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Microstructures and properties of aluminum film and its effect on corrosion resistance of AZ31B substrate 被引量:4
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作者 张津 杨栋华 欧信兵 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2008年第A01期312-317,共6页
Aluminum films with thickness of 8.78-20.82μm were deposited on the AZ31B magnesium alloys by DC magnetron sputtering.The influences of aluminum film on the micro-mechanical properties and corrosion behavior of the m... Aluminum films with thickness of 8.78-20.82μm were deposited on the AZ31B magnesium alloys by DC magnetron sputtering.The influences of aluminum film on the micro-mechanical properties and corrosion behavior of the magnesium alloys were investigated.The morphology of aluminum film was examined by scanning electron microscopy and the microstructure of aluminum film was analyzed by X-ray diffiactometry.Nanoindentation and nanoscratch tests were conducted to investigate their micromechanical properties.Moreover,potentiodynamical polarization test performed in 3.5%NaCl solution was carried out to study their anticorrosion performances.The results show that the surface hardness of AZ31B magnesium alloy with aluminum film is 1.38-2.01 GPa,higher than that of the magnesium alloy substrate.The critical load of Al film/AZ31B substrate is in the range of 0.68-2.77 N. The corrosion current density of AZ31B with aluminum film is 2-3 orders of magnitude less than that of bare AZ31B.And the corrosion potential with aluminum film positively shifts.Thus aluminum film can increase the corrosion resistance of Mg alloys obviously. 展开更多
关键词 AZ31B合金 镁合金 铝箔 强度 性能
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Thin Film Chip Resistors with High Resistance and Low Temperature Coefficient of Resistance 被引量:5
2
作者 王秀宇 张之圣 +1 位作者 白天 刘仲娥 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2010年第5期348-353,共6页
High resistance thin film chip resistors(0603 type) were studied,and the specifications are as follows:1 k? with tolerance about ±0.1% after laser trimming and temperature coefficient of resistance(TCR) less than... High resistance thin film chip resistors(0603 type) were studied,and the specifications are as follows:1 k? with tolerance about ±0.1% after laser trimming and temperature coefficient of resistance(TCR) less than ±15×10-6/℃.Cr-Si-Ta-Al films were prepared with Ar flow rate and sputtering power fixed at 20 standard-state cubic centimeter per minute(sccm) and 100 W,respectively.The experiment shows that the electrical properties of Cr-SiTa-Al deposition films can meet the specification requirements of 0603 ty... 展开更多
关键词 thin film chip resistor high resistance low temperature coefficient of resistance alloy target magnetic sputtering Cr-Si-Ta-Al film
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A combinatorial approach of developing alloy thin films using co-sputtering technique for displays 被引量:1
3
作者 Jaydeep SARKAR Tien-Heng HUANG +3 位作者 Lih-Ping WANG Peter H. McDONALD Chi-Fung LO Paul S. GILMAN 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2009年第1期79-87,共9页
In this study we have used a combinatorial approach for producing binary and ternary alloy thin film libraries using a lab-scale RF co-sputtering system. Initially we used two elemental sputtering targets, i.e. alumin... In this study we have used a combinatorial approach for producing binary and ternary alloy thin film libraries using a lab-scale RF co-sputtering system. Initially we used two elemental sputtering targets, i.e. aluminum (Al) target and neodymium (Nd) target, to produce a film library of varying composition and successfully identified a suitable composition range (1.95–2.38 at% Nd) in which resistance to hillock formation and resistivity of the film spots were found to be satisfactory in annealed state (350°C, 30 min). In another case, in order to form ternary alloy composition library we have used two sputtering targets, i.e. an Al-0.5 at% Nd alloy target and an elemental Ni target. Though, co-sputtered Al-0.6 at% Nd-0.9 at% Ni alloy films showed satisfactory resistance to hillock formation and low resistivity after annealing, film deposited from a ternary alloy target with the same composition failed to show satisfactory resistance to hillock formation during annealing. In case of Al-0.6 at% Nd-0.9 at% Ni alloy target, 250 nm thick film showed poor resistance to hillock formation than the 500 nm thick film. This clearly showed thickness-dependent hillock performance of Al-0.6 at% Nd-0.9 at% Ni alloy. In this study it was found that, in addition to the process variables, metallurgical microstructure of the alloy sputtering targets had significant effect on the film properties which was not obvious from the results of films deposited using co-sputtering of the individual elemental targets. 展开更多
关键词 co-sputtering THIN films aluminum alloyS DISPLAYS
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Influence of Substrate Bias Voltage on the Properties of Sputtered Aluminum-Scandium Thin Sheets
4
作者 Julien Kovac Heinz-Rolf Stock Hans-Werner Zoch 《Journal of Surface Engineered Materials and Advanced Technology》 2012年第2期115-119,共5页
Thin sheets (20 μm - 30 μm) of an aluminum-scandium alloy were manufactured by magnetron sputtering with a homogeneous thickness distribution. The influence of bias voltage on the sheet properties was investigated. ... Thin sheets (20 μm - 30 μm) of an aluminum-scandium alloy were manufactured by magnetron sputtering with a homogeneous thickness distribution. The influence of bias voltage on the sheet properties was investigated. Steel sheets of 100 μm were employed as substrate and were coated in a dc magnetron sputtering unit fitted with a rectangular target of aluminum 2.0 w% scandium master alloy. After deposition, the substrates were dissolved in an oxidizing medium and thus freestanding aluminum-scandium thin films were obtained. The homogeneous thickness was achieved by a reciprocal movement of the substrate. The influence of a radio frequency bias voltage on the coating properties was investigated. The bias voltage resulted in an important coarsening of the columnar structure as well as an increase of the roughness and hardness. Additionally, a low bias voltage could intensively reduce the coating defect density without altering too much the sheet properties. 展开更多
关键词 aluminum-Scandium alloy MAGNETRON sputtering FREESTANDING THIN films BIAS Voltage
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磁控溅射制备锌镍合金薄膜的结构及耐蚀性能研究
5
作者 袁景追 喻岚 +3 位作者 杨旭江 刘晓红 李红轩 吉利 《材料保护》 CAS CSCD 2024年第11期10-17,共8页
为提高飞机结构件的耐蚀性能,采用闭合场非平衡磁控溅射技术在18Cr3Ni结构钢表面制备了锌镍合金薄膜,考察了锌靶和镍靶电流对薄膜表面形貌、微观结构和耐蚀性能的影响。分别采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和纳米压痕仪对薄膜的微... 为提高飞机结构件的耐蚀性能,采用闭合场非平衡磁控溅射技术在18Cr3Ni结构钢表面制备了锌镍合金薄膜,考察了锌靶和镍靶电流对薄膜表面形貌、微观结构和耐蚀性能的影响。分别采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和纳米压痕仪对薄膜的微观形貌、晶相结构和力学性能进行了分析。对薄膜的电化学特性和耐中性盐雾腐蚀性能进行了研究,并对腐蚀产物进行了分析。结果表明:采用闭合场非平衡磁控溅射技术制备的锌镍合金薄膜具有致密的结构,薄膜中的镍起到了细化晶粒的作用,但随着镍含量的增加,薄膜的耐蚀性能下降。镍含量为7.63%(原子分数,下同)的锌镍合金薄膜具有最好的耐蚀性能,但其力学性能较差;镍含量为12.88%的锌镍合金薄膜具有良好的耐蚀性能和力学性能。薄膜经过中性盐雾试验后的腐蚀产物Zn_(5)(OH)_(8)Cl_(2)·H_(2)O起到了钝化作用,阻止了薄膜和基底被进一步腐蚀。采用磁控溅射制备的锌镍合金薄膜可用于精密结构件表面的腐蚀防护。 展开更多
关键词 锌镍合金薄膜 靶电流 耐蚀性能 镍含量 磁控溅射
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镍铂合金溅射靶材在半导体制造中的应用及发展趋势 被引量:12
6
作者 王一晴 郭俊梅 +4 位作者 管伟明 闻明 谭志龙 张俊敏 王传军 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期87-92,共6页
镍铂合金靶材广泛应用于半导体工业。通过磁控溅射,镍铂合金靶材在硅器件表面沉积并反应生成镍铂硅化物薄膜,实现半导体接触及互连。对镍铂硅化物在肖特基二极管制造和半导体集成电路中的应用进行了分析,综述了镍铂合金结构与性质研究... 镍铂合金靶材广泛应用于半导体工业。通过磁控溅射,镍铂合金靶材在硅器件表面沉积并反应生成镍铂硅化物薄膜,实现半导体接触及互连。对镍铂硅化物在肖特基二极管制造和半导体集成电路中的应用进行了分析,综述了镍铂合金结构与性质研究成果及制备方法,提出了镍铂合金靶材高纯化、提高磁透率和控制晶粒度的发展趋势。 展开更多
关键词 金属材料 镍铂合金薄膜 镍铂硅化物 溅射靶材 半导体 发展趋势
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集成电路电极布线用铝合金薄膜及其溅射靶材 被引量:8
7
作者 吴丽君 夏慧 陆彪 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期111-113,125,共4页
近年来 ,铝合金薄膜广泛用作半导体集成电路的电极布线材料。作为制备溅射薄膜材料的铝合金靶材也获得了相应的应用。本文介绍了集成电路电极布线用铝合金薄膜及其溅射靶材的种类和性能 ,铝合金靶材的制备工艺以及铝合金靶材的发展趋势。
关键词 铝合金薄膜 溅射靶材 集成电路 电极布线材料
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用于等电子谱线法诊断电子温度的Mg/Si混合膜制备工艺研究 被引量:4
8
作者 许华 吴卫东 +3 位作者 陈志梅 唐晓虹 黄勇 唐永建 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2002年第4期371-373,共3页
进行了在单靶头磁控溅射装置上采用复合靶溅射制备Mg/Si混合膜的工艺研究 ,制备出了不同组分的Mg/Si混合膜 ,并利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )、透射电镜 (TEM )等测试手段 ,对混合膜的结构进行了初步分析。分析结果表明 :Mg... 进行了在单靶头磁控溅射装置上采用复合靶溅射制备Mg/Si混合膜的工艺研究 ,制备出了不同组分的Mg/Si混合膜 ,并利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )、透射电镜 (TEM )等测试手段 ,对混合膜的结构进行了初步分析。分析结果表明 :Mg/Si混合膜中的镁以单取向多晶形式存在 。 展开更多
关键词 等电子谱线法 诊断 Mg/Si混合膜 制备工艺 电子温度 磁控溅射 复合靶 镁硅混合膜 惯性约束聚变 等离子体
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从工艺参数角度探讨AZ系镁合金表面磁控溅射单层铝及氧化铝膜的耐腐蚀和耐磨损性能 被引量:4
9
作者 高正源 胡琳盛 +2 位作者 刘浪 任毅 李辉君 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期90-96,共7页
AZ系镁合金在工业领域具有广阔的应用前景,但其耐腐蚀性能和耐磨损性能差阻碍了其发展。绿色环保的磁控溅射表面涂覆技术是防止镁合金腐蚀和磨损的方法之一。简要地介绍了磁控溅射镀膜技术的原理及特点,评述了当今磁控溅射的重要发展。... AZ系镁合金在工业领域具有广阔的应用前景,但其耐腐蚀性能和耐磨损性能差阻碍了其发展。绿色环保的磁控溅射表面涂覆技术是防止镁合金腐蚀和磨损的方法之一。简要地介绍了磁控溅射镀膜技术的原理及特点,评述了当今磁控溅射的重要发展。结合近几年的实验研究,回顾和总结了溅射沉积薄膜技术的发展历程和应用现状,重点分析了溅射工艺参数对薄膜耐腐蚀和耐磨损性能的影响。最后,展望了磁控溅射技术未来的发展趋势。 展开更多
关键词 镁合金 磁控溅射 铝及氧化铝膜 耐腐蚀/耐磨损性能
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铝合金表面磁控溅射TiN薄膜的性能 被引量:2
10
作者 王会强 邢艳秋 +3 位作者 孙铂 孙维连 董婷婷 蒋辉 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期176-180,共5页
利用中频反应磁控溅射技术在铝合金表面成功制备TiN薄膜,通过改变氮气流量、溅射时间、靶功率可以在铝合金表面沉积不同颜色、不同附着力、不同硬度的TiN薄膜,显著改善铝合金表面的性能。采用国际照明委员会CIE1976(L*、a*、b*)来标定... 利用中频反应磁控溅射技术在铝合金表面成功制备TiN薄膜,通过改变氮气流量、溅射时间、靶功率可以在铝合金表面沉积不同颜色、不同附着力、不同硬度的TiN薄膜,显著改善铝合金表面的性能。采用国际照明委员会CIE1976(L*、a*、b*)来标定薄膜颜色,利用CM-2600d分光测色计研究TiN薄膜的反射率曲线、色差及色彩仿真;采用划格法测量附着力大小并评级;采用MH-6显微硬度计测量TiN薄膜硬度。结果表明,当氮气流量为18 mL/min溅射时间为10 min,靶功率为5 kW时,TiN薄膜呈仿金色,薄膜附着力评为0级,薄膜硬度为427.8 HV,TiN薄膜具有优良的性能。 展开更多
关键词 中频磁控溅射 铝合金 TIN薄膜 附着力 硬度
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AZ31镁合金磁控溅射镀铝膜的性能研究 被引量:5
11
作者 王振林 杨惠 《轻合金加工技术》 CAS 北大核心 2007年第5期32-34,共3页
采用超真空磁控溅射镀膜设备在AZ31镁合金表面进行了铝保护膜的镀覆,利用辉光放电光谱分析和纳米压痕/划痕试验技术,研究了镀层的成分和显微力学性能随薄膜深度的分布。结果表明,铝镀层在镁合金基体表面形成,镀层和基体之间存在混融的... 采用超真空磁控溅射镀膜设备在AZ31镁合金表面进行了铝保护膜的镀覆,利用辉光放电光谱分析和纳米压痕/划痕试验技术,研究了镀层的成分和显微力学性能随薄膜深度的分布。结果表明,铝镀层在镁合金基体表面形成,镀层和基体之间存在混融的过渡层,铝镀层的表面硬度、弹性模量等高于镁合金基体的,并随深度增加而递减,膜层与基体结合良好并表现出一定塑性,镀铝膜有利于镁合金表面防护层的形成。 展开更多
关键词 磁控溅射 镁合金 镀铝膜 防护层
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超高纯铝合金互连线及其溅射靶材 被引量:2
12
作者 马晓艺 陈江波 黄光杰 《轻合金加工技术》 CAS 北大核心 2011年第7期56-60,共5页
近些年来,随着集成电路(IC)技术的进步,围绕集成电路的相关应用得到迅速发展,超高纯铝合金溅射靶材作为集成电路金属互连线制造中的配套材料,由此成为最近国内研究的热点。本文就超高纯铝合金溅射靶材在金属互连线中的应用、性能要求、... 近些年来,随着集成电路(IC)技术的进步,围绕集成电路的相关应用得到迅速发展,超高纯铝合金溅射靶材作为集成电路金属互连线制造中的配套材料,由此成为最近国内研究的热点。本文就超高纯铝合金溅射靶材在金属互连线中的应用、性能要求、加工工艺以及发展前景进行了综述。 展开更多
关键词 超高纯铝合金 集成电路 互连线 溅射 靶材
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铝合金功能薄膜与溅射靶材 被引量:6
13
作者 吴丽君 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期347-351,共5页
近年来 ,铝合金广泛用于生产多种功能薄膜。作为制备高性能溅射薄膜用的铝合金靶材也得到了相应的应用。本文重点介绍应用于不同领域的几种铝合金功能薄膜 ,简述了铝合金薄膜与溅射靶材的制备工艺、铝合金靶材的显微结构及其对溅射薄膜... 近年来 ,铝合金广泛用于生产多种功能薄膜。作为制备高性能溅射薄膜用的铝合金靶材也得到了相应的应用。本文重点介绍应用于不同领域的几种铝合金功能薄膜 ,简述了铝合金薄膜与溅射靶材的制备工艺、铝合金靶材的显微结构及其对溅射薄膜性能的影响 。 展开更多
关键词 铝合金薄膜 溅射靶材 功能薄膜 应用 薄膜工艺
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铝合金表面磁控溅射Cu膜的镀制及其低温钎焊性能研究 被引量:1
14
作者 杨波 田修波 巩春志 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期153-157,共5页
针对铝合金无法直接烙铁钎焊的问题,本文提出了一种表面改性焊接的新方法:采用离子注入与磁控溅射相结合的技术在2024铝合金表面制备Cu膜,并实现了铝合金的低温钎焊。实验中通过改变基体偏压,研究不同参数对Cu膜的沉积速率、表面形貌、... 针对铝合金无法直接烙铁钎焊的问题,本文提出了一种表面改性焊接的新方法:采用离子注入与磁控溅射相结合的技术在2024铝合金表面制备Cu膜,并实现了铝合金的低温钎焊。实验中通过改变基体偏压,研究不同参数对Cu膜的沉积速率、表面形貌、相结构以及低温钎焊性能的影响。结果表明:随着偏压幅值的增大,Cu膜的沉积速率逐渐下降,表面粗糙度先降低后增大,Cu膜呈现出较强的(111)择优取向;Cu膜的镀制改善了铝合金的低温钎焊性能,当偏压为-300 V时,所得钎焊接头剪切强度可达24.47 MPa,接头断口微观形貌呈现出局部拉长且方向一致的韧窝。 展开更多
关键词 铝合金 磁控溅射 CU膜 低温钎焊
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磁控溅射镀膜技术在铝合金制品装饰镀中的应用 被引量:2
15
作者 张恒 严由春 +1 位作者 姜文 王树林 《现代制造工程》 CSCD 北大核心 2018年第6期86-90,共5页
磁控溅射镀膜技术广泛应用于高档产品零/部件表面的装饰镀中。采用磁控溅射镀膜技术在铝合金基材上镀制Ti/TiN/TiCN复合薄膜,研究了氮气流量、乙炔流量及沉积时间等工艺参数对制备TiCN薄膜颜色的影响,探讨了提高复合薄膜的显微硬度、结... 磁控溅射镀膜技术广泛应用于高档产品零/部件表面的装饰镀中。采用磁控溅射镀膜技术在铝合金基材上镀制Ti/TiN/TiCN复合薄膜,研究了氮气流量、乙炔流量及沉积时间等工艺参数对制备TiCN薄膜颜色的影响,探讨了提高复合薄膜的显微硬度、结合强度并进而改善铝合金表面装饰性和防护性的途径。研究结果表明,通过控制氮气流量、乙炔流量及沉积时间可使TiCN薄膜呈现特定颜色,如仿金色;当复合薄膜膜厚达到1.5μm时,涂层铅笔硬度达到6 H,薄膜附着力达到1级,满足电子行业的测试标准。 展开更多
关键词 磁控溅射 铝合金 Ti/TiN/TiCN复合薄膜
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基板偏压对溅镀AlCrNbSiTiV高熵合金氮化物薄膜性能的影响 被引量:6
16
作者 万松峰 许春耀 吴锦城 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期122-128,共7页
用真空电弧熔炼法制备了AlCrNbSiTiV高熵合金,并将其作为靶材,利用直流反应式磁控溅镀法在T1200A金属陶瓷刀具或硅晶片上沉积了高熵合金氮化物薄膜。通过扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪和纳米压痕仪考察了基板偏压对薄膜形貌、元素含量... 用真空电弧熔炼法制备了AlCrNbSiTiV高熵合金,并将其作为靶材,利用直流反应式磁控溅镀法在T1200A金属陶瓷刀具或硅晶片上沉积了高熵合金氮化物薄膜。通过扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪和纳米压痕仪考察了基板偏压对薄膜形貌、元素含量、物相成分和性能的影响。所得氮化物薄膜均匀、致密,所有元素的原子分数与靶材相当。由于再溅射,沉积速率随着基板偏压增大而减小。薄膜的弹性恢复和显微硬度在基板偏压为0^-100 V时随着偏压增大而提高,进一步增大偏压反而减小。相比未溅镀薄膜的刀具,用溅镀了AlCrNbSiTiV氮化物薄膜的刀具干切削S45C中碳钢圆柱工件,工件表面的粗糙度和刀具的侧面磨损显著降低。-100 V偏压溅镀的刀具的切削性能最佳。 展开更多
关键词 金属陶瓷刀具 高熵合金 铝铬铌硅钛钒 氮化物薄膜 反应式磁控溅镀 基板偏压 切削
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铝合金表面(Ti_xAl_y)N薄膜构成及耐磨、耐蚀性探讨
17
作者 王齐伟 左秀荣 +2 位作者 黄晓辉 史新伟 倪培相 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期59-60,78,共3页
传统的阳极氧化技术可以提高铝合金的表面防护装饰性能。为了进一步扩大其应用范围,提高其使用寿命,通过磁控溅射技术,在6063铝合金的表面镀覆了一层(TixAly)N薄膜,利用薄膜测厚仪、显微硬度计、X射线衍射仪以及扫描电镜分别测量和分析... 传统的阳极氧化技术可以提高铝合金的表面防护装饰性能。为了进一步扩大其应用范围,提高其使用寿命,通过磁控溅射技术,在6063铝合金的表面镀覆了一层(TixAly)N薄膜,利用薄膜测厚仪、显微硬度计、X射线衍射仪以及扫描电镜分别测量和分析了薄膜的厚度、硬度、相组成及表面形态。研究发现,6063铝合金表面镀覆(TixAly)N薄膜,可以明显提高6063铝合金的硬度。主要原因是(TixAly)N薄膜中几个强化相(TiN、AlN、Ti3AlN)硬度较高;与传统的阳极氧化膜相比,(TixAly)N薄膜与基体6063铝合金的结合性能更好,因而具有较高的致密性,有益于6063铝合金抗腐蚀和抗磨损性能提高。6063铝合金镀覆(TixAly)N薄膜后在装饰行业将有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 (TiAl)N薄膜 6063铝合金 磁控溅射 耐磨 耐蚀
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铝锰合金表面直流反应磁控溅射制备氧化铟锡薄膜
18
作者 黄晓辉 左秀荣 姬中华 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期35-37,40,共4页
采用直流反应磁控溅射在AlMn合金表面制备出ITO薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射、紫外–可见光测试、磨损试验、盐雾试验、薄膜厚度测量和显微硬度试验等方法对制备的ITO薄膜表面进行检测分析。结果表明:在溅射功率210W、衬底温度120... 采用直流反应磁控溅射在AlMn合金表面制备出ITO薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射、紫外–可见光测试、磨损试验、盐雾试验、薄膜厚度测量和显微硬度试验等方法对制备的ITO薄膜表面进行检测分析。结果表明:在溅射功率210W、衬底温度120°C、溅射时间20min的条件下,AlMn合金表面的ITO薄膜晶粒尺寸细小,与基底结合良好,AlMn合金表面光泽度好,强度、硬度高,并具有一定的耐磨、耐蚀性能。 展开更多
关键词 铝锰合金 氧化铟锡 薄膜 直流反应磁控溅射
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铝合金双极板磁控溅射Ag掺杂类石墨薄膜表面改性研究 被引量:8
19
作者 邢益彬 蒋百灵 +1 位作者 李洪涛 邵文婷 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期67-71,共5页
目的研究在铝合金样品表面制备Ag掺杂类石墨薄膜对样品导电、耐蚀性能的影响。方法采用磁控溅射离子镀技术,在6061铝合金表面沉积了Ag掺杂类石墨层,对样品微观形貌、接触电阻和电化学腐蚀性能进行了观察测试。结果类石墨薄膜厚度随着Ag... 目的研究在铝合金样品表面制备Ag掺杂类石墨薄膜对样品导电、耐蚀性能的影响。方法采用磁控溅射离子镀技术,在6061铝合金表面沉积了Ag掺杂类石墨层,对样品微观形貌、接触电阻和电化学腐蚀性能进行了观察测试。结果类石墨薄膜厚度随着Ag靶电流的提高而增大。与铝合金基体相比,镀膜样品的接触电阻降低了2个数量级,腐蚀电流密度降低了2~3个数量级。Ag靶材电流为0.04 A时,镀膜样品接触电阻(1.5 MPa压强)为1.93 m?·cm^2,腐蚀电流密度低至10^(-5.5) A/cm^2数量级。结论沉积有Ag掺杂类石墨薄膜的样品达到了极低的表面接触电阻与较低的腐蚀电流密度,使镀膜后的铝合金样品具有优异的导电性能与较好的耐腐蚀性能。 展开更多
关键词 铝合金双极板 AG掺杂 类石墨薄膜 磁控溅射 接触电阻 耐蚀电流密度
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耐蚀Zn-Al合金材料的组合材料芯片方法优选 被引量:2
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作者 霍伟亮 刘庆峰 +2 位作者 刘茜 朱丽慧 王利 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1703-1708,共6页
应用组合材料芯片方法,通过离子束溅射法制备了全组分范围的Zn-Al薄膜样品阵列.沉积得到的多层薄膜经370℃扩散处理2h形成合金薄膜.通过扫描俄歇能谱仪(AES)、X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对样品的成分、结构和形貌进行表征.... 应用组合材料芯片方法,通过离子束溅射法制备了全组分范围的Zn-Al薄膜样品阵列.沉积得到的多层薄膜经370℃扩散处理2h形成合金薄膜.通过扫描俄歇能谱仪(AES)、X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对样品的成分、结构和形貌进行表征.结果显示,在低温退火后,合金薄膜成分均匀,结晶良好,表面致密.材料芯片上的样品在0.1mol·L-1氯化钠溶液中的极化电阻测试结果表明,对于全组分的Zn-Al合金薄膜,Al摩尔分数在87%附近的成分具有最高的极化电阻值.进一步的实验发现,在83%-86%这一较宽的摩尔分数区间内,极化电阻值均保持在105Ω·cm-2以上,比传统热镀锌镀层的极化电阻高1个数量级. 展开更多
关键词 组合材料芯片技术 锌铝合金薄膜 耐腐蚀性能 离子束溅射
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