1
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肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气 |
周玉刚
沈波
刘杰
俞慧强
周慧梅
钱悦
张荣
施毅
郑有炓
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
2
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2
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Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文) |
沈波
李卫平
周玉刚
毕朝霞
张荣
郑泽伟
刘杰
周慧梅
施毅
刘治国
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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3
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Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文) |
郑泽伟
沈波
刘杰
周慧梅
钱悦
张荣
施毅
郑有火斗
蒋春萍
郭少令
郑国珍
褚君浩
Someya T
Arakawa Y
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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4
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GaN和Al_xGa_(1-x)N薄膜材料研究进展 |
陈伟华
叶志镇
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《材料科学与工程》
CSCD
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1997 |
1
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5
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Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征(英文) |
沈波
李卫平
周玉刚
毕朝霞
张荣
郑泽伟
刘杰
周慧梅
施毅
刘治国
郑有炓
Someya T
Arakawa Y
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
1
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6
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AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文) |
郑泽伟
沈波
刘杰
周慧梅
钱悦
张荣
施毅
郑有炓
蒋春萍
郭少令
郑国珍
褚君浩
Someya T
Arakawa Y
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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7
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用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷 |
周玉刚
沈波
刘杰
周慧梅
俞慧强
张荣
施毅
郑有炓
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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8
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AlGaN/GaN异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响 |
孔月婵
郑有炓
周春红
邓永桢
顾书林
沈波
张荣
韩平
江若琏
施毅
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
11
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