基于Si基芯片的Au/Al键合可靠性研究

对集成电路中常见的Au、Al键合的可靠性进行研究,重点分析高温条件持续时间对引线键合的影响。采用镜检和拉力测试的方法对引线键合点的形貌和强度进行检验,并根据拉力测试数据拟合出高温时间与拉力的关系曲线。最后,基于固相反应原理,给出高温状态下Au-Al系统金属间化合物的演变过程分析。结果表明,Al/Au键合界面比Au/Al界面在高温环境下的可持续工作时间更长。

混合集成电路中金铝键合可靠性的实验设计

针对混合集成电路中粗铝丝与厚膜金导体所形成的Al/Au键合系统的可靠性,提出了样品在加速应力(150℃)条件下的实验方案,得出在125℃、150℃、175℃三种加速温度应力条件下样品电阻的变化率随高温储存时间线性增加,但当Al/Au系统的互连接触电阻变化率达到20%后,电阻的变化率即退化速率显著增加;在恒定温度应力下,Al/Au键合系统的退化主要表现为接触电阻增加,键合强度下降.