烧结温度对固态反应法制备AgTaO_3晶体的影响

压电陶瓷材料正朝着无铅压电材料的方向发展。本文以Ag2O与Ta2O5为原料,采用固态反应法在不同烧结温度下合成AgTaO3,并通过XRD、SEM、DSC及拉曼散射等测试手段对材料性能进行表征。研究结果表明,当煅烧温度为850℃时,AgTaO3的晶体结构已经形成。烧结温度为1050℃时,其晶格常数a与c均最小;且所得样品的晶粒大小比较均匀且致密,但部分晶粒产生熔融连接。烧结温度为1150℃时,可观察到相变温度662K与700K,其中662K是由菱方相向单斜相转变所造成的;而700K则是由单斜相向四方相转变所产生的。烧结温度达到1050℃以上才可生成单一的AgTaO3结晶相。