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Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2活性封接AlN陶瓷
1
作者
李子曦
秦明礼
+1 位作者
曲选辉
张小勇
《真空电子技术》
2007年第4期59-62,共4页
研究了在真空条件下AlN陶瓷真空活性封接的情况,使用的活性焊料是Ag70-Cu28-Ti2熔炼焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/AlN接头达到了气密性要求(漏气速率小于1×10-10Pa.m3/s),平均强度值分别为1.49 ...
研究了在真空条件下AlN陶瓷真空活性封接的情况,使用的活性焊料是Ag70-Cu28-Ti2熔炼焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/AlN接头达到了气密性要求(漏气速率小于1×10-10Pa.m3/s),平均强度值分别为1.49 kN/cm2(抗弯)和2.00 kN/cm2(抗剪切)。通过扫描电镜及电子探针仪观察了焊层形貌和元素分布,分析了连接强度较高的原因。通过XRD确定了焊接的冶金结合及新相的生成。
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关键词
Ag-Cu-Ti活性合金焊料
aln封接
接
头强度
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职称材料
Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2活性钎料真空钎焊AlN-Cu的研究
被引量:
1
2
作者
李子曦
秦明礼
曲选辉
《真空电子技术》
2008年第1期40-44,共5页
研究了在真空条件下AlN/Cu活性钎焊的情况,使用的活性焊料是Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/Cu接头均达到了气密性要求(漏气速率<1×10^(-10)Pa·m^3/s),平均强度值分...
研究了在真空条件下AlN/Cu活性钎焊的情况,使用的活性焊料是Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/Cu接头均达到了气密性要求(漏气速率<1×10^(-10)Pa·m^3/s),平均强度值分别为182 Kg/cm^2(抗弯)和182 Kg/cm^2(抗剪切)。通过扫描电镜及电子探针仪观察了焊层形貌和元素分布,分析了连接强度较高的原因。通过XRD确定了焊接的冶金结合及新相的生成。
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关键词
Ag-Cu-Ti活性合金焊料
aln封接
接
头强度
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职称材料
题名
Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2活性封接AlN陶瓷
1
作者
李子曦
秦明礼
曲选辉
张小勇
机构
北京科技大学材料科学与工程学院
北京有色金属研究总院
出处
《真空电子技术》
2007年第4期59-62,共4页
文摘
研究了在真空条件下AlN陶瓷真空活性封接的情况,使用的活性焊料是Ag70-Cu28-Ti2熔炼焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/AlN接头达到了气密性要求(漏气速率小于1×10-10Pa.m3/s),平均强度值分别为1.49 kN/cm2(抗弯)和2.00 kN/cm2(抗剪切)。通过扫描电镜及电子探针仪观察了焊层形貌和元素分布,分析了连接强度较高的原因。通过XRD确定了焊接的冶金结合及新相的生成。
关键词
Ag-Cu-Ti活性合金焊料
aln封接
接
头强度
Keywords
Ag-Cu-Ti active filler metal
aln
active welding
Joint strength
分类号
TB756 [一般工业技术—真空技术]
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职称材料
题名
Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2活性钎料真空钎焊AlN-Cu的研究
被引量:
1
2
作者
李子曦
秦明礼
曲选辉
机构
北京科技大学材料科学与工程学院
出处
《真空电子技术》
2008年第1期40-44,共5页
文摘
研究了在真空条件下AlN/Cu活性钎焊的情况,使用的活性焊料是Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/Cu接头均达到了气密性要求(漏气速率<1×10^(-10)Pa·m^3/s),平均强度值分别为182 Kg/cm^2(抗弯)和182 Kg/cm^2(抗剪切)。通过扫描电镜及电子探针仪观察了焊层形貌和元素分布,分析了连接强度较高的原因。通过XRD确定了焊接的冶金结合及新相的生成。
关键词
Ag-Cu-Ti活性合金焊料
aln封接
接
头强度
Keywords
Ag-Cu-Ti active filler metal
aln
active welding
Joint strength
分类号
TG454 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2活性封接AlN陶瓷
李子曦
秦明礼
曲选辉
张小勇
《真空电子技术》
2007
0
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职称材料
2
Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2活性钎料真空钎焊AlN-Cu的研究
李子曦
秦明礼
曲选辉
《真空电子技术》
2008
1
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职称材料
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