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大面积超长氮化铝纳米线的制备及场发射特性研究 被引量:2
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作者 苏赞加 刘飞 +5 位作者 李力 莫富尧 金顺玉 陈军 邓少芝 许宁生 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期546-550,共5页
报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝(AlN)纳米线的方法。该方法无需任何催化剂,并且可以获得大面积的单一形貌的AlN纳米线。所制备的AlN纳米线的平均长度超过20μm,直径为30~125nm,是沿着[001]方向生长的单晶六方纤锌矿结构。场发... 报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝(AlN)纳米线的方法。该方法无需任何催化剂,并且可以获得大面积的单一形貌的AlN纳米线。所制备的AlN纳米线的平均长度超过20μm,直径为30~125nm,是沿着[001]方向生长的单晶六方纤锌矿结构。场发射特性测试结果表明,AlN超长纳米线的开启电场为6.3V/μm,阈值电场为12.2V/μm,最大电流密度达1440μA/cm2。这暗示着AlN超长纳米线是一种很有潜力的冷阴极纳米材料。 展开更多
关键词 aln超长纳米线 无催化剂 场发射
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