C离子对AlGaAs/InGaAs异质结的辐照影响

基于SRIM软件计算了不同能量的C离子在AlGaAs/InGaAs异质结中的平均投影射程和辐照损伤区,仿真了能量为500keV、800keV、1100keV的C离子入射到AlGaAs/InGaAs异质结中的能量损失情况,发现随着入射离子能量的增加,电离能比例增加,非电离能比例降低,入射离子产生的电离能损远大于反冲原子产生的电离能损,反冲原子产生的声子能损远多于入射离子产生的声子能损;通过仿真还发现,当C离子的能量为800keV时,辐照损伤区在异质结处且在异质结处产生的空位缺陷最多。

高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管

利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频率 fmax大于 5 0 GHz,连续波功率测量表明 :在 1d B增益压缩时 ,单指 HBT可以提供 10 0 m W输出功率 ,对应的功率密度为 6 .6 7W/ m m,功率饱和时最大输出功率 112 m W,对应功率密度为 7.48W/ m m,功率附加效率为 6 7%

InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器的研究

利用金属有机化合物气相沉积 (MOCVD)技术 ,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器 ,其有源区采用了分别限制单量子阱结构 (SCH -SQW) ,利用该材料做出的半导体激光器的连续输出功率大于 1W ,峰值波长 91 0nm± 2nm。

用于量子化霍尔电阻标准的GaAs／AlGaAs异质结二维电子气结构

设计并利用分子束外延生长了GaAs／AlGaAs异质结结构，以制作应用于中国电阻基准的量子化霍尔电阻器件。报道了这种制作量子化霍尔电阻器件的步骤及结果，讨论了利用77K下二维电子气的载流子浓度和迁移率数据初步判断其是否适合用于量子化霍尔电阻标准的方法和该方法的局限性。

分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用(英文)

用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有 In Ga As/Ga As双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益 HFET。

微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管

利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电流增益大于 10 ,失调电压 (Offsetvoltage)2 0 0mV ;电流增益截止频率fT 大于 30GHz,最高振荡频率fmax约为 5 0GHz.

AlGaAs／GaAs缓变异质结双极晶体管空间电行区中的复合电流

本文建立了包括空间电荷区复合电流在内的缓变异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的分析模型．对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ特性的分析表明，缓变发射结虽可有效地消除导带边的势垒尖峰，但也会大大增加空间电荷区中的复合，导致小电流情况下电流增益的明显下降．发射结界面附近的不掺杂隔离层会进一步增大空间电荷区内的复合，加剧电流增益的下降．因此在器件的设计和制作过程中，应精确控制组分缓变区和不掺杂隔离层的厚度，以减小空间电荷区中的复合电流，获得较好的器件特性．

γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度（τ/τ0）讨论了有关结果。

自对准AlGaAs/GaAs微波异质结双极晶体管(HBT)

本文提出了一种制作HBT采用的垂直台面结构自对准工艺.利用该工艺及对A1GaAs/GaAs具有高选择比的化学湿法腐蚀剂,已研制成微波HBT.发射区台面与基极电极间隙为0.1μm,最大直流电流增益为40,截止频率f_T为10GHz.

热电子注入AlGaAs/GaAs异质结Gunn二极管的实验研究

利用能谷间电子转移效应的Gunn二极管问世已二十余年,至今仍是微波,尤其是毫米波领域中最主要的有源器件之一.但是传统的Gunn二极管在短毫米波范围使用时,由于载流子以“冷”态随机地进入有源区,因而存在“死区”,使短毫米波器件中有源区的利用率明显降低,造成效率下降;而且这种随机分布的“冷”电子转变为“热”

InP/InGaAs异质结双极晶体管研究

阐述了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ异质结双极晶体管的最新发展动态。

GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应

本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成的二维激子效应,解释了H线的实验结果。并讨论了不同外延生长的异质结与界面有关的发光行为。

短波红外阈场助式光电阴极p-InGaAs/p-InP异质结设计与仿真

针对一种短波红外阈透射式光阴极,简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后,结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模,详细研究了场助电压对p-p型异质结能带结构和对短波红外阈透射式光电阴极的影响。研究结果显示:Schottky势垒偏压至少要达到8 V才能较好消除p-In Ga As/p-In P异质结的势垒影响。此时,为达到较小的漏电流,In0.53Ga0.47As光吸收层厚度2μm,In P发射层厚度1μm,掺杂浓度均为1×1016 cm-3。

相场法模拟GaAs衬底上InGaAs异质结表面形貌

本工作采用相场法模拟GaAs衬底上生长的In_(0.3)Ga_(0.7)As多层异质结构薄膜表面。通过引入多序参量,使用半隐性傅里叶谱方法求解Cahn-Hilliard方程可以求得带缓冲层结构的薄膜表面形貌。计算结果模拟了薄膜生长过程,研究显示,使用In0.15-Ga0.85As缓冲层,厚度从1nm增加到4nm,薄膜表面临界波长从34nm提升到80nm。随着缓冲层的厚度从1nm增加到10nm,使用正弦波表面的模拟结果显示,薄膜表面粗糙度从2.87nm下降到0.43nm,随机叠加波表面的模拟结果也类似,表面粗糙度从1.21nm下降到0.18nm。热力学分析和应变分布分析可以解释缓冲层对薄膜表面形貌演化的作用。该模拟计算方式对设计缓冲层结构有很大的帮助,模拟计算的结果可以与实验相比对。

双基区条准平面型InAlAs/InGaAs异质结双极型晶体管

本文提出和制作了双基区条准平面InAIAs/InGaAs HBT.准平面和低基区电阻是该设计的主要特点.文中介绍了制管工艺.直流特性的测量表明,器件的共发射极增益h_(fe)为50左右.

用液相外延技术制备单异质结AlGaAs/InGaP红色发光LED

采用超冷技术的液相外延方法在 n-型GaAs 衬底上生长了高质量掺 Te 的 Al_(0.7)Ga_(0.3)As/掺 Mg 的 ln_(0.5)Ga_(0.5)P 单异质结发光二极管。详细地介绍了未掺杂及 Mg 和Zn 掺杂的 ln_(0.5)Ga_(0.5)P 层的生长条件和特性。当 Mg 掺杂层中的空穴浓度为1×10^(18)cm^(-3)时光致发光强度最高。用电子束诱导电流,电流—电压测量,电致发光,光输出功率和外量子效率等评价了用异质结制备的二极管的特性。适当地控制 Mg 掺杂 ln_(0.5)Ga_(0.5)P 有源层的空穴浓度和 Te 掺杂 Al_(0.7)Ga_(0.3)As 窗口层的电子浓度,可使 p—n 结准确地定位在金属结上,p—n 结的定位由电子束诱导电流技术测量。通过电流—电压测量,获得了理想系数为1.65的1.5V 正向导通电压和高于20V 的击穿电压。在20mA 时, 发射峰值波长和电致发光光谱峰值和半最大值时的全宽度分别为6650和250(?)。用100mA DC 驱动时,未封装二极管的光输出功率达150μW,外量子效率为0.085％-0.10％。

我国研制成功面向3mm波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管

近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3mm波段的InGaAs／InP双异质结双极型晶体管。

发射极-基极-发射极结构PNP型AlGaAs/GaAsHBT电流增益的理论分析

建立了 PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型 .理论分析了发射极 -基极 -发射极布局的PNP型 HBT的电流增益 .讨论了不同基极电流成分 ,如外基区表面复合电流 ,基极接触处的界面复合电流 ,基区体内复合电流 。

1．3μm InGaAsp／Inp DCC结构薄夹层厚度对激光器阈值和T_0值的影响

研究了１．３μｍＩｎＧａＡｓｐ／ＩｎｐＤＣＣ结构中间夹层厚度对激光器阈值和Ｔ０值的影响，并得到了最佳的夹层厚度．

MBE生长的高性能MDAlGaAs/GaAs结构材料

本文报道了用国产MBE装置和源材料生长调制掺杂(MD)AlGaAs/GaAs结构材料,用霍耳效应、光荧光测量材料的电学和光学性能,用电化学C-V检测分布特性,用电光检测法评估材料的均匀性。用该材料研制栅长0.5μm的HEMT器件,其跨导为200mS/mm,12GHz下的噪声系数达到0.76dB,相关增益6.5dB。