期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能 被引量:4
1
作者 王瑞春 杜丕一 +1 位作者 翁文剑 韩高荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1067-1072,共6页
采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在经特殊设计的“单反应室双沉积”设备中沉积了Al/a Si∶H复合薄膜 ,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究 ... 采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在经特殊设计的“单反应室双沉积”设备中沉积了Al/a Si∶H复合薄膜 ,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究 .结果表明 ,Al/a Si∶H复合薄膜在不高于 2 5 0℃的退火条件下即开始出现硅的晶体相 .退火温度越高 ,Al层越厚 ,形成多晶硅的量越多 .Al/a Si∶H复合薄膜的电导率受Al原子在a Si∶H中掺杂效应的影响 ,比纯a Si∶H薄膜的大 .随着硅晶体相在复合薄膜中的生成 ,复合薄膜的电导率受晶相比控制 ,晶相比增加 ,电导率增大 . 展开更多
关键词 al/a-si:h复合薄膜 al诱导晶化 多晶硅 晶相比 电导率
下载PDF
a-Si∶H/Al/a-Si∶H三层复合膜的低温晶化研究 被引量:2
2
作者 王瑞春 杜丕一 +4 位作者 沈鸽 翁文剑 韩高荣 赵高凌 张溪文 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期234-238,共5页
采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a Si∶H/Al/a Si∶H三层复合薄膜 ,并利用XRD ,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明 ,随着热处理过程的进行 ,金属Al... 采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a Si∶H/Al/a Si∶H三层复合薄膜 ,并利用XRD ,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明 ,随着热处理过程的进行 ,金属Al逐步向表面扩散 ,在金属Al锈导下a Si∶H层出现晶化的温度不高于 2 5 0℃。在Al层厚度低于 2 2nm时 ,a Si∶H向晶态硅转变的量随着Al层厚度的增加而增加 ,而当Al层厚度大于 2 2nm后 ,a 展开更多
关键词 a-si:h/al/a-si:h三层复合膜 低温晶化 多晶硅 铝诱导 真空热蒸发 半导体薄膜 PECVD
下载PDF
The study of a new n/p tunnel recombination junction and its application in a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells 被引量:6
3
作者 李贵君 侯国付 +5 位作者 韩晓艳 袁育洁 魏长春 孙建 赵颖 耿新华 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第4期1674-1678,共5页
This paper reports that a double N layer (a-Si:H/μc-Si:H) is used to substitute the single microcrystalline silicon n layer (n-μc-Si:H) in n/p tunnel recombination junction between subcells in a-Si:H/μc-Si... This paper reports that a double N layer (a-Si:H/μc-Si:H) is used to substitute the single microcrystalline silicon n layer (n-μc-Si:H) in n/p tunnel recombination junction between subcells in a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells. The electrical transport and optical properties of these tunnel recombination junctions are investigated by current voltage measurement and transmission measurement. The new n/p tunnel recombination junction shows a better ohmic contact. In addition, the n/p interface is exposed to the air to examine the effect of oxidation on the tunnel recombination junction performance. The open circuit voltage and FF of a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cell are all improved and the current leakage of the subcells can be effectively prevented efficiently when the new n/p junction is implemented as tunnel recombination junction. 展开更多
关键词 double N layer tunnel recombination junction oxidation interface a-sih/μc-Si:h tan-dem solar cell
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部