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石墨烯上吸附Al的电子结构性能研究
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作者 郭亚琼 赵宇宏 +2 位作者 侯华 杨晓敏 文志勤 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第12期152-154,159,共4页
采用基于密度泛函理论的CASTEP程序包研究了Al吸附于石墨烯表面改善石墨烯的电子性能。结果表明:双原子吸附比单原子吸附能量更低,吸附更为容易。同时吸附结构不同会导致磁矩的产生,单原子以及间位吸附没有磁矩,对位和邻位分别产生了-0... 采用基于密度泛函理论的CASTEP程序包研究了Al吸附于石墨烯表面改善石墨烯的电子性能。结果表明:双原子吸附比单原子吸附能量更低,吸附更为容易。同时吸附结构不同会导致磁矩的产生,单原子以及间位吸附没有磁矩,对位和邻位分别产生了-0.62和1.38μB磁矩。差分电荷密度图结果显示:双原子Al吸附于石墨烯时向石墨烯层转移的电子较多,并且吸附时诱导的差分电荷分布均比较局域,主要集中在Al原子附近的第一近邻C原子表面。 展开更多
关键词 al原子吸附石墨烯 第一性原理 电子结构
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