AlGaN基深紫外LED光源灭活柯萨奇病毒研究

为探究在高温热处理AlN模板上制备的不同发光波长AlGaN基LED器件对病毒的灭活效率,本工作在发光波长257~294 nm范围内制备了7组不同发光波长AlGaN基深紫外LED器件,并探究其对柯萨奇病毒灭活效率。实验结果表明,高温热处理AlN模板可以将AlN模板位错密度降低至1.33×10^(7)cm^(-2),为制备高效率AlGaN基LED器件奠定了良好基础;基于高温热处理AlN模板制备的AlGaN基LED器件,在灭活距离2 cm、紫外辐照时间30 s实验条件下,发光中心波长在257~278 nm之间的AlGaN基LED器件对柯萨奇病毒灭活率≥99.90%,而发光中心波长为288 nm、294 nm的LED对柯萨奇病毒灭活率仅为99.47%及96.15%。根据以上研究结果,波长在257~278 nm之间的AlGaN基LED器件适合在病毒消杀领域应用;在本工作实验条件下,波长大于288 nm的AlGaN基深紫外LED器件对病毒灭活效果较差。

AlN/蓝宝石模板上生长的Al_(0.6)Ga_(0.4)N薄膜结构与光学性能研究

采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分Al0.6Ga0.4N薄膜,并采用高分辨率XRD(HRXRD)及阴极荧光(CL)方法对其进行了表征.结果表明,AlGaN薄膜产生了相分离,其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率.

溅射ScAlN对6英寸蓝宝石衬底上GaN HEMT的曲率影响

随着衬底尺寸的增大以及外延层厚度的增加,由晶格失配和热膨胀系数失配导致的晶圆弯曲和开裂的问题将越发突出。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术分别在AlN/蓝宝石衬底和ScAlN/蓝宝石衬底上外延生长了GaN,用原子力显微镜、X射线双晶衍射仪、拉曼光谱、弯曲度测试仪等设备进行了对比分析。实验结果表明,AlN/蓝宝石衬底和ScAlN/蓝宝石衬底上的GaN材料弯曲度值分别为52.6um和29.7um。相较于AlN/蓝宝石衬底,ScAlN/蓝宝石衬底上的GaN材料的弯曲度明显降低,更有利于外延材料生长及器件工艺制备。