射频磁控反应溅射制备的Ag_2O薄膜的椭圆偏振光谱研究

Ag_2O薄膜在新型超高存储密度光盘和磁光盘方面具有潜在的应用前景.利用射频磁控反应溅射技术,通过调节衬底温度在沉积气压为0.2 Pa、氧氩比为2:3的条件下制备了一系列Ag_2O薄膜.利用通用振子模型(包括1个Tauc-Lorentz振子和2个Lorentz振子)拟合了薄膜的椭圆偏振光谱.在1.5-3.5 eV能量区间,薄膜的折射率在2.2-2.7之间,消光系数在0.3-0.9之间.在3.5-4.5 eV能量区间,薄膜呈现了明显的反常色散,揭示Ag_2O薄膜的等离子体振荡频率在3.5-4.5 eV之间.随着衬底温度的升高,薄膜的光学吸收边总体上发生了红移,该红移归结于薄膜晶格微观应变随衬底温度的升高而增大.Ag_2O薄膜的光学常数表现出典型的介质材料特性.