Al-C-N非晶薄膜结构及导电性研究

为了揭示Al-C-N非晶薄膜的结构、导电性以及它们之间的关系,本文采用非平衡磁控溅射沉积技术在Si(100)基体上沉积得到了不同Al含量的Al-C-N薄膜。使用X射线光电子能谱仪、X射线衍射和高分辨透射电镜研究了所制备薄膜的相组成和微观结构。采用四引线法测定了薄膜电阻率-温度关系和霍尔电阻率-磁场关系。实验结果表明,所制备薄膜为非晶结构,结构致密,没有明显的缺陷,薄膜中主要的化学键为C-N,C-C和Al-N键。薄膜的成分对其导电性能有着明显的影响,当Al含量较低时,Al-C-N薄膜为p型半导体;当Al含量较高时薄膜转变为绝缘体。