Sb掺杂对ATO薄膜光电性能的影响

以无水SnCl4和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶浸渍提拉镀膜法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)导电薄膜,并采用XRD、SEM、霍尔效应(Halleffect)、四探针法、UV-Vis等测试手段表征不同Sb掺杂量对ATO薄膜结构及其光电性能的影响。结果表明,Sb的掺杂提高了ATO薄膜的导电性能和光学性能;Sb掺杂量为8%时ATO薄膜的电阻率低达0.048Ω.cm,平均光透射率高达84%,薄膜的综合性能达到最佳。

sol-gel法制备ATO薄膜的结构与光学性能研究

采用sol-gel法在玻璃衬底上制备ATO(SnO2∶Sb)薄膜,并用XRD、SEM、紫外-可见光谱和光致发光对薄膜进行了表征,研究了ATO薄膜的结构和光学性能。结果表明:ATO薄膜微晶晶相与SnO2一致,仍然是四方金红石结构;ATO薄膜在可见光区的透过率超过80%,当r(Sb∶Sn)为0.15时,ATO薄膜的透过率最高达87%;ATO薄膜在344～380nm处有一个很强的紫外-紫光发射带,随着Sb掺杂量的增加,发射峰逐渐变强,在r(Sb∶Sn)为0.25时,发射峰相对强度达302.4。

锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响

以四氯化锡和三氯化锑为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了不同锑掺杂量的纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)薄膜。分别利用XRD、FESEM、紫外可见分光光度计和四探针电阻仪对晶体结构、薄膜形貌、光透过率和薄膜方块电阻进行表征,考察锑掺杂量对ATO薄膜晶体结构、晶粒尺寸、光透过率和导电性能的影响。结果表明:所制备的ATO薄膜为(110)面择优取向的四方相锡石结构,晶粒尺寸小于26 nm,当锑掺杂量为10%(物质的量分数)时,ATO薄膜具有最小的方块电阻(60.1Ω/□),可见光透过率大于85%。

增强可见光透过的铈掺杂ATO透明薄膜研究

采用溶胶-凝胶法与浸渍提拉技术在普通玻璃片上制备出纳米铈掺杂的ATO(Ce/ATO)透明薄膜,并对薄膜的结构与性能进行了表征.结果表明:Ce/ATO薄膜仍保持四方金红石晶相结构,且铈成功地掺杂到ATO中;薄膜表面光滑平整、结构致密,膜层晶粒分布均匀,晶粒尺寸分布为8～12 nm;与ATO薄膜相比,Ce/ATO薄膜在可见光区的透过率有明显增强,当Ce掺杂量为摩尔分数1%时,薄膜在440～680 nm的透过率超过了空白玻璃;当Ce掺杂量为摩尔分数3%时,薄膜在440～600 nm的平均透过率达到92%以上.

ATO透明导电薄膜的研究进展

概述了国内外掺锑氧化锡(ATO)透明导电薄膜制备技术的研究现状,包括溶胶凝胶法、射频磁控溅射法、喷雾热解法、化学气相沉积法等,对比分析了各种制备方法的优缺点和及其所制备薄膜的性能;介绍了薄膜厚度、锑掺杂浓度、退火工艺参数等对薄膜光学性能的影响,提出了开发具有良好光学性能ATO薄膜需要解决的问题。最后对ATO薄膜今后的发展方向进行了展望。

热处理对ATO/Ag/ATO/Cr薄膜电极结构和电性能的影响

利用磁控溅射和湿法刻蚀技术在玻璃基底上制备ATO/Ag/ATO/Cr复合薄膜及其电极,研究不同热处理温度对薄膜电极结构、表面形貌以及电学性能的影响。由于ATO (Sb掺杂SnO2)和Cr的共同保护作用,不仅有效阻挡氧气向电极表面扩散造成Ag的氧化,同时抑制Ag薄膜在高温下的表面凝聚现象,使得薄膜电极在550℃空气退火后,仍然具有较低的电阻率,为23 nΩ·m,且经过600℃的高温处理后依然具有较好的导电性能。因此,选择一定厚度的ATO作为Ag的保护层能显著提高Ag基薄膜电极在热处理过程中的抗氧化性。单项试验结果表明,此厚度30～60 nm为宜。

三防纳米级ATO透明导电薄膜材料的研究和应用

介绍了ATO透明导电薄膜材料的特点及三防机理,并综述了三防ATO透明导电薄膜的研制现状和应用情况。

透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算

分析了几种氧化物半导体透明导电薄膜材料的掺杂改性的实验结果 ,建立了薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,并给出了一个能够拟合实验曲线的抛物线方程 .该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而导出了一个最佳掺杂含量表达式 .应用此表达式定量计算了铝掺杂氧化锌薄膜、锡掺杂氧化铟薄膜、锑掺杂二氧化锡薄膜等氧化物半导体透明导电薄膜材料最佳掺杂剂在不同制备方法下的最佳掺杂量 .

溶胶-凝胶法在玻璃纤维表面制备锑掺杂二氧化锡薄膜的工艺

在热处理条件和掺锑的质量比例不同的情况下,对玻璃纤维的表面进行锑掺杂二氧化锡(ATO)镀膜处理,进而测得纤维比电阻值。采用田口实验法对实验数据进行优化分析,并探讨了初始SnCl4浓度、热处理温度、处理时间、掺杂比例对实验结果的影响程度。使用扫描式电子显微镜(SEM)对比观察了玻璃纤维表面结构在处理前后的差异。实验表明:ATO镀膜处理后的玻璃纤维,导电性能明显增强;最优工艺条件是热处理温度450℃,掺杂比例0.9%,热处理时间1.5 h,初始SnCl4浓度0.8 mol/L,且因子影响程度依次递减。

Co/ATO复合薄膜的结构与电磁光特性

以低成本的无机盐SnCl2·2H2O、SbCl2和Co（NO3）2·9H2O为原料，采用溶胶-凝胶法与浸渍提拉技术成功地制备出Co掺杂的ATO（Sb掺杂SnO2）复合薄膜。利用XRD、SEM、四探针电阻仪、紫外-可见光分光光度计及振动样品磁强计（VSM）等测试方法对Co／ATO复合薄膜的结构与物性进行了表征与评价。结果表明：少量的Co掺杂ATO复合薄膜仍保持四方金红石结构，复合薄膜中的晶粒分布均匀，其晶粒尺寸分布为4-7nm；随着Co含量的增加，Co／ATO复合薄膜的电阻率呈现出先降低后提高，且当Co含量为0．5mol%时，Co／ATO复合薄膜的电阻率最低为5．6×10^-3Ω·cm；在400-700nm可见光范围内，平均透过率达到90％以上，其光学带隙在3．9-4．0eV之间，且随着Co含量的增加，可见光透过率和光学带隙呈下降趋势；Co含量为3．0mol％的ATO复合薄膜具有室温铁磁性，其矫顽力约为100 Oe，磁性根源主要归结为磁性原子与基体载流子相互作用的结果。

遮阳可控性低辐射玻璃的制备及性能

本研究通过常压CVD法在玻璃基板上分别镀制单层SnO2∶Sb(ATO)薄膜和SnO_2∶F(FTO)/ATO复合薄膜,研究单层ATO薄膜和复合薄膜对玻璃光电性能的影响。结果表明:单层ATO薄膜和复合薄膜均为四方金红石型多晶SnO_2薄膜,且结晶性能良好,结晶度高。单层ATO薄膜可明显降低玻璃的透过率,改善玻璃的导电性和遮阳性。复合薄膜相对于单层ATO薄膜,导电性、遮阳性和辐射性能均有较大的提升,薄膜电阻率、遮阳系数和辐射率随着复合薄膜膜厚的增加而逐渐降低,薄膜晶粒增大。当复合薄膜厚度为821nm时,薄膜电阻率为4.9×10^(-4)Ω·cm,遮阳系数和辐射率分别为0.50和0.06,远红外反射率达到93.9%。