ALAS2 mRNA:一种潜在的兴奋剂检测生物标志物

氨基乙酰丙酸合成酶2(ALAS2)是一种蛋白编码基因,作为m RNA在血红蛋白的生物合成过程中较为活跃。在兴奋剂领域,促红细胞生成素(EPO)是一种可以促进红细胞生成从而提高机体携氧能力的糖蛋白。随着对EPO研究的不断深入,以及检测技术和方法的不断更新,对包含ALAS2在内的更多特定生物标志物进行跟踪检测,可逐渐形成对EPO间接检测方法的补充。本文综述了ALAS2的生物学功能以及与EPO的相关性,探讨了ALAS2作为血液生物标志物在兴奋剂检测领域中应用的可能性。

GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究

用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结 ,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对 0 .5分子层Si夹层的影响 。

遗传性铁粒幼细胞贫血致病的ALAS2基因表达载体的构建

X连锁遗传性铁粒幼细胞贫血 (XLSA)是红系特异性δ 氨基 γ酮戊酸合酶 (δ amionlevulinicacidsyntase 2 ,ALAS2 )基因突变造成的 ,本研究构建ALAS2基因的真核表达载体 ,观察表达载体转染真核细胞后蛋白表达的情况。将获自人胎肝的ALAS2基因插入到红色荧光蛋白质粒 pDs red2 N1中 ,命名为pDs red2 N1 ALAS2 ;采用电穿孔方法将质粒转染K5 6 2细胞 ;转染后 4 8小时提取细胞总RNA ,进行RT PCR检测ALAS2基因表达 ;流式细胞术检测红色荧光蛋白表达。再采用脂质体方法将质粒转染COS7细胞 ,转染后 72小时提取细胞总RNA ,RT PCR检测ALAS2基因表达 ,荧光显微镜观察COS7细胞红色荧光蛋白表达情况。结果表明 :构建了一种 pDs red2 N1 ALAS2真核表达载体 ,提取质粒DNA经酶切、电泳可以看到在 4 70 0bp和176 4bp处存在两条电泳条带 ;全长测序证实构建的载体序列正确 ;质粒转染K5 6 2和COS7细胞后均出现阳性ALAS2基因转录产物 ;流式细胞术检测转染后K5 6 2细胞红色荧光蛋白表达的阳性细胞百分率为 19.2 % ;荧光显微镜显示转染后COS7细胞红色荧光蛋白 ,表达高峰出现在转染后第 3天 ,阳性细胞百分率为 10 .7% ,并可持续表达 10天左右。红色荧光蛋白的表达可以间接说明ALAS2基因的表达。结论

GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能和光致发光

从实验和理论上，研究了量子限制效应对GaAs／AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs／AlAs多量子阱，量子阱宽度为3—20nm，并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4，20，40，80，120K不同温度下，分别对上述样品进行了光致发光谱测量，观察到了受主束缚激子从基态到激发态的两空穴跃迁，并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能。理论上应用量子力学中的变分原理，数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系，比较发现，理论计算和实验结果符合地较好。

用静压光致发光研究GaAs/AlAs短周期超晶格的Ⅰ一Ⅱ类超晶格转变点

近年来,GaAs/AlAs短周期超晶格的研究受到越来越多的重视。

GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究

利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体 品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异质结随着 温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体 质量最佳。

温度对Al_(0.5)Ga_(0.5)As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱影响

采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了-10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明:随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出:该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义.

基于GaAs/AlAs腐蚀自停止的新型水听器工艺

针对感应耦合等离子(ICP)刻蚀气室气体分布不均匀性所导致的被刻蚀台面中间厚、边缘薄及干法刻蚀后残余应力大等缺点,进行了GaAs/AlAs的选择性湿法腐蚀工艺研究.腐蚀液为50%一水柠檬酸(C6H8O7.H2O)溶液与30%双氧水(H2O2)的混合物,当二者体积比为3∶1时,GaAs/AlAs的选择比达到79以上.用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对腐蚀后的试验片测试后发现,该体积比腐蚀液腐蚀的试验片具有表面粗糙度低、刻蚀各向异性好、选择比高等优点,能够满足传感器加工的需要;结合试验结果,设计了一种待加工梁厚3μm的外延材料结构,并对传感器的加工工艺进行了优化;最后,采用ANSYS对所设计的结构进行了仿真分析,仿真结果表明,该结构具有可行性,可实现水平面内的声学探测.

Si夹层对GaAs／AlAs异质结的影响

用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了改变。

短周期(AlAs)_n/(GaAs)_n(n≤10)超晶格表面、界面和体内的电子结构

在紧束缚近似下,本文首次采用Recursion方法,对(AlAs)_n/(GaAs)_n(n≤10)短周期超晶格的表面、界面和体内电子结构进行了详细计算.给出了它的总态密度(TDOS)、局部态密度(LDOS)和分波态密度(PDOS).由此证明了界面的影响,并得到了Al,Ga和As原子的原子价.超晶格有序势使(AIAs)_n/(GaAs)_n的直接带隙变窄,这表明了它与无序合金Al_xGa_(1-x)As之间物理性质的差别.同时直接证实了(001)表面原子的成键方式将引起退杂化SP_2+P_γ-P_y发生.本文结论优于已有的理论报道,并与最近的实验数据符合很好.

CTCF通过ALAS2调控K562细胞红系分化

目的研究CTCF对红系分化的影响及相应调控机制。方法敲低K562细胞中的CTCF,通过Hemin诱导和荧光实时定量聚合酶链反应(quantitative real-time polymerase chain reaction,qRT-PCR)技术,分析Hemin诱导0到4天的对照和CTCF敲低细胞的珠蛋白基因表达水平,研究CTCF敲低对红系分化的影响。利用基因表达芯片全基因组范围分析CTCF敲低造成的影响。根据公共数据分析推测CTCF调控红系分化的潜在机制,通过染色质免疫共沉淀(chromatin immunoprecipitation,ChIP)验证。结果随着诱导的进行,对照和敲低细胞中的珠蛋白基因HBE和HBG表达均逐渐升高,但CTCF敲低细胞中HBE和HBG基因水平均低于对照细胞,提示CTCF敲低能够抑制K562细胞分化过程中珠蛋白基因的表达。通过检测全基因组范围的基因表达水平,共筛选到1 128个差异表达基因,其中616个基因在CTCF敲低样本中表达上调,512个基因表达下调。利用IPA软件进行功能富集分析,显示主要相关的生理系统发育与功能包括血液系统的发育与功能。公共数据显示存在CTCF-GATA1-ALAS2作用关系,ALAS2基因上存在GATA1结合;对照和CTCF敲低细胞的ChIP-qPCR结果表明,敲低CTCF能够降低GATA1在ALAS2基因区的结合。结论 CTCF可能通过影响GATA1在ALAS2基因区的结合来调控K562细胞红系分化。

GaAs/AlAs异质结构隧道电流的计算和异质结限累管初探

本文从单带双谷模型出发计算了GaAs/AlAs异质结量子阱中的隧道电流同外加电压之间的关系。研究了隧道电流同量子阱结构和电场间的关系以及隧道过程中的状态转换效应。在此基础上提出了利用异质结中的状态转换特性来制作X谷电子发生器的可能性。讨论了这种发生器在器件设计中的应用以及异质结限累管的初步设计。

GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响

用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和 1ML 对异质结带阶的调节 ,得到最大调节量为 0 .2 e V;通过 C- V法研究了异质结的Ga As层在不同温度下生长对 0 .5 ML Si夹层的影响 ,得到 Si夹层的空间分布随 Ga As层生长温度的升高而扩散增强的温度效应 ,通过深能级瞬态谱 (DL TS)研究了在上述不同温度下生长的 Ga As层的晶体质量 .

GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究

在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10^(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10^(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。

GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模

在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是混晶化效应.对于单层超晶格,在各种散射配置下的 Raman光谱都与Al(0.5)Ga_(0.5)As三元混晶的Raman光谱十分相似.而对于4个单层或者更厚的超晶格样品,混晶化效应基本可以忽略,仅仅表现为界面效应,光学声子的限制效应起主导作用.

基于SiCl_4/SF_6的GaAs/AlAs ICP选择性干法刻蚀

报道了GaAs/AlAs的电感耦合等离子体(ICP)选择性干法刻蚀,刻蚀气体为SiCl4/SF6混合物.研究了在不同SiCl4/SF6气体配比、RF偏压电源功率和气室压力下,GaAs,AlAs的平均刻蚀速率与二者的选择比.合适的SiCl4/SF6气体比例(15/5sccm),低的RF偏压电源功率和高的气室压力将加强AlF3非挥发性生成物的形成,进而提高GaAs/AlAs的选择比.在SiCl4/SF6气体比例为15/5sccm,RF偏压电源功率为10W,主电源功率为500W,气室压力为2Pa时,GaAs/Al-As的选择比达1500以上.采用喇曼光谱仪对不同RF偏压电源功率和气室压力下,GaAs衬底被刻蚀面等离子体损伤进行了测试,表面形貌和被刻蚀侧壁分别采用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)进行观察.

GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征

研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化。对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2 O3/GaAs薄膜 ,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征。结果表明 ,氧化前GaAs/AlAs/GaAs结构中 ,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层110 的均匀过渡层。AlAs层分成厚度为 4 0 和 10 5 0 的两层 ,而 4 0 厚的AlAs层的平均原子密度比 10 5 0 厚的减小。利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al2 O3,而且与氧化前相比 ,其过渡层的厚度与粗糙度均减小。

杂质和空位对AlAs/GaAs超晶格电学性质的影响

在紧束缚近似基础上,本文采用Recursion方法首次计算了含有杂质和空位的短周期AlAs/GaAs超晶格电子结构。局域态密度和分波态密度的计算结果清楚地反映了少量无序杂质和空位在AlAs/GsAs中的局部细节以及对材料本身电学性质的影响。在具有点缺陷(杂质或空位)的AlAs/GaAs材料能隙中将出现新能级,本文计算了它们的位置。同时利用对原子价的讨论发现体内点缺陷周围存在一个电中心,而界面点缺陷产生一个局域电场,它将导致电荷分布的转移。比较了杂质和空位的影响,并进一步证明在所有情况下它们的作用是高度局域的。

三元GaAS/ALAS准周期超晶格系统的电子隧穿透射谱

用紧束缚的方法研究了一种多层低维半导体系统———三元准周期超晶格系统的电子隧穿 结果表明:大代数的情况下,电子出现共振隧穿透射的能量区域则集中在某一小的能量范围内。

猪ALAS1基因的多态性与产仔数性状的关联分析

通过比较序列测定法,在ALAS1基因第9内含子发现T/C突变,建立了PCR-MspI-RFLP分型技术,并在3个中外猪种中进行多态性分型,分析其基因型频率和等位基因频率,还在长白猪和淮猪新品系Ⅱ猪群中检测该位点的多态性并与产仔数性状进行关联分析。结果表明,长白猪和淮猪新品系Ⅱ猪群中,所有胎次产仔数都呈现CC>TC>TT的趋势。其中,CC型个体和TC型个体的所有胎次产仔数分别显著高于TT型个体(P<0.05)。因此,ALAS1基因在两个猪群中与产仔数性状显著相关,可能为提高猪产仔数性状提供一个有用的分子标记。