Al/AlO_x/Al超导隧道结的制备工艺研究

研究了在高阻硅衬底上Al/AlO x/Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/AlO x/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口。在400mK温度下测量了Al/AlO x/Al隧道结样品,得到了较好的隧道结I-V曲线,能隙电压Vg为0.325mV,超导临界电流I c为55nA,漏电流为5nA。

Al/AlO_x/Al隧道结简化制备技术

研究了一种在高阻硅衬底上Al/Al Ox/Al超导隧道结简化制备技术。通过一次光刻镀膜完成隧道结结区的确定和上引线的制备,工艺流程简单重复。在0.3K温度下测量了隧道结样品的I-V特性,能隙电压Vg为0.37m V,超导临界电流密度约为12A/cm2。

超导太赫兹直接检测器的制备技术研究

本文研究了超导太赫兹直接检测器的制备流程和关键工艺技术,采用步进投影式光刻技术,来满足检测器对小面积超导隧道结和高频宽带匹配电路的高精度尺寸要求。实验获得了Nb膜反应离子刻蚀形成约42°斜坡角度的刻蚀气体CF4/O2比,解决了超导微带线在天线边缘处容易断线问题,成功制备出超导太赫兹直接检测器样品。