通过基体晶粒和颗粒分布异质结构的调控协同提升AlN_(p)/Al复合材料的强度-塑性

为了获得优异的强塑性能,采用液固反应结合后续的热机械处理方法制备了3种具有不同微观组织构型的异构AlNp/Al复合材料,详细研究了AlN颗粒分布和基体晶粒组织构型对拉伸强度和塑性的影响。结果表明,复合材料的强度和塑性同时提高。其中,具有较弥散颗粒分布的Uniformed-AlNp/Al复合材料表现出优异的极限抗拉强度(~387 MPa)和断裂伸长率(~9.1%)。与其他文献报道的颗粒增强铝基复合材料相比,该复合材料具有较好的比强度和延展性组合。此外,计算了异质变形诱导(HDI)应力。结果表明,在Uniformed-AlNp/Al复合材料中,HDI应力显著增加。揭示了HDI应力在提高AlNp/Al复合材料的强度和塑性中起着至关重要的作用。

热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进

采用高真空 MOCVD外延技术 ,利用 TMA( Al( CH3) 3)和 O2 作为反应源 ,在 Si( 10 0 )衬底上外延生长γ-Al2 O3 绝缘膜形成 γ-Al2 O3/ Si异质结构材料 .同时 ,引入外延后退火工艺以便改善 γ-Al2 O3 薄膜的晶体质量及电学性能 .测试结果表明 ,通过在 O2 常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2 O3 外延层的残余热应力及孪晶缺陷 ,改善外延层的晶体质量 ,同时可以提高 MOS电容的抗击穿能力 。

Al/GaSb Contact with Slow Positron Beam

Annealing study of the Al/GaSb system was performed by using a slow positron beam and the measurement of X-ray diffraction. The S parameter against positron energy data were fitted by a three layer model （Al/interface/GaSb）. It was found there was a ～5 nm interfacial at the region between the Al layer and bulk in the sample of as-deposited. After the 400 ℃ annealing, this interfacial region extends to over 40 nm and S parameter dramatically drops. This is possibly due to a new phase formation induced by the atoms＇inter-diffusion at the interface. The annealing out of the open volume defects in the Al layer was revealed by the decrease of the S parameter and the increase of the effective diffusion length of the Al layer. Annealing behaviors of Sb and Lb of the GaSb bulk showed the annealing out of positron traps at 250 ℃. However,further annealing at 400 ℃ induces formation of positron traps, which are possibly another kind of VGarelated defect and the positron shallow trap GaSb anti-site. The results of the X-ray diffraction experiment verified the conclusion of obtained by using positron technology.

ZnO量子点的制备及其在白光LED中的应用

利用湿化学方法制备合成Zn O量子点,通过改变合成条件(反应时间、反应物浓度、反应温度)对量子点的尺寸及发光性能进行调控。利用透射电子显微镜、吸收光谱、荧光光谱等表征手段,探讨了合成条件对Zn O量子点光学性质的影响,并优化出适用于构建白光LED器件的最佳合成条件。研究结果表明,在反应温度为20℃、反应时间为3 h、前驱体Zn(OAc)_2和Li OH反应浓度比为2∶1时获得的Zn O量子点较为稳定,并在紫外光激发下发出明亮的黄绿色光。在此基础上,以该Zn O量子点为有源层、p-Ga N∶Mg基片为空穴注入层、非晶Al_2O_3薄膜为电子阻挡层构造了p-i-n型异质结LED,在正向注入电流为5 m A时,获得了来自于器件的白光发射,其色坐标为(0.28,0.30),色温为9 424 K。