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Ag∶InP/ZnSe纳米晶的合成与生物成像 被引量:1
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作者 亢艳艳 戚卉 +4 位作者 周淼 张颖 庄家琪 杨军星 王博蔚 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1512-1517,共6页
采用高温热注入法,以P[N(CH_3)_2]_3为磷源合成了具有近红外荧光的Ag∶InP/ZnSe纳米晶.采用紫外-可见-近红外吸收光谱(UV-Vis-NIR)、荧光光谱、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等对产物的结构和光学性质进行了表征,并分析了Ag掺杂... 采用高温热注入法,以P[N(CH_3)_2]_3为磷源合成了具有近红外荧光的Ag∶InP/ZnSe纳米晶.采用紫外-可见-近红外吸收光谱(UV-Vis-NIR)、荧光光谱、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等对产物的结构和光学性质进行了表征,并分析了Ag掺杂浓度和温度对InP纳米晶荧光性能的影响.通过调节Ag掺杂浓度和反应温度,发现当Ag掺杂量为6%,反应温度为200℃时,Ag∶InP纳米晶的发光效率最高.将制备的Ag∶InP的表面包覆ZnSe,粒子的荧光效率从原来的20%提高到45%.将具有近红外荧光的Ag∶InP/ZnSe纳米晶应用于细胞成像,结果表明制备的荧光纳米晶在细胞成像中清晰可见且毒性较低. 展开更多
关键词 ag∶inp/znse 纳米晶 近红外荧光 生物成像
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面向量子点电致发光二极管的蓝光InP和ZnSe量子点研究现状 被引量:1
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作者 杨书淇 刘方海 +1 位作者 陈萍 陈雷 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期1631-1644,共14页
作为传统显示器强有力的竞争者之一,量子点发光二极管(QLED)在显示领域备受关注。然而,高性能蓝光QLED器件的发光材料中通常含有镉或铅,这两类重金属有毒元素对人体健康和生态环境不利,也阻碍了QLED器件的规模化商用进程。因此,高质量... 作为传统显示器强有力的竞争者之一,量子点发光二极管(QLED)在显示领域备受关注。然而,高性能蓝光QLED器件的发光材料中通常含有镉或铅,这两类重金属有毒元素对人体健康和生态环境不利,也阻碍了QLED器件的规模化商用进程。因此,高质量无镉无铅型蓝光量子点材料的研发成为推动新型显示产业发展的动力和业界迫切追求的目标。历经数十年发展,InP和ZnSe等无镉无铅量子点材料的蓝光发射性能已取得较大进步,随着合成策略及蓝光材料的进一步优化改进,环境友好型蓝光量子点发光二极管器件性能有望追上传统红、绿光量子点器件的步伐。本文分别从合成优化手段、表面包覆策略、核壳结构类型、发光性能参数等方面进行汇总,系统综述了当前无镉无铅型蓝光InP和ZnSe量子点材料的研究进展,指出了QLED蓝光材料未来的发展方向。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 蓝光量子点 电致发光 znse inp
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Ag/ZnO/ZnSe三元异质结的合成及其可见光光催化性能 被引量:2
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作者 梁建 张彩霞 +3 位作者 董海亮 何霞 申艳强 许并社 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第2期260-266,共7页
以Ag纳米线为模板,通过两步水浴法合成了Ag/Zn O/Zn Se三元异质结光催化材料。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(FETEM)对样品的形貌和结构进行了表征。结果显示,Ag/Zn O/Zn Se... 以Ag纳米线为模板,通过两步水浴法合成了Ag/Zn O/Zn Se三元异质结光催化材料。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(FETEM)对样品的形貌和结构进行了表征。结果显示,Ag/Zn O/Zn Se三元异质结为蠕虫状的Ag/Zn O二元异质结外镶嵌着Zn Se小颗粒。在可见光下,对比纯Ag纳米线、纯Zn O纳米球、Ag/Zn O异质结对罗丹明B的可见光降解效率,结果发现Ag/Zn O/Zn Se异质结表现出了更高的光催化效率。其光催化性能的提高主要是由于Ag/Zn O/Zn Se异质结的作用促使电子空穴对的分离,降低了电子空穴对的复合机率,从而提高了材料的光催化效率。 展开更多
关键词 ag ZNO znse 光催化效率
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Ag/InP复合材料的制备、表征及其性能 被引量:1
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作者 刘淑玲 韩晓莉 仝建波 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期18-22,共5页
通过溶剂热法制得磷化铟微晶,然后以光化学还原法成功将Ag单质均匀地复合到磷化铟微晶表面,制备Ag/InP复合材料。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜等对所得产物进行分析,结果表明:复合材料由尺寸为500nm左右的球状微晶组成,其中20nm左右... 通过溶剂热法制得磷化铟微晶,然后以光化学还原法成功将Ag单质均匀地复合到磷化铟微晶表面,制备Ag/InP复合材料。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜等对所得产物进行分析,结果表明:复合材料由尺寸为500nm左右的球状微晶组成,其中20nm左右的Ag纳米颗粒均匀附着在立方相InP微球表面上,表面较为粗糙。以刚果红为目标降解物,利用荧光和紫外光谱对所得产物进行光催化性能测试,结果发现,与单体InP微晶相比,Ag/InP复合材料形成后,其对刚果红的光催化降解活性提高,这可能是由于Ag纳米颗粒均匀附着后,有效分离InP的光生电子和空穴。此外,对不同银负载量的Ag/InP的光催化性能进行研究。研究表明:当负载量为73.3%时,所得产物的光催化性能最佳,降解率可达64%。 展开更多
关键词 ag/inp 荧光光谱 光催化性能 复合材料
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ZnSe量子点作为荧光探针测定微量Ag^+ 被引量:2
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作者 刘冰洁 王瑞 +3 位作者 舒娟 单晓辉 廖声华 严拯宇 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期309-313,共5页
以谷胱甘肽为稳定剂,在水相中合成了ZnSe量子点(QDs)。基于Ag+对ZnSe QDs的荧光猝灭作用,建立了以QDs作为荧光探针测定微量Ag+的新方法。结果表明:在优化条件下,Ag+的浓度在7.85~157.01μg·L-1范围内和F0/F有良好的线性关系,相关系... 以谷胱甘肽为稳定剂,在水相中合成了ZnSe量子点(QDs)。基于Ag+对ZnSe QDs的荧光猝灭作用,建立了以QDs作为荧光探针测定微量Ag+的新方法。结果表明:在优化条件下,Ag+的浓度在7.85~157.01μg·L-1范围内和F0/F有良好的线性关系,相关系数r为0.9989,检测限为0.12μg·L-1。由Stern-Volmer方程获得了反应的猝灭常数和双分子猝灭速率常数,由双倒数方程获得了Ag+与ZnSe QDs相互作用的结合常数、结合位点数,并判断出其作用机理为静态猝灭。根据热力学方程计算热力学参数,结果表明Ag+与ZnSe QDs的相互作用为自发过程,主要为静电作用力。 展开更多
关键词 znse QDS ag+ 荧光猝灭 热力学参数
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基于ZnSe/Ag/ZnSe可见区透明导电薄膜 被引量:1
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作者 宋春燕 刘星元 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期857-859,共3页
利用红外光学材料ZnSe和金属Ag在室温下采用电子束蒸发镀膜技术研制了透明导电薄膜ZnSe/Ag/ZnSe,该薄膜的电子浓度为1.208×1020cm-3,电子迁移率和电阻率分别为17.22 cm2 V-1s-1和2.867×10-5 Ω·cm,功函数达到5.13 eV,在... 利用红外光学材料ZnSe和金属Ag在室温下采用电子束蒸发镀膜技术研制了透明导电薄膜ZnSe/Ag/ZnSe,该薄膜的电子浓度为1.208×1020cm-3,电子迁移率和电阻率分别为17.22 cm2 V-1s-1和2.867×10-5 Ω·cm,功函数达到5.13 eV,在可见区的平均透过率理论模拟值超过80%,而测量结果为63.8%,测量的最高透过率为83%.结果表明,该透明导电薄膜具有良好的光学和电学性能,可作为透明电极应用于发光二极管等光电子器件中. 展开更多
关键词 透明导电薄膜 znse ag 功函数
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Wet-Chemical Synthesis and Optical Property of ZnSe Nanowires by Ag<sub>2</sub>Se-Catalyzed Growth Mechanism
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作者 Junli Wang Hui Feng +2 位作者 Weiling Fan Kangmin Chen Qing Yang 《Advances in Materials Physics and Chemistry》 2013年第6期289-294,共6页
High-quality II-VI semiconductor ZnSe nanowires were facilely prepared in the oleic acid and oleylamine mixed solution at low temperatures of 130°C-200°C through an Ag2Se-catalyzed growth mechanism. Oleylami... High-quality II-VI semiconductor ZnSe nanowires were facilely prepared in the oleic acid and oleylamine mixed solution at low temperatures of 130°C-200°C through an Ag2Se-catalyzed growth mechanism. Oleylamine served as an effective reducing agent and a surfactant in the synthesis. Many of the resultant nanowires were terminated by an Ag2Se catalyst particle at one of their ends, confirming that the nanowire growth followed a catalytic mechanism. The crystal structure of Ag2Se catalyst was examined, which exhibited a metastable tetragonal phase, not the common orthorhombic phase. Meanwhile, the optical properties of as-synthesized ZnSe nanowire solid powder were evaluated by the UV-Visible diffuse reflectance and photoluminescence spectroscopy and a significant blue shift was observed compared to the bulk ZnSe with a band gap of 2.7 eV. This work would provide an alternative and effective catalytic route for the preparation of one-dimensional (1D) nanostructures of ZnSe and other metal selenides. 展开更多
关键词 znse NANOWIRES Catalytic Growth ag2Se Catalyst OLEYLAMINE
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InP衬底上生长CdSe/ZnSe应变层超晶格
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作者 晓晔 《电子材料快报》 1998年第10期8-9,共2页
关键词 inp 衬底 CDSE znse 超晶格 Ⅲ-Ⅴ族
全文增补中
SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响 被引量:1
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作者 谢俊领 程伟 +3 位作者 王元 常龙 牛斌 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期424-428,共5页
报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件... 报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件在1 000h应力时间时仅下降了1.6%,说明基于SiN介质薄膜的表面钝化工艺有效提高了InP HBT的可靠性,这对于InP基器件和电路的实际应用具有重要意义。 展开更多
关键词 可靠性 热应力 存储加速寿命试验 磷化铟 双异质结双极性晶体管
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