AgO_x掩膜的制备和性能研究

磁控反应溅射制备了AgOx掩膜,用聚焦激光热效应装置测得的光透过特性,分析了AgOx掩膜的开关性能。结果表明,AgOx 掩膜在较低的温度作用下有良好的开关性能,反应AgOx Ag+O2可逆,适用于LSC-super-RENS光盘。用X-ray和TEM分析了热处理后的AgOx薄膜的成分结构,表明200℃热处理AgOx掩膜存在纳米量级Ag颗粒。

可录CD无机存储介质──AgO_x的研究

本文研究了AgOx薄膜的光学性能、分解过程和记录特性．研究表明，在氩气分压为0.67Pa和氧气分压为2.0Pa的条件下，反应溅射制备的AgOx薄膜是非晶态的，在400℃热处理时，完全分解为Ag;本文成功地对AgOx薄膜进行了静态写入实验，AgOx有望成为一种新的CD－R存储介质．

AgO_x薄膜的光开关特性和机理研究

用磁控溅射法制备了具有超分辨近场结构的系列薄膜 ,测量了非线性层AgOx 的光开关特性及其结构随温度的变化 ,分析了AgOx

AgO_x型超分辨近场结构的非线性光学特性研究

采用共焦Z扫描系统,以λ=532 nm,脉冲宽度0 7 ns,重复频率15 79 kHz的脉冲半导体激光器作为入射光源,研究了AgOx 超分辨近场结构(SuperRENS)薄膜样品的非线性光学性质,实验获得了其三阶非线性折射率系数随入射光功率的变化曲线,并与Au,Ag薄膜作了比较,讨论了光致非线性变化过程。结果表明,在聚焦激光作用下, AgOx 超分辨近场结构薄膜样品存在一相变点,即解析出纳米 Ag颗粒,满足了产生局域表面等离子体的激发和增强效应的条件。