银铜钛焊膏制备Si_(3)N_(4)陶瓷覆铜基板工艺

随着电力电子向高功率、大电流、高能量密度的方向快速发展,市场对于更高可靠性的氮化硅陶瓷覆铜基板的需求越来越迫切。界面空洞率是衡量AMB陶瓷覆铜基板性能的重要指标之一。采用AgCuTi活性焊膏作为钎料,研究了预脱脂工艺和不同钎焊压力对氮化硅陶瓷覆铜基板界面空洞率的影响。结果表明,采用预脱脂工艺能显著降低界面空洞率,在预脱脂且施加400 N钎焊压力的工艺条件下,界面空洞率近乎为0,界面剥离强度可达17.3 N/mm。