背脊波导移相器高次模特性及阻抗匹配问题

本文采用行波展开法[1] 精确计算出背脊波导移相器各阶模式的传播常数及对应的截止波长 ,指出背脊波导移相器虽然很难让所有高阶模式都截止 ,但可以通过调整设计参数减小高次模与主模的耦合。在阻抗匹配设计中提出把波导模式与平面波类比 ,运用平面波阻抗计算公式代替TE模波阻抗作为阻抗匹配的初值 。

小尺寸硅绝缘体光波导损耗测量

基于法布里珀罗(F-P)腔理论建立了一种简单有效的硅绝缘体(SOI)光波导损耗测量方法。该方法采用端面耦合,通过测试波导反射功率谱并利用傅里叶频谱信息,完成波导损耗的测量。推导中指出了无法直接利用反射谱F-P峰峰谷值求解损耗的限制因素。应用该方法实现了对刻蚀深度为750nm和宽度为1200nm的SOI脊形波导损耗的测量,表明该测量方法能够对小尺寸、低损耗波导实现较高精度的损耗测量。

脊形单模硅光波导的设计

脊形单模硅光波导的设计韩关云（天津大学电子系天津市３０００７２）摘要对脊形单模硅光波导的模式特性进行了理论分析。设计了γ＝１．３μｍ的脊形硅光波导的结构参数及工艺流程。这种光波导的数值孔径和单模光纤匹配，传播损耗低于平面条形硅光波导。文中并对传播损耗...