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溅射功率对AZO透明导电薄膜的影响
被引量:
5
1
作者
史永胜
陈阳阳
+2 位作者
宁青菊
秦双亮
宁磊
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期42-44,共3页
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了AZO透明导电薄膜,并用原子力显微镜观测了薄膜表面形貌,XRD测试了薄膜相结构和单色仪测试了薄膜透射率。结果表明,制备的薄膜具有高度c轴择优取向性,其表面平整,晶粒均匀致密。当溅射功率为180W、...
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了AZO透明导电薄膜,并用原子力显微镜观测了薄膜表面形貌,XRD测试了薄膜相结构和单色仪测试了薄膜透射率。结果表明,制备的薄膜具有高度c轴择优取向性,其表面平整,晶粒均匀致密。当溅射功率为180W、溅射气体流量为15sccm、基片温度为200℃时制得的薄膜方阻为10Ω/□,在可见光区平均透射率大于85%。
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关键词
azo
射频磁控溅射
溅射功率
方阻
透射率
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职称材料
H_2/(Ar+H_2)流量比对AZO薄膜结构及光电性能的影响
2
作者
朱胜君
王俊
+3 位作者
李念
李涛涛
吴隽
祝柏林
《武汉科技大学学报》
CAS
2012年第1期56-60,共5页
在Ar+H2气氛下,用RF磁控溅射法在室温下制备Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,研究H2/(Ar+H2)流量比对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,在沉积气氛中引入H2可以提高AZO薄膜的结晶质量,降低AZO薄膜的电阻率,提高其霍尔迁移率和载流子浓度;H2/(Ar...
在Ar+H2气氛下,用RF磁控溅射法在室温下制备Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,研究H2/(Ar+H2)流量比对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,在沉积气氛中引入H2可以提高AZO薄膜的结晶质量,降低AZO薄膜的电阻率,提高其霍尔迁移率和载流子浓度;H2/(Ar+H2)流量比为5%时,AZO薄膜的最小电阻率为1.58×10-3Ω.cm,最大霍尔迁移率和载流子浓度分别为13.17cm2.(V.s)-1和3.01×1020 cm-3;AZO薄膜在可见光范围内平均透光率大于85.7%。
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关键词
H2/(Ar+H2)流量比
azo
薄膜
射频磁控溅射法
结晶质量
电阻率
透光率
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职称材料
衬底温度和溅射功率对AZO薄膜性能的影响
被引量:
4
3
作者
于军
王航
+1 位作者
王晓晶
李钢贤
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期93-96,101,共5页
采用RF磁控溅射法在载玻片上制备了可用于电极材料的掺Al氧化锌(AZO)透明导电薄膜,并对不同衬底温度和溅射功率下制备的AZO薄膜结构、光电性能进行了表征分析.结果表明:各种工艺条件下沉积的AZO薄膜均具有明显的(002)择优取向,没有改变...
采用RF磁控溅射法在载玻片上制备了可用于电极材料的掺Al氧化锌(AZO)透明导电薄膜,并对不同衬底温度和溅射功率下制备的AZO薄膜结构、光电性能进行了表征分析.结果表明:各种工艺条件下沉积的AZO薄膜均具有明显的(002)择优取向,没有改变ZnO六方纤锌矿结构;薄膜电阻率随衬底温度升高而减小,随溅射功率增加先减小后增大,衬底温度400℃、溅射功率200W时最小,为1.53×10-5Ω.m;可见光平均透射率均在80%以上,光学带隙与载流子浓度变化趋势一致,最大值为3.52eV.
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关键词
azo
薄膜
磁控溅射
衬底温度
溅射功率
电阻率
可见光透射率
原文传递
题名
溅射功率对AZO透明导电薄膜的影响
被引量:
5
1
作者
史永胜
陈阳阳
宁青菊
秦双亮
宁磊
机构
陕西科技大学电气与信息工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期42-44,共3页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2001AA3130090)
陕西省教育厅专项(07JK188)
文摘
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了AZO透明导电薄膜,并用原子力显微镜观测了薄膜表面形貌,XRD测试了薄膜相结构和单色仪测试了薄膜透射率。结果表明,制备的薄膜具有高度c轴择优取向性,其表面平整,晶粒均匀致密。当溅射功率为180W、溅射气体流量为15sccm、基片温度为200℃时制得的薄膜方阻为10Ω/□,在可见光区平均透射率大于85%。
关键词
azo
射频磁控溅射
溅射功率
方阻
透射率
Keywords
azo
,
rf magnetron sputtering
,
sputtering power
,
square resistance
,
transmittance
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
H_2/(Ar+H_2)流量比对AZO薄膜结构及光电性能的影响
2
作者
朱胜君
王俊
李念
李涛涛
吴隽
祝柏林
机构
武汉科技大学钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室
出处
《武汉科技大学学报》
CAS
2012年第1期56-60,共5页
文摘
在Ar+H2气氛下,用RF磁控溅射法在室温下制备Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,研究H2/(Ar+H2)流量比对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,在沉积气氛中引入H2可以提高AZO薄膜的结晶质量,降低AZO薄膜的电阻率,提高其霍尔迁移率和载流子浓度;H2/(Ar+H2)流量比为5%时,AZO薄膜的最小电阻率为1.58×10-3Ω.cm,最大霍尔迁移率和载流子浓度分别为13.17cm2.(V.s)-1和3.01×1020 cm-3;AZO薄膜在可见光范围内平均透光率大于85.7%。
关键词
H2/(Ar+H2)流量比
azo
薄膜
射频磁控溅射法
结晶质量
电阻率
透光率
Keywords
H2/(Ar+ H2) flux ratio
azo
thin films
rf magnetron sputtering
crystallite quality
resistivity
transmittance
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
衬底温度和溅射功率对AZO薄膜性能的影响
被引量:
4
3
作者
于军
王航
王晓晶
李钢贤
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期93-96,101,共5页
基金
湖北省自然科学基金重点资助项目(2008CDA025)
文摘
采用RF磁控溅射法在载玻片上制备了可用于电极材料的掺Al氧化锌(AZO)透明导电薄膜,并对不同衬底温度和溅射功率下制备的AZO薄膜结构、光电性能进行了表征分析.结果表明:各种工艺条件下沉积的AZO薄膜均具有明显的(002)择优取向,没有改变ZnO六方纤锌矿结构;薄膜电阻率随衬底温度升高而减小,随溅射功率增加先减小后增大,衬底温度400℃、溅射功率200W时最小,为1.53×10-5Ω.m;可见光平均透射率均在80%以上,光学带隙与载流子浓度变化趋势一致,最大值为3.52eV.
关键词
azo
薄膜
磁控溅射
衬底温度
溅射功率
电阻率
可见光透射率
Keywords
azo
film
magnetron
sputtering
substrate temperature
sputtering power
resistivity
visible
transmittance
分类号
TK51 [动力工程及工程热物理—热能工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溅射功率对AZO透明导电薄膜的影响
史永胜
陈阳阳
宁青菊
秦双亮
宁磊
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
5
下载PDF
职称材料
2
H_2/(Ar+H_2)流量比对AZO薄膜结构及光电性能的影响
朱胜君
王俊
李念
李涛涛
吴隽
祝柏林
《武汉科技大学学报》
CAS
2012
0
下载PDF
职称材料
3
衬底温度和溅射功率对AZO薄膜性能的影响
于军
王航
王晓晶
李钢贤
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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