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Light-Emitting Diodes Based on All-Quantum-Dot Multilayer Films and the Influence of Various Hole-Transporting Layers on the Performance
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作者 尹慧丽 赵谡玲 +1 位作者 徐征 孙立志 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第3期91-94,共4页
We present a systematic analysis of the exciton-recombination zone within all-quantum-dot (QD) multilayer films using sensing QD layers in QD-based light-emitting diodes (QLEDs), and demonstrate the a11-QD multila... We present a systematic analysis of the exciton-recombination zone within all-quantum-dot (QD) multilayer films using sensing QD layers in QD-based light-emitting diodes (QLEDs), and demonstrate the a11-QD multilayer films with different sequences of layers prepared by inserting a sensing blue QD layer denoted as B at various positions within four red QD multilayers denoted as R. We also use different hole transporting layers (PVK, CBP as well as poly-TPD) to prevent the formation of leakage current and to improve the luminance. The results show that the total EL emission is mostly at the fourth (60%) and fifth (40%) QD monolayers, adjacent to ITO. This presents both decreasing current density and increasing brightness with different hole transporting layers, thus resulting in more efficient performance. 展开更多
关键词 of is with QDs Light-Emitting Diodes Based on all-quantum-dot Multilayer Films and the Influence of Various Hole-Transporting Layers on the Performance in PVK PFN on
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CsPbX_(3)QDs@MOFs复合材料的研究综述
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作者 赖妞 黄启强 +6 位作者 张秦阳 张博文 王娟 杨杰 王茺 杨宇 王荣飞 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期3321-3329,共9页
全无机钙钛矿量子点CsPbX_(3)(QDs)(X=Cl、Br、I)具有可覆盖整个可见光区(400~700 nm)的发射,单一发光峰较窄,量子效率较高,其发射波长和带隙可通过调节CsPbX_(3)中卤素原子X来实现调控。因CsPbX_(3)优异的光学特性而被广泛应用于显示领... 全无机钙钛矿量子点CsPbX_(3)(QDs)(X=Cl、Br、I)具有可覆盖整个可见光区(400~700 nm)的发射,单一发光峰较窄,量子效率较高,其发射波长和带隙可通过调节CsPbX_(3)中卤素原子X来实现调控。因CsPbX_(3)优异的光学特性而被广泛应用于显示领域,然而其稳定性较差等问题阻碍其进一步的应用。金属有机框架(MOFs)是一种多孔性的框架结构,因其独特的多孔结构,永久的孔隙率而作为一种基质载体来提高材料的稳定性。MOFs将QDs限制在主体内部不仅可以保护它们免受外部环境的刺激,使它们彼此隔离而不团聚,而且还可以实现各种新的特性和应用。将QDs限制在MOFs中所得的复合材料(CsPbX_(3) QDs@MOFs)具有比CsPbX_(3) QDs更优异的光学特性以及对周围环境更好的稳定性,复合材料(CsPbX_(3) QDs@MOFs)在光电器件,传感器以及加密与防伪领域有着广泛的应用。该综述首先介绍了CsPbX_(3) QDs相关结构、制备、光学性能和应用,以及现存问题。例如在毒性、稳定性、阴离子交换等方面及相应解决方法;其次介绍了MOFs结构、制备、特性及应用等相关内容;并对介绍复合材料CsPbX_(3) QDs@MOFs的制备、光学特性、应用,例如在白光二极管(WLEDs)、防伪和加密、用作催化剂、远程型白光发射器件中的应用,并实现了宽色域应用,验证了这些新型发光复合材料在背光显示应用中具有很大的应用前景。对复合材料CsPbX_(3) QDs@MOFs现阶段存在一些问题和需要改进方面提出一些见解,对下一步进行复合材料方向提供一些思路并对研究前景进行了展望。 展开更多
关键词 全无机钙钛矿量子点 金属有机框架 发光特性 应用
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全无机胶体量子点显示技术 被引量:7
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作者 耿卫东 郭嘉 +1 位作者 唐静 刘会刚 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期479-484,共6页
基于胶体量子点发光的全无机显示器件具有优于OLED的电致发光和抗环境性优势,将成为新一代平板显示器件。本文介绍了全无机胶体量子点显示的优势和发展潜力,介绍了GaN电荷传输层量子点显示器件、金属氧化物电荷传输层量子点显示器件、... 基于胶体量子点发光的全无机显示器件具有优于OLED的电致发光和抗环境性优势,将成为新一代平板显示器件。本文介绍了全无机胶体量子点显示的优势和发展潜力,介绍了GaN电荷传输层量子点显示器件、金属氧化物电荷传输层量子点显示器件、交流驱动多层结构的透明量子点显示器以及单极性量子点显示器件等。指出深入研究全无机胶体量子点发光器件的电荷输运机制,在新材料、新器件结构和新驱动机制等方面,改进器件的电致发光效率是目前需要解决的主要问题。 展开更多
关键词 显示器件 胶体量子点 全无机显示器件 外量子效率
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基于石墨烯量子点的全印刷纸质生物传感器 被引量:2
4
作者 周奕华 吴丽辉 +2 位作者 钱俊 罗妍 邓亚峰 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第2期137-144,共8页
用于医疗保健的及时诊断技术及移动检测方式要求新一代低成本、准确、灵敏且适于大批量生产的生物传感器。采用印刷方式制备传感器的方案推陈出新,全印刷技术为实现传感器的大批量生产提供新思路。纸材料低廉环保,在低成本制作传感器方... 用于医疗保健的及时诊断技术及移动检测方式要求新一代低成本、准确、灵敏且适于大批量生产的生物传感器。采用印刷方式制备传感器的方案推陈出新,全印刷技术为实现传感器的大批量生产提供新思路。纸材料低廉环保,在低成本制作传感器方面有良好的应用前景。石墨烯量子点具有优异的导电性、优良的生物相容性、稳定的荧光等特点,在改善和提高传感器性能方面存在很大潜力。对目前的全印刷传感器、纸质传感器和基于石墨烯量子点的传感器进行综述,提出一种基于石墨烯量子点的全印刷纸质生物传感器方案。 展开更多
关键词 全印刷传感器 印刷电子技术 纸质传感器 石墨烯量子点
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基于QD-SOA交叉增益调制的波长转换研究
5
作者 李月卉 邢艳东 +1 位作者 邱昆 凌云 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2008年第5期28-30,共3页
量子点半导体光放大器具有比传统半导体光放大器更快的载流子恢复时间,基于QD-SOA交叉增益调制的波长转换技术具有转换速率快,无pattern effects效应的特点。对有源区长度,输入信号光功率和转化后信号的消光比和脉冲展宽进行了研究,对... 量子点半导体光放大器具有比传统半导体光放大器更快的载流子恢复时间,基于QD-SOA交叉增益调制的波长转换技术具有转换速率快,无pattern effects效应的特点。对有源区长度,输入信号光功率和转化后信号的消光比和脉冲展宽进行了研究,对提高基于QD-SOA交叉增益调制波长转换的性能具有指导意义。 展开更多
关键词 量子点半导体光放大器 全光信号处理 波长转换
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全无机钙钛矿量子点的研究进展 被引量:8
6
作者 王恩胜 余丽萍 +1 位作者 廉世勋 周文理 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期777-783,共7页
近年来,在各类光电材料中,钙钛矿量子点以优异的性能脱颖而出。相对于有机-无机杂化钙钛矿量子点,全无机钙钛矿量子点(IPQDs)的稳定性更高。IPQDs因具有光吸收系数高、发射光谱窄、光致发光量子产率(PLQY)高、组成与尺寸可调、发射光谱... 近年来,在各类光电材料中,钙钛矿量子点以优异的性能脱颖而出。相对于有机-无机杂化钙钛矿量子点,全无机钙钛矿量子点(IPQDs)的稳定性更高。IPQDs因具有光吸收系数高、发射光谱窄、光致发光量子产率(PLQY)高、组成与尺寸可调、发射光谱可调以及光致发光和电致发光等特性而备受关注,是当前最具潜力的光电材料之一,广泛应用于发光二极管(LEDs)、太阳能电池、光电探测器、激光等领域。IPQDs材料尚存在许多问题,主要体现在以下几方面:(1)发光机理不够明确。仍需要大量全面而系统的研究来揭示其优异光电性能背后的内在机制。(2) CsPbCl_3的PLQY较低,需要进一步提高。(3)成分铅具有毒性。铅在IPQDs中的角色需要进一步剖析,为进一步发展无铅或少铅的钙钛矿材料奠定理论基础。(4)稳定性差。IPQDs在极性溶剂中极易分解或团聚;对光、氧气、湿度和温度的稳定性差;易发生阴离子交换。(5)量子点表面的长链绝缘配体不利于晶粒间电荷迁移。在充分钝化量子点表面的前提下,尽可能地减少配体对电荷迁移的阻碍是发展高效LEDs的有效途径。(6)为适应规模化生产,需要进一步优化制备工艺。近年来,研究者主要从亟待解决的毒性和稳定性问题展开研究,并取得了重大进展。通过使用无毒或低毒的金属(如Mn、Sn等)来全部或部分取代Pb,以及用聚合物材料来包覆IPQDs,均为解决该材料的毒性问题提供了有效方案。而通过掺杂Mn2+可提高钙钛矿晶格的形成能,从根源上改善了IPQDs的热稳定性。此外,利用有机、无机或高分子等材料包覆IPQDs,可以有效避免其与外界环境接触,进而提高该材料的稳定性。本文全面综述了近年来有关IPQDs的研究进展,包括合成方法、形貌、光学性质和表面性质。着重分析了该材料存在的稳定性和铅的毒性问题以及目前的解决方案。探讨了该材料在发光二极管、太阳能电池、光电探测器以及激光领域的应用前景。最后,总结了该材料有待解决的问题并展望了未来的发展方向。 展开更多
关键词 全无机钙钛矿量子点 表面性质 稳定性 光致发光
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基于全无机钙钛矿量子点辐致荧光效应的同位素电池研究 被引量:1
7
作者 陈旺 汤晓斌 +2 位作者 刘云鹏 许志恒 张峥嵘 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期326-333,共8页
辐致光伏效应同位素电池因其具有小型化、长寿命等特点,已被广泛研究。研究工作主要致力于提升同位素电池的输出性能。本研究选取全无机钙钛矿量子点作为荧光材料,利用其发射光可调的特性以匹配不同的后端光伏器件,调控优化后同位素电... 辐致光伏效应同位素电池因其具有小型化、长寿命等特点,已被广泛研究。研究工作主要致力于提升同位素电池的输出性能。本研究选取全无机钙钛矿量子点作为荧光材料,利用其发射光可调的特性以匹配不同的后端光伏器件,调控优化后同位素电池的最大输出功率显著提升,可提高2.51~3.97倍。基于上述研究结果讨论了优化后端器件的适配性对于核探测和核医学成像等领域的应用价值和参考意义。 展开更多
关键词 全无机钙钛矿量子点 辐致光伏效应同位素电池 光谱调控
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全固态量子点太阳电池的研究进展 被引量:1
8
作者 杨博 白一鸣 +3 位作者 程泰 吴高 陈诺夫 谭占鳌 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第4期235-242,共8页
从光电转换原理出发,阐述了全固态量子点太阳电池的一般结构与工作机理,并展示了电池所用材料的能带结构和载流子迁移过程。然后围绕半导体p-n结模型描述了量子点太阳电池的工作特性及重要的性能参数,进而系统地介绍了电池各功能层的常... 从光电转换原理出发,阐述了全固态量子点太阳电池的一般结构与工作机理,并展示了电池所用材料的能带结构和载流子迁移过程。然后围绕半导体p-n结模型描述了量子点太阳电池的工作特性及重要的性能参数,进而系统地介绍了电池各功能层的常用制备方法。在此基础上,对PbS和Sb_2S_3两种材料体系的量子点太阳电池的国内外研究进展进行了全面的回顾,从器件结构的优化到材料制备工艺的完善,再到各种量子点表面修饰方法的采用,总结了这两种量子点太阳电池的发展过程与最新成果,并分析了目前阻碍其发展的重要因素,最后对全固态量子点太阳电池的前景进行了展望。 展开更多
关键词 量子点 全固态 太阳电池 PBS Sb2S3
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B位离子掺杂全无机钙钛矿量子点的合成及性能研究进展 被引量:2
9
作者 朱梦梦 白珏垚 +1 位作者 陈人杰 李会利 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1541-1555,共15页
全无机钙钛矿量子点因其优异的发光性能得到了广泛的研究和关注。但是因为其本身的Pb元素带来的毒性和较差的稳定性,使其在生产和应用方面依然面临着诸多阻碍。B位掺杂作为一种有效改善钙钛矿量子点发光性能和降低其毒性的方法得到了长... 全无机钙钛矿量子点因其优异的发光性能得到了广泛的研究和关注。但是因为其本身的Pb元素带来的毒性和较差的稳定性,使其在生产和应用方面依然面临着诸多阻碍。B位掺杂作为一种有效改善钙钛矿量子点发光性能和降低其毒性的方法得到了长足的发展。本文介绍了近年来涌现出的便于合成B位掺杂全无机钙钛矿量子点的方法,并结合最新的研究进展,对B位掺杂的原理和其对于钙钛矿量子点发光性能和稳定性的影响机制进行了总结,同时展望了B位掺杂的全无机钙钛矿量子点未来的发展趋势及应用前景。 展开更多
关键词 全无机钙钛矿量子点 B位掺杂 发光性能 稳定性
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无机钙钛矿CsPbX_3量子点发光材料及器件的研制 被引量:3
10
作者 罗聪 姚方 +1 位作者 陈昭 方国家 《半导体光电》 北大核心 2017年第6期779-783,787,共6页
全无机钙钛矿量子点是非常具有发展潜力的发光材料,其中CsPbX_3(X为Cl、Br和I)因其具有非常窄的发光峰、较好的稳定性以及可以在溶液中制备等优点,受到了研究人员的重点关注。文章在室温下根据过饱和析出原理制备了不同卤族元素配比的... 全无机钙钛矿量子点是非常具有发展潜力的发光材料,其中CsPbX_3(X为Cl、Br和I)因其具有非常窄的发光峰、较好的稳定性以及可以在溶液中制备等优点,受到了研究人员的重点关注。文章在室温下根据过饱和析出原理制备了不同卤族元素配比的全无机钙钛矿量子点,该制备方法不需要惰性气氛保护和热注入,量子点的合成可以在几秒内完成。通过光致发光光谱、吸收光谱、X射线衍射等分析方法研究了不同配比CsPbX_3量子点的结构特征和光致发光特性。将CsPbX_3量子点涂覆在蓝光发光二极管芯片表面实现了器件的白光发射,并分析了其光谱特征。 展开更多
关键词 全无机 钙钛矿量子点 室温 过饱和析出 白光发射
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量子点半导体光放大器波长转换的Q因子特性 被引量:1
11
作者 李雯 王海龙 +2 位作者 崔乐乐 张国 龚谦 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期346-352,共7页
为了改善全光波长转换器的转换性能进而提高输出信号质量,研究了波长转换器的Q因子特性。采用牛顿迭代法和四阶龙格库塔法解光场传输方程和跃迁速率方程,分析了输入信号光功率、脉冲宽度、最大模式增益和有源区长度4个因素对全光波长转... 为了改善全光波长转换器的转换性能进而提高输出信号质量,研究了波长转换器的Q因子特性。采用牛顿迭代法和四阶龙格库塔法解光场传输方程和跃迁速率方程,分析了输入信号光功率、脉冲宽度、最大模式增益和有源区长度4个因素对全光波长转换器的Q因子特性的影响,并将得到的结果与相同条件下的输出消光比比较。结果表明:增大输入信号光功率,Q因子先增大后减小,并且在-12 d Bm时取得最大值8.819 d B;Q因子随着脉冲宽度的增加而不断下降;增大最大模式增益和有源区长度,Q因子增大。在实现波长转换的基础上,优化各参数数值,得到的Q因子达到16.680 d B,输出信号质量较好。要同时获得高的消光比和Q因子,提高输出信号的质量,必须选取适当的输入信号光功率、脉冲宽度、最大模式增益和有源区长度。 展开更多
关键词 量子点半导体光放大器 全光波长转换 交叉相位调制 Q因子
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全无机钙钛矿量子点的制备及发光性能 被引量:2
12
作者 袁耀欣 张瑞 +4 位作者 张建峰 陈刚 刘海运 洪梦庆 罗凤凤 《西安工程大学学报》 CAS 2021年第2期91-96,共6页
针对传统全无机钙钛矿量子点的合成方法中需要惰性气体保护、操作复杂、仪器成本高等问题,采用一种优化的较低温注入法,在大气环境下制备了全无机卤化物钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)量子点。通过将前驱体在120℃下混合并转移至90℃下发... 针对传统全无机钙钛矿量子点的合成方法中需要惰性气体保护、操作复杂、仪器成本高等问题,采用一种优化的较低温注入法,在大气环境下制备了全无机卤化物钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)量子点。通过将前驱体在120℃下混合并转移至90℃下发生反应,合成了可以覆盖整个可见光光谱区域的多色钙钛矿量子点,并通过稳态和时间分辨荧光光谱仪表征其发光特性。结果表明:在波长325 nm的激发光激发下,CsPbBr_(3)量子点峰位在517 nm处,为窄的半高宽(16.3 nm)的发射峰。量子点的荧光呈双指数衰减,平均寿命5.77 ns。CsPbBr_(3)量子点属于立方晶相,呈均匀单分散的立方体形状,平均晶粒尺寸9.89 nm。该制备方法为全无机卤化物钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl、Br、I)量子点的合成提供了新的方案。 展开更多
关键词 CsPbX_(3)钙钛矿量子点 全无机钙钛矿 多色发光 低温合成
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激光晶化制备硅量子点/碳化硅多层膜p-i-n结构的光伏特性探索
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作者 曹蕴清 曾祥华 +2 位作者 季阳 翟颖颖 李伟 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期399-406,共8页
对不同能量密度激光晶化的硅量子点/碳化硅周期性多层膜的结构与光学性质进行了研究.结果表明,激光晶化技术可以获得晶化的硅量子点并且保持良好的周期性层状结构;随着激光能量密度的增大,多层膜中的硅量子点的晶化率和晶粒尺寸都随之增... 对不同能量密度激光晶化的硅量子点/碳化硅周期性多层膜的结构与光学性质进行了研究.结果表明,激光晶化技术可以获得晶化的硅量子点并且保持良好的周期性层状结构;随着激光能量密度的增大,多层膜中的硅量子点的晶化率和晶粒尺寸都随之增大,光吸收系数增强,吸收边红移,光学带隙减小.进而初步尝试了对在镀有氧化铟锡(ITO)透明导电电极的玻璃衬底上制备的基于硅量子点/碳化硅周期性多层膜的全硅量子点太阳能电池光伏性能的探索,提出利用KrF准分子脉冲激光晶化技术代替传统的高温退火技术来获得全硅量子点电池的方法,以避免长时间的高温过程对玻璃衬底和ITO膜的破坏,获得了有效面积为0.8cm2的电池.研究发现激光晶化技术制备的全硅量子点电池具有良好的整流特性,并且随着激光能量密度的增大,电池的外量子效率先增大后减小,170mJ·cm^(-2)是最佳的激光晶化能量密度,基于此条件制备的全硅量子点电池初步获得了0.16mA·cm-2的短路电流密度. 展开更多
关键词 硅量子点/碳化硅多层膜 激光晶化技术 全硅量子点太阳能电池 激光能量密度 光伏特性
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低启亮电压全溶液加工量子点发光器件 被引量:5
14
作者 曹丽娟 江从彪 +6 位作者 罗宇 李妙姿 黎佳立 寸阳珂 王坚 彭俊彪 曹镛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第8期785-794,共10页
采用旋涂制备的纳米银(Silver nanoparticle,Ag NPs)作为阴极,制备了全溶液加工的红、绿、蓝量子点发光二极管(red,green,blue-quantum dots light-emitting diodes,R-,G-,B-QLEDs)。并针对溶液加工Ag NPs阴极器件启亮电压(Turn-on volt... 采用旋涂制备的纳米银(Silver nanoparticle,Ag NPs)作为阴极,制备了全溶液加工的红、绿、蓝量子点发光二极管(red,green,blue-quantum dots light-emitting diodes,R-,G-,B-QLEDs)。并针对溶液加工Ag NPs阴极器件启亮电压(Turn-on voltage,Vt)较蒸镀Ag阴极器件偏高的问题,采用了低真空与热退火组合工艺干燥Ag NPs阴极,实现了可以与真空蒸镀金属阴极比拟的Vt,R-,G-,B-QLEDs的Vt分别为1.9,2.6,3.2 V。实验结果表明,该阴极处理工艺可能为研制低Vt的全印刷显示发光器件提供新的工艺思路。 展开更多
关键词 全溶液加工 低启亮电压 量子点发光二极管 纳米银电极 低真空/热退火干燥工艺
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全无机钙钛矿量子点的合成、性质及发光二极管应用进展 被引量:18
15
作者 刘王宇 陈斐 +1 位作者 孔淑祺 唐爱伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期117-133,共17页
近年来,全无机铯铅卤素钙钛矿(CsPb X 3,X=Cl,Br,I)量子点由于其色纯度高、具有可调谐的发射波长(410~760 nm)、窄的半峰宽(12~42 nm)和较高的荧光量子产率(最高可达95%以上)以及可全溶液处理等优势而受到人们的高度关注,在显示和照明... 近年来,全无机铯铅卤素钙钛矿(CsPb X 3,X=Cl,Br,I)量子点由于其色纯度高、具有可调谐的发射波长(410~760 nm)、窄的半峰宽(12~42 nm)和较高的荧光量子产率(最高可达95%以上)以及可全溶液处理等优势而受到人们的高度关注,在显示和照明领域有着较为广阔的应用前景。本文首先介绍了近年来发展起来的全无机钙钛矿量子点的液相合成方法,如高温热注射法、一步反应法、阴离子交换法和过饱和重结晶法等;其次介绍了全无机钙钛矿量子点的形貌、尺寸和晶型调控及材料组分、反应温度和杂质离子对其发光性能的影响,进而总结了无铅全无机钙钛矿量子点的研究进展;然后介绍了全无机钙钛矿量子点在发光二极管方面的应用进展;最后概述了全无机钙钛矿量子点在未来发展中存在的挑战和机遇。 展开更多
关键词 全无机钙钛矿 量子点 合成方法 光电性能 发光二极管
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全无机钙钛矿量子点的光学研究进展 被引量:1
16
作者 宋蓉 黎颖 +1 位作者 魏旭冉 钱俊 《包装学报》 2020年第3期16-25,共10页
相比于传统半导体量子点,全无机钙钛矿量子点具有发光性能好,发射波长可调,光致发光量子产率高等优点,是光电领域的理想材料,现已被广泛用以制备发光二极管、太阳能电池等光电器件。综述了近年来全无机钙钛矿量子点的研究进展。介绍了... 相比于传统半导体量子点,全无机钙钛矿量子点具有发光性能好,发射波长可调,光致发光量子产率高等优点,是光电领域的理想材料,现已被广泛用以制备发光二极管、太阳能电池等光电器件。综述了近年来全无机钙钛矿量子点的研究进展。介绍了全无机钙钛矿量子点的合成方式;分析了离子掺杂和配体修饰对全无机钙钛矿量子点的影响;阐述了全无机钙钛矿量子点在发光二级管中的应用;展望了全无机钙钛矿量子点的未来发展趋势,为全无机钙钛矿量子点在发光二极管的应用提供参考。 展开更多
关键词 全无机钙钛矿 量子点 离子掺杂 配体修饰 发光二极管
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高响应率石墨烯-CsPbBr_(3)量子点光电探测器 被引量:1
17
作者 王婧 石瑞英 朱国栋 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期163-168,共6页
全无机金属卤化物钙钛矿材料CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)不仅有优异光电特性,还有比有机-无机杂化钙钛矿更好的热稳定性,在光电探测器领域有很大应用前景.但由于全无机钙钛矿材料自身迁移率较低,直接用于光电探测器其光响应率也很低,难以满足... 全无机金属卤化物钙钛矿材料CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)不仅有优异光电特性,还有比有机-无机杂化钙钛矿更好的热稳定性,在光电探测器领域有很大应用前景.但由于全无机钙钛矿材料自身迁移率较低,直接用于光电探测器其光响应率也很低,难以满足实际应用.以热注入法合成高质量的CsPbBr_(3)钙钛矿量子点材料,再将其与高迁移率的单层石墨烯薄膜相结合,构建出石墨烯-CsPbBr_(3)量子点复合光电探测器,光响应率高达3.5×10^(4) A·W^(-1).研究表明引入石墨烯材料作为传输层后,CsPbBr_(3)量子点的光生电子空穴对得到有效分离并快速传输.两种材料界面处存在陷阱态,产生了光栅压效应,延长了载流子寿命.两种机制结合使复合光电探测器的光响应率大大提升. 展开更多
关键词 CsPbBr_(3)量子点 石墨烯 光电探测器 高响应率 全无机钙钛矿
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Cu12Sb4S13量子点的光照增强阻变性能
18
作者 王志青 陈彬彬 +4 位作者 沈杰 陈文 刘曰利 龚少康 周静 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1908-1916,共9页
采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12Sb4S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.4... 采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12Sb4S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.42 V的低工作电压和105的高阻变开关比,并表现出优异的数据保持性和耐久性.在持续工作1.4×106s和经过104次快速读取后,器件阻变性能变化率小于0.1%.在光照和电场共同作用下,S2-导电通道的形成与破坏和FTO/CAS QDs界面肖特基势垒高度的调制是FTO/CAS QDs/Au在高阻态与低阻态之间转变的原因. 展开更多
关键词 光照 全无机Cu12Sb4S13量子点 阻变性能 阻变存储器
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全光逻辑与门转换效率的研究 被引量:2
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作者 胡永倩 王海龙 +2 位作者 张书玉 密术超 龚谦 《通信技术》 2018年第1期30-36,共7页
为了提高全光逻辑门的转换性能,对全光逻辑与门的转换效率进行研究。采用牛顿法和四阶龙格库塔法求解量子点半导体光放大器(QD-SOA)的三能级跃迁速率方程和光场传输方程,讨论全光逻辑与门的转换效率和误码率。结果显示:增加脉冲宽度、... 为了提高全光逻辑门的转换性能,对全光逻辑与门的转换效率进行研究。采用牛顿法和四阶龙格库塔法求解量子点半导体光放大器(QD-SOA)的三能级跃迁速率方程和光场传输方程,讨论全光逻辑与门的转换效率和误码率。结果显示:增加脉冲宽度、最大模式增益以及减小损耗系数、电子从激发态(ES)到基态(GS)的跃迁时间,都会提高全光逻辑与门的转换效率,而增大有源区长度使得转换效率先增大后减小。分别取脉冲宽度为2.0 ps,损耗系数为160/m,有源区长度为2.0 mm,电子从ES到GS的跃迁时间为0.16 ps,最大模式增益为3 000/m时,转换效率提高至7.147 5 d B。但是,选取有源区长度、脉冲宽度和电子从ES到GS的跃迁时间须适当,因为同时获得较高的转换效率与较低的误码率之间存在一定的矛盾。因此,选取参数时要兼顾转换效率和误码率,以提高全光逻辑与门的转换效率,同时减小误码率。 展开更多
关键词 量子点半导体光放大器(QD-SOA) 全光逻辑与门 转换效率 误码率
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200-nm long TiO_2 nanorod arrays for efficient solid-state Pb S quantum dot-sensitized solar cellsR 被引量:1
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作者 Zhengguo Zhang Chengwu Shi +3 位作者 Kai Lv Chengfeng Ma Guannan Xiao Lingling Ni 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第4期1214-1218,共5页
To ensure the infiltration of spiro-OMeTAD into the quantum dot-sensitized photoanode and to consider the limit of the hole diffusion length in the spiro-OMeTAD layer, a rutile TiO2 nanorod array with a length of 200 ... To ensure the infiltration of spiro-OMeTAD into the quantum dot-sensitized photoanode and to consider the limit of the hole diffusion length in the spiro-OMeTAD layer, a rutile TiO2 nanorod array with a length of 200 nm, a diameter of 20 nm and an areal density of 720 ram 2 was successfully prepared using a hydrothermal method with an aqueous-grown solution of 38 mM titanium isopropoxide and 6 M hydrochloric acid at 170 ℃ for 75 min. PbS quantum dots were deposited by a spin coating-assisted successive ionic layer adsorption and reaction (spin-SILAR), and all solid-state PbS quantum dot-sensitized TiO2 nanorod array solar cells were fabricated using spiro-OMeTAD as electrolytes. The results revealed that the average crystal size of PbS quantum dots was -78 nm using Pb(NO3)2 as the lead source and remain unchanged with the increase of the number of spin-SILAR cycles. The all solid-state PbS quantum dot-sensitized TiO2 nanorod array solar cells with spin-SILAR cycle numbers of 20, 30 and 40 achieved the photoelectric conversion efficiencies of 3.74%, 4.12% and 3.11%, respectively, under AM 1.5 G illumination (100 mW/cm2). 展开更多
关键词 TiO2 nanomd array PbS quantum dot Spiro-OMeTAD All solid-state sensitized solar cell
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