GB/T 43885《碳化硅外延片》标准解读

碳化硅外延片具有宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速率、高热导率等优异的电学性能,特别适用于制作大功率、高频、高温及抗辐射电子器件,在太阳能风能发电、轨道交通、智能电网、电动汽车等领域具有广泛的应用,该标准的制定对规范碳化硅外延片的各项技术指标,确保国内碳化硅外延片整体的研发和产业化水平紧紧跟随国际发展趋势,保障国产供应链安全,有着举足轻重的意义。

多片平板硅外延机台均匀性提升研究

论述了多片平板硅外延机台影响外延层均匀性的因素,通过试验验证影响因素,得出了控制这些因素的方法及条件。

晶湛半导体GaN外延片生产扩建项目竣工验收

近日,据“独墅湖科创区发布”官微消息,晶湛半导体氮化镓(GaN)外延片生产扩建项目已于2024年1月15日取得竣工验收备案证。据悉,该项目占地面积16.5亩,总建筑面积2.2万平方米,总投资2.8亿元,预计年产6英寸GaN外延片12万片,8英寸GaN外延片12万片。

募资35亿!这家SiC外延片企业申请上市

2023年12月29日,上海证券交易所审核受理了11家公司的IPO申请,其中包括SiC外延头部企业瀚天天成的IPO申请。瀚天天成为宽禁带半导体(第三代半导体)外延晶片提供商,主要从事碳化硅外延晶片的研发、生产及销售,产品用于制备碳化硅功率器件,被广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网及航空航天等领域。

电化学C-V测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度的分布

在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AIGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液——0.5 mol HCI溶液.综合利用平带电位值(F.B.P)、耗散因子和测量电流等3个测量判据,合理选取测量电压、腐蚀电流等测量参数,获得了速度快、重复性好和数据准确可靠的测试效果.

AlGaInP橙光、黄光高亮度LED外延片研制

80年代末期以来,用MOCVD生长的异质结、量子阱和超晶格材料日益显示出它在技术上的重要性,用其制作的LED具有常规器件无法比拟的优异性能,并且以全新的概念改变了器件的设计思想,使得半导体器件设计由“掺杂工程”走向“能带工程”,高级器件的制作越来越倚重于材料结构生长了。 汇能公司是中国节能投资总公司与信息产业部第十三研究所合资兴办的一家高科技公司。该公司于1998年投资从德国AIXTRON公司购买了一台AIXTRON-2400型MOCVD设备,用于生长高亮度发光二极管(LED)

单晶外延片生产中的应急风险管理分析

阐述单晶外延片制造企业的生产管理特点,提出完善单晶外延片制造企业生产设备中的安全装置、建立完善良好的应急管理体系、完善监督管理机制的策略。

首片国产8英寸蓝宝石衬底GaN HEMTs晶圆发布!

4月10日,在2024武汉九峰山论坛上,西安37电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关,首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。据李祥东教授在会上介绍,通过调控外延工艺,其GaN外延片不均匀性控制在4%以内,所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%,击穿电压轻松突破2000V。

氮化外延厂瑞典企业SweGaN宣布已开始出货

8月13日,瑞典企业SweGaN宣布,公司生产碳化硅基氮化镓(GaN onSiC)晶圆的新工厂已开始出货,产品将用于下一代5G先进网络高功率射频应用。资料显示,SweGaN新工厂位于瑞典林雪平,于2023年3月动工建设,可年产4万片4/6英寸碳化硅基氮化镓外延片。SweGaN表示,旗下新工厂开始出货标志着公司从一家无晶圆厂设计厂商,正式转型为一家半导体制造商。

埃特曼半导体:GaN外延工厂开业

5月17日,据“投资厦门”官微消息,埃特曼(厦门)光电科技有限公司已于13日在集美明盛高新产业园举行了埃特曼厦门外延工厂开业仪式。据透露,该工厂是埃特曼半导体打造的第二个示范外延工厂,将布局14台MBE设备,其中包含8台先进的1400型号Hybrid-MBE,该设备可大幅提升外延片产能,为射频、功率器件提供高性能、低成本的GaN外延片。

宇腾科技:GaN外延开始生产

5月19日,据铜川日报消息,陕西宇腾电子科技有限公司氮化镓外延片生产项目已步入新阶段。据悉,宇腾科技氮化镓外延片已进入生产阶段,产品已供华为海思等多家客户认证,目前是西部地区唯一一家氮化镓外延片生产企业。2021年,宇腾科技氮化镓第三代半导体外延片项目作为市级重点招商引资项目签约落户陕西铜川,项目总投资6.8亿元,该项目拟分四期投入,建设年限4年,建置投产共20条外延生产线;2020年10月,该项目开工建设。

8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法

8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分布可有效提高晶圆的良率水平。通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的"碗状"分布,但调整温区幅度不得超过滑移线的温度门槛值。通过提高边缘温度来提高边缘10 mm和6 mm的电阻率,同时提高生长速率以提高边缘3 mm的电阻率,获得外延层电阻率的"碗状"分布,8英寸薄层硅外延片的的边缘离散现象得到明显改善,产品良率也有由原来的94%提升至98.5%,进一步提升了8英寸薄层硅外延片产业化良率水平。

重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备

超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原子耗尽层,有效减少了重掺As硅衬底的自掺效应。同时应用低温外延技术、无HCl抛光技术,研制出超高阻薄层硅外延片,外延层电阻率为1093Ω·cm,外延层厚度为12.06μm,满足外延层厚度(12±1)μm、外延层电阻率大于1000Ω·cm的设计要求,片内电阻率不均匀性为4.36%,片内厚度不均匀性为0.5%。外延片已用于批量生产。

AlGaInP/GaAs外延层的倒易空间图分析

介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲等方面的信息,为优化AlGaInP四元系发光二极管的外延工艺提供了更丰富的信息.

具有三层复合结构的P型硅外延片制备工艺研究

对10.16 cm(4英寸)三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P^-/P^+/P/P^+型硅外延层。通过FT-IR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等测试方法对各层外延的电学参数以及过渡区形貌进行了测试,最终得到结晶质量良好、厚度不均匀性<3%、电阻率不均匀性<3%、各界面过渡区形貌陡峭的P型硅外延片,可以满足器件使用的要求。

LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究

介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 （≤３００ｎｍ ） 和蓝光 （４８８ｎｍ ） 激发方式， 在室温下， 有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ （掺氮ＧａＰ晶片） 的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｃｒ （以Ｆｅ 为主） 紫外荧光 （ＵＶＦ） 谱的实测数据的相关性，

基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试

介绍半导体外延片霍尔效应测试的理论和方法,利用霍尔效应测试可以更好地研究半导体材料电学性能,在外延片的研制过程中测试外延层的载流子浓度,利用范德堡法测试电阻率以及载流子迁移率等参数。

用光反射测试方法检测的硅抛光片和外延片表面的图谱

利用检测半导体硅抛光片及硅外延片表面缺陷的光反射法（魔镜法）［1］，观测到了二十余种硅抛光片及硅外延片表面缺陷的图样．本文报道了部份图样．

300mm直径硅外延片均匀性控制方法

随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一。使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片。相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面的5个区域的气流进行调节,实现单独分区调控,从而提升了外延层厚度均匀性的可调性。实验中,采用两步外延方法,进一步提升了片内电阻率均匀性。通过对工艺参数进行优化,300 mm硅外延片的外延层厚度不均匀性达到0.8%,电阻率不均匀性为1.62%(边缘排除5 mm),成功提升了300 mm直径硅外延片的外延层厚度和电阻率均匀性控制水平。

200 mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控

研究了影响垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)器件用200mm硅外延片厚度和电阻率等参数均匀性的关键因素。采用Centura型常压单片式外延炉,系统研究了生长温度、温度梯度、载气流量以及自掺杂抑制措施对200mm外延层表面质量、厚度、电阻率均匀性的影响机制。结果表明,在载气总流量为80L/min、外延生长温度为1125℃的条件下,通过设计2μm的基座浅层包硅厚度,以及高达6μm/min的生长速率等多项自掺杂抑制措施,成功使同一热流场系统内薄层和厚层硅外延片均达到片内厚度不均匀性小于1.0%、电阻率不均匀性小于1.5%的水平,满足VDMOS器件的使用要求。