磁控溅射AlN:Mg/ZnO:Al异质结二极管及其光电特性的研究

利用磁控溅射方法,在ITO玻璃基底上分别溅射镁掺杂的氮化铝(AlN:Mg)薄膜、铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al或AZO)薄膜,成功制备AlN:Mg/ZnO:Al透明异质结二极管。实验结果表明:AlN:Mg/ZnO:Al异质结具有明显的I-V整流特性,正向开启电压1 V左右,在氙灯光照下,二极管的反向电流在5V偏置时达到3mA。二极管在可见光区域的平均透过率在80%以上,适用于太阳电池的窗口层的研究。