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AZ9260光刻胶制作连续非球面微透镜阵列的研究
被引量:
1
1
作者
张晓玉
姚汉民
+2 位作者
杜春雷
潘丽
邱传凯
《微细加工技术》
2003年第4期22-26,共5页
为解决研制深浮雕连续非球面微光学元件所面临的浮雕深度和面型控制这两大难点,选取吸收系数小的AZ9260正性光刻胶进行实验研究。提出了采用低温长时间前烘和连续升温后烘技术实现深浮雕结构和非球面面型的控制,并得到口径为300μm、抗...
为解决研制深浮雕连续非球面微光学元件所面临的浮雕深度和面型控制这两大难点,选取吸收系数小的AZ9260正性光刻胶进行实验研究。提出了采用低温长时间前烘和连续升温后烘技术实现深浮雕结构和非球面面型的控制,并得到口径为300μm、抗蚀剂厚度为35.49μm、石英刻蚀深度为72.36μm双曲线柱面透镜的最佳光刻工艺参数。实验曲线与标准双曲线拟合所得最大误差为2.3637μm,均方根差为0.9779μm。
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关键词
az9260光刻胶
连续非球面微透镜阵列
光刻
深浮雕
面型控制
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职称材料
题名
AZ9260光刻胶制作连续非球面微透镜阵列的研究
被引量:
1
1
作者
张晓玉
姚汉民
杜春雷
潘丽
邱传凯
机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
出处
《微细加工技术》
2003年第4期22-26,共5页
基金
中科院知识创新方向性基金资助项目(KGCX2-402)
文摘
为解决研制深浮雕连续非球面微光学元件所面临的浮雕深度和面型控制这两大难点,选取吸收系数小的AZ9260正性光刻胶进行实验研究。提出了采用低温长时间前烘和连续升温后烘技术实现深浮雕结构和非球面面型的控制,并得到口径为300μm、抗蚀剂厚度为35.49μm、石英刻蚀深度为72.36μm双曲线柱面透镜的最佳光刻工艺参数。实验曲线与标准双曲线拟合所得最大误差为2.3637μm,均方根差为0.9779μm。
关键词
az9260光刻胶
连续非球面微透镜阵列
光刻
深浮雕
面型控制
Keywords
az
9260
photoresist
successive non-sphere micro-lens array
deep relief
profile control
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AZ9260光刻胶制作连续非球面微透镜阵列的研究
张晓玉
姚汉民
杜春雷
潘丽
邱传凯
《微细加工技术》
2003
1
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