高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征（英文）

利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.

GaAs基980 nm高功率半导体激光器的研究进展

GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性。本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展,介绍了高功率半导体激光器的外延结构、芯片结构和封装结构设计,重点阐述了影响高功率GaAs基量子阱激光器光电性能、散热和实际应用的问题。针对以上问题讨论了相应解决方案及研究成果,并指出了各个方案的不足之处和改进方向。最后,总结了高功率半导体激光器的发展现状,对高功率半导体激光器发展方向进行了展望。

高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性

为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同 ,在p n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层 ,其厚度约为 0 1 μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响 ,在n+ GaAs衬底和n Al0 5Ga0 5As下包层间加一层n+ GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs GaAs大功率半导体激光器相比 ,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。 30 0 0h的恒流电老化结果表明 ,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降 。

国内首次成功制备GaAs基长波长激光器

近日，由半导体所半导体超晶格国家重点实验室牛智川研究员承担的GaAs基近红外波段半导体光电子材料生长和激光器研究项目获得重要突破。

n-GaAs基欧姆接触快速退火的研究

为了提高GaAs基半导体激光器的功率效率和可靠性,对GaAs基半导体激光器欧姆接触工艺条件进行了优化。进行了Ni/AuGe/Ni/Au/n-GaAs在380℃~460℃快速退火温度和40s^80s快速退火时间下欧姆接触的实验研究,并利用矩形传输线模型法对比接触电阻进行了测试。结果表明:Ni/AuGe/Ni/Au/n-GaAs在420℃快速退火温度和60s快速退火时间下形成了较好的接触电阻率2.76×10-6Ω·cm2。

GaAs激光器几个物理量的测量

GaAs激光器是在很大的电流密度下工作的,因此器件的串联电阻(体电阻和接触电阻)对器件的性能有很大影响。为了得到尽可能小的串联电阻,首先必须判定GaAs和金属电极之间的接触是否是欧姆接触,并测出器件串联电阻的数值。