒尺寸、光透过率和导电性能的影响。结果表明:所制备的ATO薄膜为(110)面择优取向的四方相锡石结构,晶粒尺寸小于26 nm,当锑掺杂量为10%(物质的量分数)时,ATO薄膜具有最小的方块电阻(60.1Ω/□),可见光透过率大于85%。
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关键词
ato纳米薄膜
Sb掺杂量
sol—gel法
光透过率
方块电阻
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职称材料
题名
锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响
被引量:
2
1
作者
杨保平
钟小华
张晓亮
崔锦峰
贾均红
易戈文
机构
兰州理工大学石油化工学院
中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室
出处
《无机盐工业》
CAS
北大核心
2012年第1期19-21,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(50705094)
中国科学院"百人计划"资助项目(KGCX2-YW-804)
文摘
以四氯化锡和三氯化锑为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了不同锑掺杂量的纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)薄膜。分别利用XRD、FESEM、紫外可见分光光度计和四探针电阻仪对晶体结构、薄膜形貌、光透过率和薄膜方块电阻进行表征,考察锑掺杂量对ATO薄膜晶体结构、晶粒尺寸、光透过率和导电性能的影响。结果表明:所制备的ATO薄膜为(110)面择优取向的四方相锡石结构,晶粒尺寸小于26 nm,当锑掺杂量为10%(物质的量分数)时,ATO薄膜具有最小的方块电阻(60.1Ω/□),可见光透过率大于85%。
关键词
ato纳米薄膜
Sb掺杂量
sol—gel法
光透过率
方块电阻
Keywords
ato
films
Sb doping amounts
sol - gel method
transmission
sheet resistance
分类号
TQ135.31 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响
杨保平
钟小华
张晓亮
崔锦峰
贾均红
易戈文
《无机盐工业》
CAS
北大核心
2012
2
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职称材料
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