Alcator C—Mod边缘等离子体的H模坪顶的特征及MHD稳定性

在Alcator C-Mod 中大多数运行条件下，H模的主要类型是稳态增强Da(EDA)模，表征为良好的能量约束，连续降低的杂质约束及没有规则的边缘局域模（ELMs)。在这种工况下，观察到准耦合（QC）电磁模（Rθ-5cm^1,f-100kHz)，它位于密度坪顶区域，实验数据表明，这种模对粒子输运的增强负责，实验显示，QC模可以存在于边缘温度－安全因子空间内确定好的区域，有利于边缘高的q值（q95≥3．5）和所要求的适当的坪顶温度Tc^ped≤Tc(Tc-400eV)。因为边缘温度和压力梯度增大，所以QC模被宽带低扰动（f<50kHz)代替。在这些放电中以小而多刺的ELMs,对C－Mod边缘理想气球稳定性的分析表明，如果考虑了边缘自举电流，它因边缘高碰撞性而减小，那么边缘压力梯度也不会受到无限的n 理想气球模的限制，由边缘压力和压力梯度共同驱动的耦合理想剥落／气球中等n模的线性稳定性分析表明，这些模在C－Mod边缘，在压力梯度范围内变得边缘不稳定，在压力梯度范围内，观察到多刺的ELms(p≥1.2×10^7Pa·Wb^-1·rad)。该结果与作为中等模数（n)的剥落／气球模的ELMs模型的结果是一致的。另一方面，已被证明的EDA工况下的理想模的稳定性以及该稳定性存在所要求的低Te^ped的事实，支持表现出QC模电阻特性的理论模型。