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Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究
1
作者
李佳帅
张静
+2 位作者
杨红
刘倩倩
闫江
《电子器件》
CAS
北大核心
2018年第6期1362-1366,共5页
为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂Hf O2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电...
为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂Hf O2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电等的影响。最终,在N2环境中700℃退火条件下,Al掺杂Hf O2的电学特性达到最优,其EOT为0.88 nm、Vfb为0.46 V和Ig为2.19×10-4A/cm2。最优条件下的EOT(Equivalent Oxide Thickness)可以满足14/16(nm)器件的需要(EOT<1 nm),Ig比相同EOT的Hf O2材料小3个数量级。
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关键词
微电子
al掺杂的hfo2
退火工艺
结晶
C-V特性
高k
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职称材料
题名
Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究
1
作者
李佳帅
张静
杨红
刘倩倩
闫江
机构
北方工业大学电子信息工程学院
中国科学院微电子研究所中国科学院大学
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2018年第6期1362-1366,共5页
基金
Ge基MOS器件迁移率的远程库伦散射机制的研究项目(61674003)。
文摘
为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂Hf O2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电等的影响。最终,在N2环境中700℃退火条件下,Al掺杂Hf O2的电学特性达到最优,其EOT为0.88 nm、Vfb为0.46 V和Ig为2.19×10-4A/cm2。最优条件下的EOT(Equivalent Oxide Thickness)可以满足14/16(nm)器件的需要(EOT<1 nm),Ig比相同EOT的Hf O2材料小3个数量级。
关键词
微电子
al掺杂的hfo2
退火工艺
结晶
C-V特性
高k
Keywords
microelectronics
al
doped
hfo
2
post deposition anne
al
ing
cryst
al
lization
C-V characteristics
high k
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究
李佳帅
张静
杨红
刘倩倩
闫江
《电子器件》
CAS
北大核心
2018
0
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职称材料
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参考文献
引证文献
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