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Al^(3+):KTP晶体生长及其相关性质研究 被引量:1
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作者 常新安 华晓晓 +3 位作者 臧和贵 陈学安 肖卫强 代美娟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期572-576,共5页
采用高温溶液法生长不同掺质浓度的Al3+:KTP晶体,以等离子体发射光谱法测定晶体中Al3+的含量,并计算出Al3+在相应生长体系中的分配系数。采用X射线粉末衍射和粉末倍频法分别测定了所生长晶体的晶胞参数和倍频效应,结果表明随着晶体中掺... 采用高温溶液法生长不同掺质浓度的Al3+:KTP晶体,以等离子体发射光谱法测定晶体中Al3+的含量,并计算出Al3+在相应生长体系中的分配系数。采用X射线粉末衍射和粉末倍频法分别测定了所生长晶体的晶胞参数和倍频效应,结果表明随着晶体中掺质浓度的增加,晶胞参数逐渐减小,而倍频效应呈现略微增强的趋势。 展开更多
关键词 Al^3+:ktp晶体 分配系数 晶胞参数 倍频效应
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Crystal Structure and Sensitive Response toward Al^3+ of the Furaldehyde Schiff Base 被引量:1
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作者 朱瑞涛 薛华 +2 位作者 郭爱玲 史清华 董金龙 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2018年第6期915-923,共9页
A furaldehyde Schiff base, 4-[(2-furanylmethylene)amino]phenol(FMAP), was synthesized and fully characterized by elemental analysis, ^1H-NMR, IR, MS, UV-Vis, fluorescence and single-crystal X-ray diffraction. It c... A furaldehyde Schiff base, 4-[(2-furanylmethylene)amino]phenol(FMAP), was synthesized and fully characterized by elemental analysis, ^1H-NMR, IR, MS, UV-Vis, fluorescence and single-crystal X-ray diffraction. It crystallizes in the monoclinic system, space group P2_1/n with a = 6.2566(6), b = 13.2273(11), c = 11.3056(9) A, β = 93.1800(10)o, V = 934.19(14) A^3, Z = 4, M_r = 187.19, D_c = 1.331 g/cm^3, λ = 0.71073 a, F(000) = 392, GOOF = 1.022, R = 0.0396 and wR = 0.0992 for 4569 observed reflections with I 〉 2σ(I). Fluorescent spectroscopic investigation revealed that the Schiff base exhibited a high selectivity and sensitivity toward Al^3+ over other common metal ions in ethanol solution, and the detection limit of Al^3+ is up to 1.2 × 10^-7 M. The mass spectra and Job's plot analysis confirm the 1:1 stoichiometry between FMAP and Al^3+. 展开更多
关键词 Schiff base FURALDEHYDE crystal structure fluorescence spectrum Al^3+
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Ga^(3+):KTP晶体c向电导率的研究 被引量:2
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作者 臧和贵 常新安 +2 位作者 张书峰 陈学安 肖卫强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期378-380,共3页
采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较。结果发现,Ga3+:KTP晶体... 采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较。结果发现,Ga3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上。文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨。 展开更多
关键词 Ga^3+:ktp晶体 分配系数 c向电导率
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KTP(KTiPO_4)晶体电光开关研究 被引量:15
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作者 李世忱 倪文俊 +4 位作者 杨天新 王冬梅 黄超 随展 李明中 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1999年第2期95-98,共4页
介绍了KTP晶体电光开关的设计;利用体式LiNbO3晶体、KD*P晶体和KTP晶体做了光开关(斩波)实验。在开关脉冲宽度120ns~1200ns,升降沿5ns的情况下,实验证实LiNbO3晶体开关过程伴有严重的压电耦... 介绍了KTP晶体电光开关的设计;利用体式LiNbO3晶体、KD*P晶体和KTP晶体做了光开关(斩波)实验。在开关脉冲宽度120ns~1200ns,升降沿5ns的情况下,实验证实LiNbO3晶体开关过程伴有严重的压电耦合振铃结构,不能做为体式光开关工作;而KTP开关的综合性能是最好的。 展开更多
关键词 电-光 压-电 光开关 ktp晶体 电光开关
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