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Al掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学性质的影响研究
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作者 钟琼丽 王绪 +1 位作者 马奎 杨发顺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第8期1352-1360,共9页
近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_... 近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构,经高温退火使Al原子热扩散进入薄膜中,形成Al掺杂的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。采用激光区熔法使薄膜区域熔化再结晶,进一步提升掺杂质量。对Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体性质、杂质含量及光学性质进行了测试表征。结果表明:Al掺杂不改变β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体结构;随着Al层溅射时间延长,掺杂含量逐渐增加;当Al溅射时间为5和10 s时,薄膜紫外吸收率分别为40%和50%;随着Al溅射时间的增加,Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜紫外区域光吸收率逐渐增强,Al溅射时间为300 s时,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的光吸收率接近90%;低浓度的Al掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜的禁带宽度变窄。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)o_(3)薄膜 al掺杂 磁控溅射 Ga_(2)o_(3)/al/Ga_(2)o_(3)/al/Ga_(2)o_(3)复合结构 光吸收 光学带隙
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Al_(2)O_(3)在储能材料中的应用研究进展
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作者 王妍 魏诗诗 +2 位作者 赵昊雯 李健 王甲泰 《电源技术》 CAS 北大核心 2024年第8期1533-1540,共8页
Al_(2)O_(3)作为陶瓷材料、催化剂、催化剂载体及研磨磨料等有广泛的应用。因氧化铝具有优良的抗酸碱腐蚀性和力学等性能且热稳定性好、来源丰富,所以近年来逐渐开始应用在储能材料领域,进一步拓展了氧化铝的应用范围。主要针对氧化铝... Al_(2)O_(3)作为陶瓷材料、催化剂、催化剂载体及研磨磨料等有广泛的应用。因氧化铝具有优良的抗酸碱腐蚀性和力学等性能且热稳定性好、来源丰富,所以近年来逐渐开始应用在储能材料领域,进一步拓展了氧化铝的应用范围。主要针对氧化铝包覆后的二次储能电池正极材料、负极材料,以及改进隔膜的力学性能等方面进行研究。报道了近年来氧化铝在锂离子电池、钠离子电池、锂硫电池、电解液、隔膜方面的应用研究进展。 展开更多
关键词 储能材料 电极材料 al2o3 改性 电化学性能
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Modification of Nano-α-Al2O3 and Its Influence on the Surface Properties of Waterborne Polyurethane Resin Composite Passivation Films
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作者 Jiankang Fu Changshuai Ma +2 位作者 Yameng Zhu Jing Yuan Qianfeng Zhang 《Journal of Materials Science and Chemical Engineering》 2024年第5期29-48,共20页
Silane coupling agent KH560 was used to modify the surface of nano-α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> in ethanol-aqueous solution with different proportions. The particle size of nano-α-Al<sub&... Silane coupling agent KH560 was used to modify the surface of nano-α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> in ethanol-aqueous solution with different proportions. The particle size of nano-α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> was determined by nano-particle size analyzer, and the effects of nano-α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> content, ethanol-aqueous solution ratio and KH560 dosage on the dispersion and particle size of nano-α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> were investigated. The material structure before and after modification was determined by Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). Aqueous polyurethane resin and inorganic components are combined with modified nano-α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> dispersion to form chromium-free passivation solution. The solution is coated on the galvanized sheet, the adhesion and surface hardness are tested, the bonding strength of the coating and the surface hardness of the substrate are discussed. The corrosion resistance and surface morphology of the matrix were investigated by electrochemical test, neutral salt spray test and scanning electron microscope test. The chromium-free passivation film formed after the modification of nano-α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> increases the surface hardness of galvanized sheet by about 85%. The corrosion resistance of the film is better than that of a single polyurethane film. The results show that the surface hardness and corrosion resistance of polyurethane resin composite passivation film are significantly improved by the introduction of nano-α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>. 展开更多
关键词 Micro-Nano α-al2o3 Waterborne Polyurethane Resin Particle Size Surface Hardness Corrosion Resistance
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KH550修饰Al_2O_3及其对PI/Al_2O_3薄膜性能的影响
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作者 刘立柱 李园园 +2 位作者 翁凌 丁军 崔巍魏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第23期23126-23130,共5页
通过调整KH550的含量对Al2O3粉体表面进行改性,并用红外光谱(FT-IR)和X射线衍射(XRD)对改性后的粉体进行表征,表征结果显示KH550成功的键合到Al2O3粉体表面。然后分别使用Al2O3以及改性Al2O3制备了一系列无机粉体含量为16%(质量分数)的P... 通过调整KH550的含量对Al2O3粉体表面进行改性,并用红外光谱(FT-IR)和X射线衍射(XRD)对改性后的粉体进行表征,表征结果显示KH550成功的键合到Al2O3粉体表面。然后分别使用Al2O3以及改性Al2O3制备了一系列无机粉体含量为16%(质量分数)的PI复合薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)对复合薄膜的断面微观形貌进行表征,并对复合薄膜的力学性能和击穿场强进行测试。测试结果显示KH550的含量对无机粉体分散情况有较大影响。当KH550含量为2%(质量分数)时,PI/KH550-Al2O3复合薄膜的拉伸强度和断裂伸长率最优,分别为130 MPa,12%,与PI/Al2O3薄膜相比,拉伸强度和断裂伸长率分别提高了22.8%,44.5%,击穿场强与其相近。 展开更多
关键词 pi KH550 al2o3 复合薄膜 力学性能
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高温扩散工艺制备带隙可调的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜
5
作者 谭黎 张俊 +3 位作者 张敏 赵荣力 邓朝勇 崔瑞瑞 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期281-288,共8页
β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝... β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝石衬底上成功制备了β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)纳米薄膜。利用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计对其进行了表征。由于高温下蓝宝石衬底中的Al原子向Ga_(2)O_(3)层扩散,β-Ga_(2)O_(3)薄膜将转变为Al、Ga原子比例不同的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜。实验结果显示:当退火温度从1 010℃增加到1 250℃时,薄膜中Al的平均含量从0.033增加到0.371;当退火温度从950℃增加到1 250℃时,薄膜的厚度从186 nm增加到297 nm,粗糙度从2.31 nm增加到15.10 nm;当退火温度从950℃增加到1 190℃时,薄膜的带隙从4.79 eV增加至5.96 eV。结果表明高温扩散工艺能够有效调节β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜的光学带隙,为β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)基新型光电子器件提供了实验基础。 展开更多
关键词 β-(al_(x)Ga_(1-x))_(2)o_(3) Ga_(2)o_(3) al掺杂 半导体薄膜 高温扩散 可调带隙 磁控溅射
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纳米Al_2O_3/PI三层复合薄膜的制备与表征
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作者 巩桂芬 徐阿文 +2 位作者 张亮 张帆 李泽 《江苏大学学报(自然科学版)》 EI CAS 北大核心 2019年第3期360-365,共6页
以3,3′,4,4′-二苯酮四甲酸二酐(BTDA)和4,4′-二氨基二苯醚(ODA)为缩聚单体,利用高压静电纺丝技术制备出纳米Al_2O_3/PAA(聚酰胺酸)复合薄膜.以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4′-二氨基二苯醚(ODA)为原料制备出聚酰胺酸铺膜胶液,在电纺膜... 以3,3′,4,4′-二苯酮四甲酸二酐(BTDA)和4,4′-二氨基二苯醚(ODA)为缩聚单体,利用高压静电纺丝技术制备出纳米Al_2O_3/PAA(聚酰胺酸)复合薄膜.以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4′-二氨基二苯醚(ODA)为原料制备出聚酰胺酸铺膜胶液,在电纺膜的两侧进行流延成膜,并热亚胺化处理.对复合薄膜进行化学组成、微观形貌、耐电晕性能、力学性能和热学性能测试分析.结果表明:复合薄膜的亚胺化较完全,纳米Al_2O_3均匀地分散在聚酰亚胺基体中,在纳米氧化铝掺杂量为6%时综合性能最佳,耐电晕老化时间为12.3 h,是未掺杂纳米氧化铝三层复合薄膜的3倍以上,拉伸强度达到最大值(174 MPa),同时断裂伸长率达到21%.纳米Al_2O_3的加入使得复合薄膜的热稳定性有所提高,起始热分解温度从578.7℃提高到591.3℃. 展开更多
关键词 聚酰亚胺 薄膜 纳米al2o3 静电纺丝 无纺布
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微量SiO_2对PI/Al_2O_3复合薄膜性能的影响 被引量:3
7
作者 李园园 刘立柱 +3 位作者 翁凌 石慧 金镇镐 王诚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第13期13122-13125,13130,共5页
通过固定纳米氧化铝(Al2O3)的含量,改变纳米氧化硅(SiO2)的含量,制备一系列纳米SiO2含量不同的聚酰亚胺(PI)/Al2O3/SiO2复合薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和红外光谱(FT-IR)对复合薄膜的微观形貌和分子结构进行表征,结果表明纳米颗粒... 通过固定纳米氧化铝(Al2O3)的含量,改变纳米氧化硅(SiO2)的含量,制备一系列纳米SiO2含量不同的聚酰亚胺(PI)/Al2O3/SiO2复合薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和红外光谱(FT-IR)对复合薄膜的微观形貌和分子结构进行表征,结果表明纳米颗粒在PI基体中均匀分散,而且纳米颗粒的加入既不影响PI的分子结构又对聚酰胺酸的热亚胺化无影响。同时测试了薄膜的力学性能、击穿场强和耐电晕时间。结果表明,当纳米SiO2质量分数为0.5%时,复合薄膜的击穿场强和耐电晕时间分别为211.15 kV/mm、378 min,均优于纳米SiO2质量分数分别为0,0.1%,0.3%和0.7%的薄膜,并且其力学性能也较优异。 展开更多
关键词 聚酰亚胺 纳米al2o3 纳米SIo2 复合薄膜 耐电晕时间
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泡沫镍负载TiO_2和TiO_2/Al_2O_3薄膜的光催化性能研究 被引量:13
8
作者 胡海 肖文浚 +2 位作者 袁坚 施建伟 上官文峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期363-368,共6页
以泡沫镍为载体,Al2O3作为过渡中间层,用溶胶-凝胶法在泡沫镍上负载锐钛矿相的TiO2薄膜,制成泡沫金属基的TiO2和TiO2/Al2O3光催化剂,利用XRD和FE-SEM等测试手段对其性质进行表征,用乙醛气体的光催化降解测试其活性.研究表明:泡沫镍负... 以泡沫镍为载体,Al2O3作为过渡中间层,用溶胶-凝胶法在泡沫镍上负载锐钛矿相的TiO2薄膜,制成泡沫金属基的TiO2和TiO2/Al2O3光催化剂,利用XRD和FE-SEM等测试手段对其性质进行表征,用乙醛气体的光催化降解测试其活性.研究表明:泡沫镍负载的TiO2和TiO2/Al2O3薄膜具有良好的光催化活性,特别是TiO2/Al2O3薄膜具有更高的催化活性.这是由于负载的Al2O3过渡中间层增大了载体的比表面积,具有吸附浓缩作用,同时也增加了负载光催化剂的活性位数量.实验表明: TiO2/Al2O3薄膜的光催化活性和稳定性较单一的TiO2薄膜有非常显著的提高. 展开更多
关键词 光催化 泡沫镍 Tio2/al2o3薄膜 乙醛降解
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聚酰亚胺/纳米Al_2O_3复合薄膜的介电性能 被引量:54
9
作者 李鸿岩 郭磊 +2 位作者 刘斌 陈维 陈寿田 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2006年第20期166-170,共5页
为了提高聚酰亚胺(PI)的耐电晕性能,采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/纳米Al2O3复合材料,并采用透射电子显微镜(TEM)对纳米Al2O3的分散状态进行了表征。研究了纳米Al2O3填加量对该复合材料耐电晕性能和其它介电性能的影响,结果表明,... 为了提高聚酰亚胺(PI)的耐电晕性能,采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/纳米Al2O3复合材料,并采用透射电子显微镜(TEM)对纳米Al2O3的分散状态进行了表征。研究了纳米Al2O3填加量对该复合材料耐电晕性能和其它介电性能的影响,结果表明,随着纳米Al2O3含量的增加,材料的耐电晕性能显著增强,在±910V(双极性)、15kHz条件下,纳米Al2O3质量分数为20%的PI薄膜的耐电晕寿命达到极大值,为纯PI薄膜寿命的25倍,聚酰亚胺/纳米Al2O3复合材料的体积电阻率和击穿场强没有明显的劣化,而相对介电常数和损耗角正切有所增加。 展开更多
关键词 聚酰亚胺 纳米al2o3 复合材料 介电性能 耐电晕
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掺铒Al_2O_3薄膜与镱铒共掺Al_2O_3薄膜光致发光特性比较 被引量:7
10
作者 李成仁 宋昌烈 +3 位作者 李淑凤 宋琦 李建勇 雷明凯 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期212-215,共4页
用中频磁控溅射工艺分别制备了掺铒Al2O3薄膜和镱铒共掺Al2O3薄膜,室温下测量了它们的光致发光特性。结果表明:镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光的峰值强度为掺铒Al2O3薄膜的8倍以上,两者的半值宽度近似相等;泵浦功率增强,掺铒Al2O3薄膜光致... 用中频磁控溅射工艺分别制备了掺铒Al2O3薄膜和镱铒共掺Al2O3薄膜,室温下测量了它们的光致发光特性。结果表明:镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光的峰值强度为掺铒Al2O3薄膜的8倍以上,两者的半值宽度近似相等;泵浦功率增强,掺铒Al2O3薄膜光致发光强度出现饱和趋势,但镱铒共掺Al2O3薄膜的光致发光强度随泵浦功率线性增加。 展开更多
关键词 中频磁控溅射 掺铒al2o3 薄膜 镱铒共掺al2o3薄膜 光致发光特性
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中频反应磁控溅射Al_2O_3薄膜的光学性质 被引量:10
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作者 廖国进 闻立时 +1 位作者 巴德纯 刘斯明 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期687-691,共5页
采用中频反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了Al2O3薄膜,提出了一种利用透射光谱来简单有效地分析弱吸收薄膜的光学特性及与光学相关的其他物理特性的方法.对Al2O3薄膜进行透射谱测量,通过对薄膜折射率、吸收系数、膜厚度与入射光波长... 采用中频反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了Al2O3薄膜,提出了一种利用透射光谱来简单有效地分析弱吸收薄膜的光学特性及与光学相关的其他物理特性的方法.对Al2O3薄膜进行透射谱测量,通过对薄膜折射率、吸收系数、膜厚度与入射光波长相互关系的分析,获得了Al2O3薄膜在400-1100 nm区域内的折射率、吸收系数与入射光波长的关系式,以及Al2O3薄膜厚度的计算公式. 展开更多
关键词 al2o3薄膜 光学性质 折射率 吸收系数 膜厚度
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TiO_2/Al_2O_3复合薄膜的亲水性能研究 被引量:11
12
作者 柳清菊 王庆辉 +2 位作者 靳映霞 杨喜昆 吴兴惠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期458-460,463,共4页
 采用溶胶 凝胶法制备了TiO2/Al2O3复合薄膜,通过XRD、XPS、UV透射光谱的分析及薄膜表面接触角的测量,研究了Al2O3与TiO2配比、热处理温度、膜厚度等因素对复合膜的亲水性、透光率的影响。结果表明:Al2O3的加入和膜厚度的增加均有利于T...  采用溶胶 凝胶法制备了TiO2/Al2O3复合薄膜,通过XRD、XPS、UV透射光谱的分析及薄膜表面接触角的测量,研究了Al2O3与TiO2配比、热处理温度、膜厚度等因素对复合膜的亲水性、透光率的影响。结果表明:Al2O3的加入和膜厚度的增加均有利于TiO2薄膜亲水性的改善;热处理温度对TiO2/Al2O3复合膜的亲水性有较大影响,其中经450℃热处理的薄膜亲水性最好;Al2O3的加入未降低复合膜的可见光透光率,其平均透光率大于80%。 展开更多
关键词 Tio2/al2o3复合薄膜 亲水性 溶胶-凝胶 接触角 XRD XPS UV透射光谱
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原子层淀积Al_2O_3薄膜的热稳定性研究 被引量:16
13
作者 卢红亮 徐敏 +2 位作者 丁士进 任杰 张卫 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1217-1222,共6页
以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜.采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究.结果表... 以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜.采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究.结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al-OH基团,高温退火后,Al-OH基团几乎消失,这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水.退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1.52)比退火前的(1.57)更接近化学计量比的Al2O3.FTIR分析表明,在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量会随热处理温度的升高而减少.此外,在高温快速热退火后,Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善,900℃热退火后其RMS达到1.15nm. 展开更多
关键词 al2o3薄膜 原子层淀积(alD) X射线光电子能谱(XPS)
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溶胶-凝胶法制备Al_2O_3-ZrO_2-SiO_2复合薄膜 被引量:9
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作者 王黔平 田秀淑 +2 位作者 王金峰 赵春荣 王聚亮 《水处理技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期75-77,共3页
本文采用溶胶-凝胶法以异丙醇铝、正硅酸乙酯和氧氯化锆为原料,HNO3为催化剂,PVA为成膜助剂,在多孔陶瓷管上制得了Al2O3-ZrO2-SiO2复合薄膜。研究了组分配比对溶胶性质的影响,结果表明Al2O3∶ZrO2∶SiO2在8∶1∶2~12∶1∶2之间时可得... 本文采用溶胶-凝胶法以异丙醇铝、正硅酸乙酯和氧氯化锆为原料,HNO3为催化剂,PVA为成膜助剂,在多孔陶瓷管上制得了Al2O3-ZrO2-SiO2复合薄膜。研究了组分配比对溶胶性质的影响,结果表明Al2O3∶ZrO2∶SiO2在8∶1∶2~12∶1∶2之间时可得到性能符合要求的溶胶。通过扫描电镜可观察到膜的孔径为2~5μm,且膜与基底结合良好。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 al2o3-Zro2-Sio2复合薄膜 异丙醇铝 正硅酸乙酯 氧氯化锆 陶瓷膜
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中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce^(3+)薄膜的蓝色发光特性 被引量:5
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作者 巴德纯 廖国进 +2 位作者 闻立时 刘斯明 阎绍峰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期421-424,共4页
本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3∶Ce3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。Ce3+... 本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3∶Ce3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的。薄膜发光是来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+。随铈含量增加5d与4f之间的能量差减小,导致随铈含量增加光致发光峰向低能方向的移动。薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。发射纯蓝光的Al2O3∶Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景。 展开更多
关键词 光致发光 al2o3 薄膜 CE
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溶胶-凝胶(sol-gel)法制作掺铒Al_2O_3薄膜及其光致发光光谱特性测量 被引量:11
16
作者 李成仁 宋昌烈 +1 位作者 李淑凤 高景生 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1514-1517,共4页
介绍一种用溶胶 凝胶方法制作掺铒Al2 O3薄膜的工艺 实验测量了薄膜样品的光致发光光谱特性 结果表明光致发光光谱的峰值波长为 1.5 36 μm ,半值宽度为 34nm ;同时测量了光致发光光谱的峰值强度与泵浦功率。
关键词 sol—gel法 掺铒al2o3薄膜 光致发光特性
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基于XRD的Al_2O_3纳米薄膜残余应力测试 被引量:7
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作者 孔德军 张永康 +1 位作者 冯爱新 鲁金忠 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1619-1622,共4页
利用X衍射技术测试了物理气相沉积Al2O3纳米薄膜的残余应力,分析了薄膜和基体间的应力测试原理,讨论了沉积温度、沉积速度和薄膜厚度等技术参数对残余应力的影响。实验结果表明,随着沉积温度升高,Al2O3薄膜残余应力值增大;当沉积速度增... 利用X衍射技术测试了物理气相沉积Al2O3纳米薄膜的残余应力,分析了薄膜和基体间的应力测试原理,讨论了沉积温度、沉积速度和薄膜厚度等技术参数对残余应力的影响。实验结果表明,随着沉积温度升高,Al2O3薄膜残余应力值增大;当沉积速度增加时,Al2O3薄膜的残余应力增大,且从拉应力变为压应力;由于热膨胀系数的不同而产生热拉应力和温度不同产生马氏体相变的残余压应力,残余应力值先是随着晶化温度的升高而下降,然后随之而上升,在400℃进行晶化处理时,残余应力值表现为最小;残余应力随着薄膜厚度的增加而不断增大,当薄膜厚度较小时,薄膜残余应力的变化比较平缓,残余应力值较小,有利于提高薄膜界面结合强度。选择合理的薄膜制备参数,能精确地控制薄膜的残余应力,从而达到提高其结合强度的目的。 展开更多
关键词 al2o3 纳米薄膜 残余应力 X射线衍射
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溶胶-凝胶Al_2O_3溶胶薄膜早期干燥过程研究 被引量:11
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作者 张勤俭 吴春丽 +4 位作者 李敏 张勤河 秦勇 毕进子 张建华 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2002年第2期16-18,共3页
采用无机盐先驱体 ,溶胶 凝胶法制备了Al2 O3 溶胶薄膜 ,并对溶胶膜的早期干燥过程进行了研究。结果表明 ,Al2 O3 溶胶薄膜的早期干燥过程存在着 2个恒速干燥期 ,第 1恒速干燥期的干燥速度明显高于第 2恒速干燥期。此外 ,在早期干燥过... 采用无机盐先驱体 ,溶胶 凝胶法制备了Al2 O3 溶胶薄膜 ,并对溶胶膜的早期干燥过程进行了研究。结果表明 ,Al2 O3 溶胶薄膜的早期干燥过程存在着 2个恒速干燥期 ,第 1恒速干燥期的干燥速度明显高于第 2恒速干燥期。此外 ,在早期干燥过程中 ,随着温度的升高 ,薄膜失重率急剧增加。为了获得理想的薄膜 。 展开更多
关键词 无机盐先驱体 分级干燥 溶胶-凝胶法 al2o3溶液薄膜 早期干燥 无机陶瓷膜
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氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜 被引量:5
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作者 魏芹芹 薛成山 +2 位作者 孙振翠 曹文田 庄惠照 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期312-315,共4页
研究了 Ga_2O_3/Al_2O_3 膜反应自组装制备 GaN 薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备 Ga_2O_3/Al2O3膜,再将Ga_2O_3/Al_2O_3 膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了 GaN 薄膜。用 X 射线衍射(XRD),X 光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)... 研究了 Ga_2O_3/Al_2O_3 膜反应自组装制备 GaN 薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备 Ga_2O_3/Al2O3膜,再将Ga_2O_3/Al_2O_3 膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了 GaN 薄膜。用 X 射线衍射(XRD),X 光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和 荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。 展开更多
关键词 GAN Ga2o3/al2o3膜 氮化 磁控溅射
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等离子体源增强磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜研究 被引量:9
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作者 雷明凯 袁力江 张仲麟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期887-890,共4页
采用电子回旋共振微波等离子体源增强磁控溅射沉积氧化铝薄膜.X射线光电子谱和X射线衍射分析表明,在600℃沉积温度下,Si(100)基片上获得了亚稳的具有化学计量配比成分、面心立方结构的γ-Al2O3薄膜.薄膜的折射率为1.7,与稳定的α-Al2O... 采用电子回旋共振微波等离子体源增强磁控溅射沉积氧化铝薄膜.X射线光电子谱和X射线衍射分析表明,在600℃沉积温度下,Si(100)基片上获得了亚稳的具有化学计量配比成分、面心立方结构的γ-Al2O3薄膜.薄膜的折射率为1.7,与稳定的α-Al2O3体材料相当. 展开更多
关键词 等离子体源 磁控溅射沉积 al2o3薄膜 氧化铝薄膜 折射率 结构 光学性能
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