高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4晶体

AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4非线性晶体在中远红外激光具有良好的应用前景。合成高纯多晶是制备可器件化单晶元件的关键。但S、Se易挥发、高温下饱和蒸气压高,易导致石英坩埚的爆炸,组分偏离化学计量比。为此,本文采用一种新型的高压辅助法合成出大尺寸高纯的多晶原料,解决了石英坩埚爆炸和组份偏离问题,并在此基础上进行了单晶的生长过程。多晶X射线粉末衍射测试结果与模拟图谱或者标准PDF卡片一致; X射线荧光光谱分析得到各元素百分含量非常接近化学计量比,AgGaGe_5Se_(12)中Ag、Ga、Ge、Se各占7. 86%、5. 08%、23. 80%、63. 26%,AgGaGeS_4中Ag、Ga、Ge、S各占28. 22%、18. 24%、19. 52%、34. 02%;单晶透过率测试得到AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4透过率分别为60%、70%,证明此方法制备的AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4晶体性能优良,展现了该方法在多晶合成的应用潜力。