本文研究了 Al-Si 共晶强制性稳态生长过程中 Si 的分枝特征,指出 Si 分枝簇是一类分维结构,并测出其分维值 D_f=1.74±0.10,此值同 Laplace 分维(LF)模拟值相近。而且测定结果表明D_f 同生长速度和温度梯度没有明显的相关关系,Si ...本文研究了 Al-Si 共晶强制性稳态生长过程中 Si 的分枝特征,指出 Si 分枝簇是一类分维结构,并测出其分维值 D_f=1.74±0.10,此值同 Laplace 分维(LF)模拟值相近。而且测定结果表明D_f 同生长速度和温度梯度没有明显的相关关系,Si 相分枝是自相似的。讨论了 Si 相分枝生长的随机性问题。展开更多
实验考察了强制条件下 Al-Si 共晶相间距对生长速度突变的响应。实验表明这种响应是滞后和连续的,响应机制是共晶 Si 相的“成簇分枝”延伸和终止,响应过程由液相组分扩散和共晶相晶体学各向异性效应决定。实验证明了共晶稳态生长位置...实验考察了强制条件下 Al-Si 共晶相间距对生长速度突变的响应。实验表明这种响应是滞后和连续的,响应机制是共晶 Si 相的“成簇分枝”延伸和终止,响应过程由液相组分扩散和共晶相晶体学各向异性效应决定。实验证明了共晶稳态生长位置的唯一性。相应的理论分析引入一个描述共晶相晶体学各向异性效应的参量。计算结果同实验测量相吻合。展开更多
文摘本文研究了 Al-Si 共晶强制性稳态生长过程中 Si 的分枝特征,指出 Si 分枝簇是一类分维结构,并测出其分维值 D_f=1.74±0.10,此值同 Laplace 分维(LF)模拟值相近。而且测定结果表明D_f 同生长速度和温度梯度没有明显的相关关系,Si 相分枝是自相似的。讨论了 Si 相分枝生长的随机性问题。
文摘实验考察了强制条件下 Al-Si 共晶相间距对生长速度突变的响应。实验表明这种响应是滞后和连续的,响应机制是共晶 Si 相的“成簇分枝”延伸和终止,响应过程由液相组分扩散和共晶相晶体学各向异性效应决定。实验证明了共晶稳态生长位置的唯一性。相应的理论分析引入一个描述共晶相晶体学各向异性效应的参量。计算结果同实验测量相吻合。
基金Project(XKY2009035) supported by the Key Laboratory for Ecological-Environment Materials of Jiangsu Province,ChinaProject(11KJD430006) supported by the Natural Science Fund for Colleges and Universities in Jiangsu Province,ChinaProject(AE201034) supported by the Research Finds of Key Laboratory for Advanced Technology in Environmental Protection of Jiangsu Province,China