AlN-SiC微波衰减材料的高频介电性能研究

分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料。采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构。研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98%,介电性能在X波段ε'为14.01～13.98,tgδ为0.158～0.163,在Ku波段ε'为11.48～10.96,tgδ为0.18～0.17;采用无压烧结制备的样品密度仅为理论密度的95%,在X波段的ε'为26.97～24.26,tgδ为0.326～0.327。探讨了两种烧结方式制备样品的损耗机理。

固溶体技术用于AlN-SiC微波衰减材料改性

结合AlN SiC二元系相图的理论分析 ,提出了利用固溶体技术实现AlN SiC微波衰减材料性能优化的研究思路 ;采用热压烧结工艺 ,通过合理的烧结温度及保温时间的控制 ,制备了性能优异的AlN SiC微波衰减材料。通过XRD、SEM、网络分析仪等测试手段 ,研究了材料的显微结构 (晶粒尺寸和晶粒形状等 )对材料微波衰减性能的影响 ,结果表明 ,AlN SiC局部固溶体具有广频衰减特性 ,而AlN SiC均质固溶体具有选频衰减特性 ;并初步探讨了AlN

TiO_2添加剂对AlN-C复相材料微波衰减性能的影响

在AlN-C复相材料中加入TiO_2,采用热压工艺,制备了性能优异的AlN-C-TiO_2复相微波衰减材料。通过矢量网络分析仪、SEM等测试手段,研究了AlN-C复相材料微波衰减性能与石墨(C)含量之间的关系,以及添加剂TiO_2对AlN-C复相材料微波衰减特性和显微结构的影响。结果表明,石墨是良好的宽频微波衰减剂,对衰减频谱曲线特征起决定作用;TiO_2的添加大大促进了AlN-C复相材料的烧结性能。初步探讨了AlN-C-TiO_2复相材料的微波衰减机理,极化损耗、介电损耗是其主要的微波衰减机理。

AlN-SiC复合超细粉制备技术的研究进展

综述了国内外AlN-SiC复合超细粉制备方法的研究进展,着重阐述了化学合成法,包括溶胶-凝胶法、碳热还原氮化法、自蔓延高温合成法及化学气相沉积法(CVD)等的研究状况,并对不同制备工艺的优缺点进行了评述。结合本实验室的研完成果,认为原位化学反应合成工艺是今后制备AlN-SiC复合超细粉的发展趋势,并介绍了该领域的最新发展动态。