Al组分三角形渐变P-EBL结构AlGaN基DUV LED数值分析

效率陡降严重影响AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的输出性能,也是近年来DUV LED的一个瓶颈性问题。对常规电子阻挡层(P-EBL)和Al组分三角形渐变P-EBL两种结构DUV LED进行了数值分析。研究了能带、电子电流、空穴浓度、电场、内量子效率、输出功率和自发辐射光谱的分布特性。模拟结果表明,在260 mA电流注入时,相比常规PEBL结构,Al组分三角形渐变P-EBL结构DUV LED的效率陡降减小了5.85%,改善了DUV LED输出性能。根据数值模拟和分析,器件输出性能改善的原因是Al组分三角形渐变P-EBL结构提高导带势垒高度和增强空穴在P型区域获得的动能,从而减小电子泄漏,并提高了空穴注入效率。