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AlN基板材料研究进展 被引量:23
1
作者 孟献丰 陆春华 +1 位作者 倪亚茹 许仲梓 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第3期35-37,共3页
氮化铝基板因具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等优良的物理性能,被誉为新一代理想基板材料。详细综述了AlN板的国内外研究现状及其导热机理;介绍并分析了基片制备的工艺流程和影响因素;概括总结了AlN基板的金属化和... 氮化铝基板因具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等优良的物理性能,被誉为新一代理想基板材料。详细综述了AlN板的国内外研究现状及其导热机理;介绍并分析了基片制备的工艺流程和影响因素;概括总结了AlN基板的金属化和烧结工艺方面的研究进展;展望了AlN基板的发展趋势和前景。 展开更多
关键词 aln基板材料 研究进展 导热机理 金属化 烧结 氮化铝 集成电路 制备
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高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展 被引量:10
2
作者 陈贵巧 李晓云 丘泰 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期321-324,共4页
本文主要综述国内外高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展。具有优良微波衰减性能的材料体系有两种:氮化铝-导体复相微波衰减陶瓷和氮化铝-半导体复相微波衰减陶瓷。氮化铝-导体复相衰减陶瓷包括AlN-金属复相陶瓷、AlN-石墨复相陶瓷、... 本文主要综述国内外高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展。具有优良微波衰减性能的材料体系有两种:氮化铝-导体复相微波衰减陶瓷和氮化铝-半导体复相微波衰减陶瓷。氮化铝-导体复相衰减陶瓷包括AlN-金属复相陶瓷、AlN-石墨复相陶瓷、AlN-金属氮化物复相陶瓷。其中AlN-金属复相陶瓷因具有优良的高导热性能及微波衰减调节性能,成为今后微波衰减材料的主要研究方向。 展开更多
关键词 高导热 aln基 微波衰减
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碳纳米管分散增强AlN基复合材料的力学性能及增韧机制研究 被引量:4
3
作者 王娟 陈阳明 +1 位作者 钱刚 凤仪 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第10期1325-1329,共5页
文章以氮化铝(AlN)粉末为基体材料,以氧化钙(CaO)和氧化钇(Y2O3)为烧结助剂,掺杂酸洗处理后的多壁碳纳米管(CNTs)为增韧材料,采用机械球磨后热压烧结的方法制备氮化铝-碳纳米管(AlN-CNTs)复合材料。通过X射线衍射仪(X-ray diffraction,X... 文章以氮化铝(AlN)粉末为基体材料,以氧化钙(CaO)和氧化钇(Y2O3)为烧结助剂,掺杂酸洗处理后的多壁碳纳米管(CNTs)为增韧材料,采用机械球磨后热压烧结的方法制备氮化铝-碳纳米管(AlN-CNTs)复合材料。通过X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)和扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)对AlN-CNTs复合材料的成分结构及微观形貌进行表征,并测试其物理力学性能。研究表明:随着烧结温度的升高,AlN-CNTs复合材料的力学性能也随之提升;在1750℃的烧结温度下,随着碳纳米管质量分数的增加,AlN-CNTs复合材料的抗弯强度和断裂韧性先上升后下降,且当碳纳米管质量分数为1%时复合材料的力学性能最佳。碳纳米管在AlN-CNTs复合材料中的增韧机制主要是碳纳米管的拔出、碳纳米管的桥连和裂纹的偏转。 展开更多
关键词 aln基复合材料 碳纳米管(CNTs) 烧结温度 力学性能 增韧机制
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蓝宝石上AlN基板的MOCVD外延生长 被引量:2
4
作者 李艳炯 方亮 +4 位作者 赵红 赵文伯 周勇 杨晓波 周勋 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期895-898,共4页
结合AlN成核缓冲层技术和NH3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN基板,用扫描电镜、原子力显微镜及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板无裂纹,其平均粗糙度为0.35nm,(0002)和(1012)回摆曲线FWHM分别为3... 结合AlN成核缓冲层技术和NH3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN基板,用扫描电镜、原子力显微镜及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板无裂纹,其平均粗糙度为0.35nm,(0002)和(1012)回摆曲线FWHM分别为37″和712″。详细论述了AlN基板的生长模式、位错行为和应力释放途径。 展开更多
关键词 aln基 MOCVD 原子力显微镜 X射线衍射
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AlN基板材料研究进展 被引量:6
5
作者 孟献丰 朱宏 《陶瓷研究与职业教育》 2003年第1期41-45,共5页
氮化铝 (AlN)以其优异的高热导率、低介电常数、与Si相匹配的热膨胀系数及其它优良的物理化学性能受到了国内外学术界和生产厂家的广泛关注 ,被誉为新一代高密度封装的理想基板材料。详细综述了AlN基板在导热机理、基片制备、金属化和... 氮化铝 (AlN)以其优异的高热导率、低介电常数、与Si相匹配的热膨胀系数及其它优良的物理化学性能受到了国内外学术界和生产厂家的广泛关注 ,被誉为新一代高密度封装的理想基板材料。详细综述了AlN基板在导热机理、基片制备、金属化和烧结工艺方面的研究进展 ,展望了AlN基板的发展趋势和前景。 展开更多
关键词 aln基板材料 研究进展 氮化铝 高热导率 低介电常数 导热机理 新型电子陶瓷
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低介电损耗AlN陶瓷及BN-AlN基陶瓷材料研究 被引量:2
6
作者 张巨先 《真空电子技术》 2009年第4期50-53,68,共5页
首先利用化学工艺制备出烧结助剂Y2O3均匀混合的AlN粉体及BN均匀包覆AlN的复合粉体。利用无压烧结制备出AlN陶瓷及BN-AlN基复相陶瓷。通过对陶瓷显微结构、热性能及微波介电性能的研究发现,通过化学工艺,将BN包覆到AlN粉体表面,制备出... 首先利用化学工艺制备出烧结助剂Y2O3均匀混合的AlN粉体及BN均匀包覆AlN的复合粉体。利用无压烧结制备出AlN陶瓷及BN-AlN基复相陶瓷。通过对陶瓷显微结构、热性能及微波介电性能的研究发现,通过化学工艺,将BN包覆到AlN粉体表面,制备出显微结构均匀的AlN-20%BN(质量比)复相陶,其热导率为78.1 W/m.K,在Ka波段介电常数为7.2、介电损耗最小值为13×10-4;通过材料化学工艺,将烧结助剂Y2O3均匀添加到AlN基体中,制备出热导率为154.2W/m.K,在Ka波段介电常数为8.5、介电损耗最小值为9.3×10-4的AlN陶瓷材料。 展开更多
关键词 aln陶瓷 BN—aln基复相陶瓷 低介电损耗 化学工艺
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AlN基板用厚膜浆料发展评述 被引量:1
7
作者 罗庭碧 张晓民 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期5-8,共4页
介绍了AlN基片所用厚膜浆料的产品性能。从金属粉体的制备,粘结方式探索和烧结工艺的改进等方面综述了该领域的研究进展。目前粉体制备还是以化学还原为主。粘结方式中,玻璃相粘结具有较高的可靠性;反应粘结因导热性和热应力等方面的优... 介绍了AlN基片所用厚膜浆料的产品性能。从金属粉体的制备,粘结方式探索和烧结工艺的改进等方面综述了该领域的研究进展。目前粉体制备还是以化学还原为主。粘结方式中,玻璃相粘结具有较高的可靠性;反应粘结因导热性和热应力等方面的优势,使其成为AlN基板厚膜浆料粘结的重要方式。 展开更多
关键词 电子技术 厚膜浆料 综述 aln基 金属粉体 粘结方式 烧结工艺
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AlN基衰减瓷的制备工艺及其性能研究 被引量:3
8
作者 陈昀 梁田 +2 位作者 杨磊 刘洋 任重 《真空电子技术》 2017年第5期24-26,共3页
采用热压烧结工艺,通过实验确定了烧结温度和压力,制备出AlN基衰减瓷。对材料的物理性能进行测试,热导率大于50 W/mK,抗折强度大于360 MPa。同时从工程化应用的角度出发,对衰减瓷的匹配特性和衰减量进行了测试,驻波比小于1.2,隔离度小于... 采用热压烧结工艺,通过实验确定了烧结温度和压力,制备出AlN基衰减瓷。对材料的物理性能进行测试,热导率大于50 W/mK,抗折强度大于360 MPa。同时从工程化应用的角度出发,对衰减瓷的匹配特性和衰减量进行了测试,驻波比小于1.2,隔离度小于-70dB。 展开更多
关键词 aln基衰减瓷 制备工艺 性能测试
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Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究
9
作者 邓咏桢 郑有炓 +9 位作者 周春红 孔月婵 陈鹏 叶建东 顾书林 沈波 张荣 江若琏 韩平 施毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1109-1113,共5页
通过 PL 谱和 Raman谱对 MOCVD生长 Si基 Al N的深陷阱中心进行了研究 ,发现三个深能级 Et1 ,Et2 ,Et3,分别在 Ev 上 2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位 (或 Al间隙原子 )能级峰位靠近重合共同引起的 ,Et2 、Et3都是由于衬... 通过 PL 谱和 Raman谱对 MOCVD生长 Si基 Al N的深陷阱中心进行了研究 ,发现三个深能级 Et1 ,Et2 ,Et3,分别在 Ev 上 2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位 (或 Al间隙原子 )能级峰位靠近重合共同引起的 ,Et2 、Et3都是由于衬底 Si原子扩散到 Al N引起的 .在 Si浓度较低时 ,Si主要以取代 Al原子的方式存在 ,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时 ,部分 Si原子以取代 N原子位置的方式存在 ,形成深陷阱中心 Et3.实验还表明 ,即使经高温长时间退火 ,Al N中 Et1 和 Et2 展开更多
关键词 Sialn 深陷阱中心 PL谱
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电子封装用高导热AlN陶瓷基板研究进展 被引量:2
10
作者 郑瑞剑 魏鑫 +5 位作者 张浩 汤志桓 许海仙 崔嵩 李京伟 汤文明 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期1-14,49,共15页
高导热AlN陶瓷是新型功率电子器件重要的基板材料,在5G通讯、微波TR组件、IGBT模块等高端电子器件领域具有广泛的应用。综述了国内外电子封装用高导热AlN陶瓷基板及其制备技术的研究进展。探讨了晶格氧、非晶层、AlN晶粒尺寸、晶界相及... 高导热AlN陶瓷是新型功率电子器件重要的基板材料,在5G通讯、微波TR组件、IGBT模块等高端电子器件领域具有广泛的应用。综述了国内外电子封装用高导热AlN陶瓷基板及其制备技术的研究进展。探讨了晶格氧、非晶层、AlN晶粒尺寸、晶界相及气孔等微结构因素对AlN陶瓷热导率的影响。提出选用高纯超细AlN粉体原料,合理选取烧结助剂的类型与添加量,优化排胶、高温烧结与热处理工艺是改善AlN陶瓷结构,实现AlN陶瓷热导率提升的有效途径。 展开更多
关键词 电子封装 aln陶瓷 热导率 显微结构 制备技术
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瓦片式TR组件用AlN陶瓷基板制造工艺研究 被引量:4
11
作者 王颖麟 钱超 +1 位作者 李俊 赵明 《电子工艺技术》 2020年第4期208-210,229,共4页
AlN(氮化铝)多层基板技术可实现瓦片式TR组件的高可靠和高密度集成。针对瓦片式TR组件对高导热、高布线密度需求,研究了高温共烧多层AlN基板制造的关键工艺,主要包括高精度层叠工艺、烧结工艺、表面镀覆工艺等。通过优化工艺参数,制作... AlN(氮化铝)多层基板技术可实现瓦片式TR组件的高可靠和高密度集成。针对瓦片式TR组件对高导热、高布线密度需求,研究了高温共烧多层AlN基板制造的关键工艺,主要包括高精度层叠工艺、烧结工艺、表面镀覆工艺等。通过优化工艺参数,制作了微波传输线测试用AlN基板样件和瓦片式TR组件用AlN基板。对样件的电性能和物理性能进行测试,满足瓦片式TR组件使用要求。 展开更多
关键词 TR组件 瓦片式 aln陶瓷 多层共烧
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AlN的厚膜铜金属化及其结合机理 被引量:2
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作者 张鹏飞 傅仁利 +1 位作者 陈寰贝 梁秋实 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期204-210,共7页
采用反应厚膜法实现了AlN基板表面的铜金属化,借助SEM、XRD分别对烧结后的厚膜层、还原后的铜金属化层以及界面层的成分和形貌进行了研究;测试了不同烧结温度下金属化基板的敷接强度,并探究了界面层的形成过程以及对敷接强度的影响。结... 采用反应厚膜法实现了AlN基板表面的铜金属化,借助SEM、XRD分别对烧结后的厚膜层、还原后的铜金属化层以及界面层的成分和形貌进行了研究;测试了不同烧结温度下金属化基板的敷接强度,并探究了界面层的形成过程以及对敷接强度的影响。结果表明:烧结过后,厚膜层的主要成分是CuO和Cu_2O;经过还原处理后,其表面成分转变为金属Cu;同时,随着烧结温度的上升,烧结后的厚膜层和还原后的金属化层的致密度均呈现先增加后降低的趋势,金属化铜层与基板之间的敷接强度也呈现相同的变化趋势。另外,在金属化铜层和AlN基板之间存在界面化合物,其主要成分是Cu_2O和中间化合物(CuAlO_2和CuAl_2O_4),其中,Cu_2O对敷接强度不利,而尖晶石结构的CuAl_2O_4和细小薄片状的CuAlO_2对敷接强度的有利。 展开更多
关键词 aln基 厚膜金属化 敷接强度 中间化合物
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两种热电分离式基板导热性能的对比研究 被引量:3
13
作者 秦典成 肖永龙 《电子器件》 CAS 北大核心 2019年第1期66-69,共4页
基于热电分离式设计理念,开发出FR4/Cu与FR4/AlN两种高导热散热基板,并利用SMT工艺将13 W的Osram S2W型LED灯珠分别与上述两种散热基板焊接后组装成LED模组;利用半导体制冷温控台恒定散热基板底部温度后,使用结温测试仪对LED的结温进行... 基于热电分离式设计理念,开发出FR4/Cu与FR4/AlN两种高导热散热基板,并利用SMT工艺将13 W的Osram S2W型LED灯珠分别与上述两种散热基板焊接后组装成LED模组;利用半导体制冷温控台恒定散热基板底部温度后,使用结温测试仪对LED的结温进行了测试。同时借助直流电源和积分球分别对LED的总功率和光功率进行了测量后得到了模组的热功率值。最后根据LED结温测试结果与热功率值计算得出了模组的热阻值,并在此基础上对两种基板的散热性能进行了对比研究。结果表明,FR4/AlN基板的散热性能较之FR4/Cu基板稍逊。当使用FR4/Cu基板散热时,LED的结温和热阻分别是49.72℃、2.21℃/W。当使用FR4/AlN基板散热时,LED的结温和热阻分别是51.32℃、2.32℃/W。 展开更多
关键词 热电分离 LED 模组 FR4/Cu FR4/aln基 结温 热阻 散热性能
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一种基于顶部热沉的混合集成电源结构设计
14
作者 杨正男 王勇 +2 位作者 欧长江 胡梅 张雨萌 《电子技术应用》 2022年第10期40-42,共3页
介绍了一种基于顶部热沉的混合集成电源结构设计,该电源结构的载体为ALN陶瓷基板,内部采用多层布线结构,功率芯片植球后倒扣焊到陶瓷基板的焊盘上,无源器件采用高温焊料焊接在陶瓷基板焊盘上,顶部的热沉通过有机胶与陶瓷基板的边缘粘接... 介绍了一种基于顶部热沉的混合集成电源结构设计,该电源结构的载体为ALN陶瓷基板,内部采用多层布线结构,功率芯片植球后倒扣焊到陶瓷基板的焊盘上,无源器件采用高温焊料焊接在陶瓷基板焊盘上,顶部的热沉通过有机胶与陶瓷基板的边缘粘接,热沉和芯片背面、电感顶部之间采用导热胶填充,以提高芯片和电感的散热效果。该结构在抗辐射负载点电源中应用,验证了该方案的可行性。 展开更多
关键词 顶部热沉 aln陶瓷 倒扣焊 负载点电源
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IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究
15
作者 侯美珍 《电子产品世界》 2022年第12期94-96,100,共4页
针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析,着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环,分析结果可知,活性金属钎焊法制备... 针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析,着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环,分析结果可知,活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板,剥离强度25 MPa,(-40~150)℃热循环达到1500次,能耐1200 A/3.3 kV功率循环测试7万次,满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。 展开更多
关键词 IGBT aln陶瓷 金属化 可靠性应用
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Improvement of high-temperature strength of 6061 Al matrix composite reinforced by dual-phased nano-AlN and submicron-Al_(2)O_(3)particles 被引量:4
16
作者 Ke-wei XIE Jin-feng NIE +2 位作者 Kai-qi HU Xia MA Xiang-fa LIU 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第10期3197-3211,共15页
Nano-AlN and submicron-Al_(2)O_(3) particles were simultaneously utilized in a 6061 Al matrix composite to improve the high-temperature strength.According to the SEM and TEM characterization,nano-AlN and submicron-Al_... Nano-AlN and submicron-Al_(2)O_(3) particles were simultaneously utilized in a 6061 Al matrix composite to improve the high-temperature strength.According to the SEM and TEM characterization,nano-AlN and submicron-Al_(2)O_(3) particles are uniformly distributed in the Al matrix.Brinell hardness results indicate that different from the traditional 6061 Al matrix alloy,the aging kinetics of the composite is obviously accelerated by the reinforcement particles.The T6-treated composite exhibits excellent tensile properties at both room temperature and elevated temperature.Especially at 350℃,the T6-treated composite not only has a high yield strength of 121 MPa and ultimate tensile strength of 128 MPa,but also exhibits a large elongation of 11.6%.Different strengthening mechanisms of nano-AlN and submicron-Al_(2)O_(3) particles were also discussed in detail. 展开更多
关键词 6061 Al matrix composite nano-aln particles submicron-Al_(2)O_(3)particles high-temperature strength
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氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
17
作者 李磊 吴济钧 +1 位作者 李国刚 许立菊 《变频技术应用》 2015年第3期57-61,共5页
氮化铝(AlN)陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜(Cu)直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝(Al2O3)层后,就能借鉴Cu... 氮化铝(AlN)陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜(Cu)直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝(Al2O3)层后,就能借鉴Cu箔和Al2O3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例. 展开更多
关键词 氮化铝陶瓷覆铜板(aln DBC板) 高温氧化工艺 高温键合工艺 电力半导体模块 化学氧化工艺 铜箔 氮化铝陶瓷
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氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
18
作者 李磊 昊济钧 +1 位作者 李国刚 许立菊 《电源技术应用》 2015年第5期36-40,共5页
氮化铝(AlN)陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜(Cu)直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝(A1203)层后,就能借鉴Cu... 氮化铝(AlN)陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜(Cu)直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝(A1203)层后,就能借鉴Cu箔和A1203基片高温键合工艺制作性能优良的AlNDBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AINDBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AINDBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。 展开更多
关键词 氮化铝陶瓷覆铜板(aln DBC板) 高温氧化工艺 高温键合工艺 电力半导体模块 化学氧化工艺 铜箔 氮化铝陶瓷
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圆形IDT结构声表面波滤波器的设计与实现 被引量:1
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作者 王代强 姚祖铭 +3 位作者 陈雨青 杨发顺 龚红 刘桥 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期50-53,共4页
采用硅基AlN薄膜作为压电衬底,利用改进的δ函数模型对变迹加权圆形IDT结构进行建模仿真,根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,并在实验室制作了中心频率为300 MHz,带内插损8 dB的SAW带通滤波器样品。测试结果表明,其仿真结果与试验结果... 采用硅基AlN薄膜作为压电衬底,利用改进的δ函数模型对变迹加权圆形IDT结构进行建模仿真,根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,并在实验室制作了中心频率为300 MHz,带内插损8 dB的SAW带通滤波器样品。测试结果表明,其仿真结果与试验结果一致性较好。 展开更多
关键词 声表面波带通滤波器 变迹加权 圆形IDT结构 插入损耗 aln薄膜 Δ函数
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