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硒化温度对Cu(In,Al)Se_2薄膜结构和光学性质的影响
被引量:
1
1
作者
曹辉义
邓红梅
+5 位作者
崔金玉
孟宪宽
张俊
孙琳
杨平雄
褚君浩
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期726-730,共5页
采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In,Al)Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研...
采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In,Al)Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研究结果表明,CIAS薄膜的最佳硒化温度为540℃,其晶体结构为纯黄铜矿结构,禁带宽度为.34 eV。
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关键词
Cu(In
al
)Se_2
薄膜
硒化温度
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职称材料
题名
硒化温度对Cu(In,Al)Se_2薄膜结构和光学性质的影响
被引量:
1
1
作者
曹辉义
邓红梅
崔金玉
孟宪宽
张俊
孙琳
杨平雄
褚君浩
机构
华东师范大学电子工程系极化材料与器件教育部重点实验室
上海大学微结构实验室
绥化学院电气工程学院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期726-730,共5页
基金
国家自然科学基金(61474045)
国家重点基础研究项目(2013CB922300)~~
文摘
采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In,Al)Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研究结果表明,CIAS薄膜的最佳硒化温度为540℃,其晶体结构为纯黄铜矿结构,禁带宽度为.34 eV。
关键词
Cu(In
al
)Se_2
薄膜
硒化温度
Keywords
Cu(In
al
)Se_2
thin film
selenizaiton temperature
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
硒化温度对Cu(In,Al)Se_2薄膜结构和光学性质的影响
曹辉义
邓红梅
崔金玉
孟宪宽
张俊
孙琳
杨平雄
褚君浩
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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