Ag/SnO_2电触头材料退火工艺研究

研究了Ag/SnO2 电触头材料的退火工艺。根据退火温度和时间对Ag/SnO2 电触头材料的抗拉强度、硬度和伸长率的影响 ,确定了最佳退火温度和时间为 6 5 0℃× 2h。在该工艺条件下退火 ,SnO2 颗粒在Ag基体中的分布更加均匀弥散 ,导电性能提高。如果退火不当 ,在拉拔过程中Ag/SnO2 线材会发生异常断裂 ,出现锥形断口。断口的微观形貌分析显示 ,异常断裂是由于SnO2

Sb掺杂Ag/SnO_2电触头材料的制备及性能

利用高能球磨法和粉末冶金工艺制备Sb掺杂Ag/SnO_2电触头材料,测试电触头材料的密度、硬度和导电率等物理性能,并通过扫描电镜对电触头材料的微观形貌进行观察和分析.结果表明,与无掺杂的Ag/SnO_2相比,当Sb掺杂量为7%时,氧化物颗粒聚集,形成片状黑色的SnO_2聚集区,测得导电率为55.8%IACS,硬度为122.5HV,电性能及加工特性最佳,达到实验要求.随着Sb含量增大,氧化物团聚程度有所减缓,制得的触头材料导电率及硬度相应降低.

Ag/SnO_2电接触材料的研究进展

综述了Ag/SnO2电接触材料的研究进展,分别从材料的特性、添加剂的影响、制备方法及加工工艺等几个方面进行总结,阐述了Ag/SnO2电接触材料的发展现状,并介绍了纳米技术在该领域的应用状况,探讨了制备技术的改进对Ag/SnO2电接触材料性能的影响。

大塑性变形改善反应合成制备Ag／SnO2材料性能研究

使用反应合成法制备了Ag/SnO2材料,考察了Ag/SnO2材料在大塑性变形过程中的组织均匀化及性能变化情况。经SEM分析表明,随挤压真应变的增加,类纤维状组织逐渐消失,SnO2颗粒分布由团聚逐渐均匀分布;经电导率、抗拉强度、延伸率测试分析表明和再结晶晶粒尺寸,材料经过大塑性变形后性能得到了极大的改善;对经过不同真应变挤压后的触点测试,发现触点的质量损耗减小。

Ag/SnO_2-La_2O_3-Bi_2O_3触头材料的研究

采用粉末冶金方法制备了新型银-稀土氧化物触头材料Ag/SnO2-La2O3-Bi2O3。利用扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDS),对Ag/SnO2-La2O3-Bi2O3触头材料的显微组织进行了分析,并对其进行了通断能力、温升及侵蚀量的实验。新型材料Ag/SnO2-La2O3-Bi2O3通过了通断能力实验,与Ag/CdO相比平均温升相近,但侵蚀量仅约为Ag/CdO的2/3。由实验结果可知,此材料具有较好的物理、机械、电气性能及较低的成本,具有很好的应用前景和经济效益,有望成为一种可替代Ag/CdO的无毒新型触头材料。

制备工艺对Ag/SnO_2材料力学性能的影响

采用粉末冶金和反应合成两种工艺制备了Ag/SnO2电接触材料,分析了两种工艺对显微组织的影响,发现反应合成法制备的Ag/SnO2材料经热挤压后,SnO2颗粒呈纤维状排列,颗粒细小,分散均匀,与基体浸润良好。断裂拉伸测试和分析表明,粉末冶金法制备的Ag/SnO2材料的拉伸断口形貌由许多互相连接的撕裂棱和韧窝组成,表现为韧断;而反应合成法制备的断口形貌韧窝更加细小,显示出近脆性断裂特征。最后比较了两种方法制备的Ag/SnO2材料的抗拉强度、延伸率、硬度等力学性能。

反应合成Ag/SnO_2复合材料挤压过程有限元模拟

通过热力模拟压缩试验研究Ag/SnO2复合材料在不同变形条件下的流变应力行为,并根据试验数据确定再结晶动力学方程及再结晶晶粒尺寸方程中的材料参数,经过有限元模拟得出反应合成法制备的Ag/SnO2复合材料在挤压过程中的晶粒尺寸演变情况及最终晶粒尺寸。与实际挤压后试样的电镜照片进行对比,模拟结果与实验吻合,揭示了挤压过程晶粒尺寸变化的机制和变化特征。

纳米掺杂Ag/SnO_2触头材料的制备及电弧侵蚀性能研究

以CuO和La2O3为掺杂剂,采用高能球磨法制备掺杂纳米SnO2粉体,再采用热挤压工艺制成银含量88%的纳米掺杂Ag/SnO2触头材料,利用扫描电子显微镜、电导率测试仪、显微硬度计对该触头材料进行了微观组织表征及性能测试,随后,利用该触头材料在10A交流电流条件下进行电弧侵蚀性能测试.结果表明,触头材料中氧化物在银基体上分布均匀;Ag/SnO2触头材料的密度、硬度和电导率分别为9.704 1g/cm3,104.2和75;电弧烧蚀速率为103.65μg/C,并研究了熔层表面的微观组织结构.

制备工艺对Ag/SnO_2电接触材料抗熔焊性能影响

为了研究制备工艺对Ag/SnO_2电接触材料抗熔焊性能的影响,采用粉末冶金工艺制成银含量92%的掺杂Ag/SnO_2电接触材料,将制得电接触材料与商用内氧化工艺制备银含量92%的Ag/SnO_2电接触材料配对,在63A交流电流条件下进行抗熔焊性能测试.同时,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)等对电接触材料性能和熔焊前、后微观组织进行了表征.结果表明:粉末冶金工艺制得的电接触材料中氧化物颗粒更细小,在银基体上分布更均匀;熔焊测试后氧化物在银基体中分布均匀,同时没有出现单一氧化物偏聚.而内氧化工艺制得的电接触材料中银基体沿(111)晶面出现择优生长;熔焊测试后氧化物和银基体分离,锡元素和铟元素分别形成偏聚.

反应合成Ag/SnO_2复合材料本构关系研究

通过热力模拟压缩试验。研究了Ag/SnO2复合材料在不同变形条件下的流变应力行为,并根据试验数据确定了本构方程中的材料参数。从代数变换的角度得出了双曲正弦方程的2种近似形式,指数型本构方程与幂型本构方程,并确定了其适用范围,指数型方程适用于高应力区,幂型方程适用于低应力区,双曲正弦方程适用于所有应力水平,这与实验结果及文献报道相一致。

大塑性变形对粉末冶金法制备Ag/SnO2材料性能的影响

用粉末冶金法制备Ag/SnO2材料,考察了Ag/SnO2材料在大塑性变形过程中的组织均匀化及性能变化情况。经SEM分析表明,Ag/SnO2复合材料经过大塑性变形后,聚集区的SnO2颗粒逐渐分散并均匀分布。经过性能测试和XRD分析,Ag/SnO2复合材料经过大塑性变形后,材料的抗拉强度升高,塑性改善,亚晶粒尺寸减小,使材料更容易加工;电导率随真应变呈先上升后下降的趋势。

一种新型Ag-SnO_2触头材料的制备及对性能的影响

采用化学共沉淀法和粉末热锻相结合的工艺,研制出新型的Ag-SnO2触头材料,并对其组织结构进行了观察分析,同时还测试了材料的密度、硬度、电阻率等物理性能。

大塑性变形对Ag/SnO_2材料显微组织与性能的影响

对两种制备工艺制备的SnO2质量分数为5%的Ag/SnO2复合材料进行了不同应变程度的挤压,研究了组织形貌,发现对于反应合成制备的Ag/SnO2材料经过较大真实应变挤压后纤维状组织消失,SnO2颗粒更加弥散。比较了两种方法制备的Ag/SnO2材料的电导率、抗拉强度及延伸率,及质量分数对其的性能的影响。发现经过较大的真实应变挤压,3种性能都得到了很好改善。

新型Ag/SnO_2触头材料的发展现状

本文综述了银 /二氧化锡电触头材料的特性 ,对比分析了各种制备工艺的优缺点 ,介绍了国内外研究者对其电弧特性的研究进展状况。最后 ,展望了银

Ag/SnO_2(G)触点材料在开关上的应用及失效分析

介绍了应用新型触点材料Ag／SnO2（G）的KDC－A04推推式电源开关的电寿命试验情况。试验结果表明，应用Ag／SnO2（G）10触点材料装配的KDC－A04开关的TV－8电寿命试验达到30050次，超过美国UL有关试验标准。对服役后的触点进行了失效分析，指出ho。改性和改善Ag与SnO2之间的浸润以提高银熔池溶液的粘度可提高Ag／SnO2触点材料的综合性能。

直流电弧对制备工艺和添加剂不同的Ag/SnO_2触头材料的侵蚀研究

利用研制的小容量ASTM触头模拟动作与电性能测试系统,在直流14V、10A、灯负载条件下,对采用雾化法、混粉法和化学法3种制备工艺,添加WO3、Bi2O3、CuO与In2O3微量添加剂的8种Ag/SnO2触头材料,分别进行了45,000次连续通断试验.期间测量了8种Ag/SnO2触头材料的质量、燃弧能量、熔焊力、燃弧时间、触头温度和接触电阻,用SEM和EDAX测量与分析了8种Ag/SnO2触头材料的表面形貌与微区组份,对比分析了直流电弧对继电器环境下采用不同制备工艺和微量添加剂的Ag/SnO2触头材料的侵蚀性能.

Ag/SnO_2触头材料的发展与应用

一、前言Ag/CdO触头材料具有优良的灭弧性能和其他方面的特性而获得了广泛的应用。但是,由于镉有毒性、为人们所畏惧、因而又提出了研究替代Ag/CdO材料的任务。经过了多年的广泛探索,Ag/SnO^2显示出了它优异的性能,甚至在某些方面超过了Ag/CdO今天,在一些国家,特别是在欧州。

低银(Cu,La)复合掺杂Ag/SnO_2材料的制备及抗熔焊性能分析

以CuO和La_2O_3为掺杂剂,采用高能球磨和热挤压工艺制备银含量82%的Ag/SnO_2电接触材料,将其与相同工艺制得的银含量88%的复合掺杂Ag/SnO_2电接触材料配对,在2 500A交流电流条件下进行抗熔焊性能测试.同时,利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪等对材料性能和熔焊前、后微观组织形貌进行了表征.结果表明,制备的电接触材料中氧化物在银基体中分布较均匀;银含量82%的电接触材料的抗熔焊性能优于银含量88%的电接触材料,且熔焊测试后氧化物在银基体中分布均匀,没有出现团聚,而表面的SnO_2转化为SnO.

成型工艺对Ag/SnO2电接触材料物理及力学性能的影响

以化学共沉淀法合成的SnO2粉体为原料,采用机械合金化技术制备Ag/SnO2复合粉体,并采用不同工艺组合制成Ag/SnO2电接触材料,对工艺条件进行了优化,分析并对比了材料的物理及力学性能。结果表明:所制备的Ag/SnO2复合粉体由Ag、SnO2两相组成,不含其它杂相;相比单道次冷压、单道次热压以及冷压-冷压组合3种工艺,采用冷压-热压组合工艺制备的Ag/SnO2电接触材料在硬度、电导率以及相对密度方面具有明显优势,电阻率达到最低值2.43μΩ·cm,相对密度最高(97.78%),韧性最佳。

纳米掺杂Ag/Cu/SnO_2触头材料的制备及性能分析

为了降低银基触头材料中银的用量,改善SnO_2在Ag/Cu基体中的润湿性,以CuO为掺杂剂,采用高能球磨法和压力烧结成型工艺制备出银含量为70%的纳米掺杂Ag/Cu/SnO_2触头材料,测试纳米掺杂触头材料的电导率、硬度、密度、耐电压强度等性能,运用X射线衍射仪对Ag/Cu/SnO_2触头材料进行物相分析,利用扫描电镜(SEM)观察分析触头材料耐电弧侵蚀性能测试前后的表面形貌特征.结果表明,制得的纳米掺杂Ag/Cu/SnO_2触头材料组织分布均匀,具备优异的物理性能、耐电压强度和耐电弧侵蚀能力,能够有效降低银基触头材料中银的用量.