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图形反转工艺用于金属层剥离的研究 被引量:6
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作者 陈德鹅 吴志明 +3 位作者 李伟 王军 袁凯 蒋亚东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期535-538,共4页
研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4000r/min,... 研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4000r/min,前烘温度100℃,时间60s,曝光时间0.3s,反转烘温度110℃,时间90s,泛曝光时间2s,显影时间50s。用金相显微镜测试了在优化工艺参数条件下制作的光刻胶图形的分辨率,同时对图形反转机理进行了讨论。 展开更多
关键词 光刻 az-5214 剥离工艺 图形反转 断面模拟
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