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高T_c磁通变换器制取工艺研究
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作者 吴燧华 陈贞国 +5 位作者 吴晓祖 郑会玲 周廉 张平祥 叶永才 纪平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 1991年第1期60-63,共4页
本文介绍了为绕制高T_c磁通变换器用的Ag基BPSCCO复合线的制备工艺。这种超导复合线采用银包套经型辊轧制、中间热处理、拉拔等工艺加工成Φ1.0mm的复合线,再经800—850℃/20—80h热处理,J_c最佳值为960A/cm^2.用此种Bi系超导线成功地... 本文介绍了为绕制高T_c磁通变换器用的Ag基BPSCCO复合线的制备工艺。这种超导复合线采用银包套经型辊轧制、中间热处理、拉拔等工艺加工成Φ1.0mm的复合线,再经800—850℃/20—80h热处理,J_c最佳值为960A/cm^2.用此种Bi系超导线成功地绕制了数个磁通变换器。对Ag-BPSCCO复合线的临界电流密度J_c与弯曲变形的关系进行了测定,用SEM和X射线衍射对组织结构进行了观测和分析。同时介绍了为绕制磁通变换器所需要解决的几个问题。 展开更多
关键词 磁通变换器 ag基bpscco 超导回路
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