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微芯片铝键合点上氟沾污物成分的研究
1
作者
郑国祥
李越生
+2 位作者
梁京
宗祥福
罗俊一
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期337-343,共7页
微芯片铝键合系统的失效是器件可靠性研究的重要课题,铝键合点上的氟沾污加速了对铝合金化表面的腐蚀,导致微芯片的失效。国外的工作多数讨论氟沾污引起失效的机理;很少给出沾污物的系列化学成份。TOFSIMS提供了一个探测...
微芯片铝键合系统的失效是器件可靠性研究的重要课题,铝键合点上的氟沾污加速了对铝合金化表面的腐蚀,导致微芯片的失效。国外的工作多数讨论氟沾污引起失效的机理;很少给出沾污物的系列化学成份。TOFSIMS提供了一个探测和分析微芯片键合点上沾污成份的有力武器,作者比较了两个TOFSIMS的负离子谱,一个是经目检发现键合点上有沾污斑点的芯片,另一个是键合点无沾污的芯片。根据对TOFSIMS特征谱线和离子像的研究,认为沾污点的化学成份主要是铝氟化合物和铝氧氟化合物。进一步的工作发现除微芯片的制造工艺过程外,成品圆片的存放处理也是形成键合点上氟沾污的原因。
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关键词
铝键合点
微芯片
氟沾污物
可靠性
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职称材料
题名
微芯片铝键合点上氟沾污物成分的研究
1
作者
郑国祥
李越生
梁京
宗祥福
罗俊一
机构
复旦大学材料科学系
上海先进半导体制造有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期337-343,共7页
文摘
微芯片铝键合系统的失效是器件可靠性研究的重要课题,铝键合点上的氟沾污加速了对铝合金化表面的腐蚀,导致微芯片的失效。国外的工作多数讨论氟沾污引起失效的机理;很少给出沾污物的系列化学成份。TOFSIMS提供了一个探测和分析微芯片键合点上沾污成份的有力武器,作者比较了两个TOFSIMS的负离子谱,一个是经目检发现键合点上有沾污斑点的芯片,另一个是键合点无沾污的芯片。根据对TOFSIMS特征谱线和离子像的研究,认为沾污点的化学成份主要是铝氟化合物和铝氧氟化合物。进一步的工作发现除微芯片的制造工艺过程外,成品圆片的存放处理也是形成键合点上氟沾污的原因。
关键词
铝键合点
微芯片
氟沾污物
可靠性
Keywords
al
bondpad
fluorine
contamination
ion
counts
amu
(
atomic
mass
unit
)
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微芯片铝键合点上氟沾污物成分的研究
郑国祥
李越生
梁京
宗祥福
罗俊一
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999
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