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题名图形反转工艺用于金属层剥离的研究
被引量:6
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作者
陈德鹅
吴志明
李伟
王军
袁凯
蒋亚东
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机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期535-538,共4页
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基金
教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-04-0896)
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文摘
研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4000r/min,前烘温度100℃,时间60s,曝光时间0.3s,反转烘温度110℃,时间90s,泛曝光时间2s,显影时间50s。用金相显微镜测试了在优化工艺参数条件下制作的光刻胶图形的分辨率,同时对图形反转机理进行了讨论。
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关键词
光刻
az-5214
剥离工艺
图形反转
断面模拟
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Keywords
optical lithography
az-5214
lift-off technology
image reverse
section analog
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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