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磁控溅射Al-Mg-B薄膜成分优化
被引量:
5
1
作者
曲文超
吴爱民
+2 位作者
吴占玲
白亦真
姜辛
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期628-633,共6页
采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯度Al,Mg和B单质靶材为溅射源,室温下在单晶Si(100)表面上成功制备了低摩擦系数的非晶态Al-Mg-B硬质薄膜.通过改变Al/Mg混合靶体积配比及靶材溅射功率来调控薄膜成分,最终制备的Al-Mg-B薄膜成分接近AlMgB...
采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯度Al,Mg和B单质靶材为溅射源,室温下在单晶Si(100)表面上成功制备了低摩擦系数的非晶态Al-Mg-B硬质薄膜.通过改变Al/Mg混合靶体积配比及靶材溅射功率来调控薄膜成分,最终制备的Al-Mg-B薄膜成分接近AlMgB_(14)相的元素成分比,其Vickers硬度约为32 GPa.XRD及HR-TEM分析表明.制备的薄膜均为非晶态XPS测试表明薄膜内部存在B-B及Al-B单键;FTIR进一步测试表明,在波数1100 cm^(-1)处出现较为明显的振动吸收峰,证明制备的薄膜中含有B_(12)二十面体结构,这也是薄膜具有超硬性的主要原因.薄膜摩擦磨损测试表明薄膜摩擦系数在0.07左右.
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关键词
磁控溅射
al-mg-b薄膜
硬度
B_(12)二十面体
原文传递
题名
磁控溅射Al-Mg-B薄膜成分优化
被引量:
5
1
作者
曲文超
吴爱民
吴占玲
白亦真
姜辛
机构
大连理工大学机械工程与材料能源学部材料科学与工程学院
大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室
大连理工大学物理与光电工程学院
Institute of Materials Engineering
出处
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期628-633,共6页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目DUT10JN08~~
文摘
采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯度Al,Mg和B单质靶材为溅射源,室温下在单晶Si(100)表面上成功制备了低摩擦系数的非晶态Al-Mg-B硬质薄膜.通过改变Al/Mg混合靶体积配比及靶材溅射功率来调控薄膜成分,最终制备的Al-Mg-B薄膜成分接近AlMgB_(14)相的元素成分比,其Vickers硬度约为32 GPa.XRD及HR-TEM分析表明.制备的薄膜均为非晶态XPS测试表明薄膜内部存在B-B及Al-B单键;FTIR进一步测试表明,在波数1100 cm^(-1)处出现较为明显的振动吸收峰,证明制备的薄膜中含有B_(12)二十面体结构,这也是薄膜具有超硬性的主要原因.薄膜摩擦磨损测试表明薄膜摩擦系数在0.07左右.
关键词
磁控溅射
al-mg-b薄膜
硬度
B_(12)二十面体
Keywords
magnetron sputtering
al-mg-b
film
hardness
B_(12)icosahedra structure
分类号
TB43 [一般工业技术]
O484.5 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁控溅射Al-Mg-B薄膜成分优化
曲文超
吴爱民
吴占玲
白亦真
姜辛
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
5
原文传递
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