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溶液组分对铝阳极氧化多孔膜界面电性能的影响
1
作者
旷亚非
王玲
王美媛
《电化学》
CAS
CSCD
1998年第3期293-297,共5页
采用电渗法研究了电解质溶液组分对铝阳极氧化多孔膜层界面电性能的影响.结果表明,多孔膜分别经含F-、PO3-4、SiO2-3或单宁酸溶液浸泡处理后,膜在0.01mol/LKCl溶液中的等电点由原来的pHIEP=9.20...
采用电渗法研究了电解质溶液组分对铝阳极氧化多孔膜层界面电性能的影响.结果表明,多孔膜分别经含F-、PO3-4、SiO2-3或单宁酸溶液浸泡处理后,膜在0.01mol/LKCl溶液中的等电点由原来的pHIEP=9.20分别移至pHIEP=3.40,4.30,3.30和4.50;pH<pHIEP时,多孔膜荷正电,pH>pHIEP时多孔膜荷负电,膜的ζ电位—pH曲线也发生了变化.经酸性品红和碱性品红溶液浸泡后的多孔膜,在2.0<pH<11.0范围无等电点,膜的ζ电位始终大于零(碱性品红浸泡),ζ电位始终小于零(酸性品红浸泡).
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关键词
铝
阳极氧化
界面电性能
多孔膜
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职称材料
铝阳极氧化膜的界面性能与常温封闭
2
作者
旷亚非
王美媛
王玲
《湖南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1999年第2期24-27,31,共5页
采用电渗法研究了几种电解质溶液对铝阳极氧化多孔膜界面性能的影响.结果表明,含有F-,SiO2-3,PO3-4,S2O2-3和酒石酸根等的电解质溶液,使多孔膜的等电点pHIEP由原来的9.20分别移至3.40,3.30...
采用电渗法研究了几种电解质溶液对铝阳极氧化多孔膜界面性能的影响.结果表明,含有F-,SiO2-3,PO3-4,S2O2-3和酒石酸根等的电解质溶液,使多孔膜的等电点pHIEP由原来的9.20分别移至3.40,3.30,4.30,3.90和3.80,膜的带电性能发生了相应的变化.多孔膜带电性能的变化有利于常温封闭液中的金属离子进入多孔膜内,同时F-,S2O2-3还可通过与膜内H+,H2O等的相互作用,使膜孔内pH升高,从而加速金属离子在膜内的水解沉积,促进常温封闭的进行.
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关键词
铝
阳极氧化
界面性能
常温封闭
多孔膜层
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职称材料
题名
溶液组分对铝阳极氧化多孔膜界面电性能的影响
1
作者
旷亚非
王玲
王美媛
机构
湖南大学化学化工学院
出处
《电化学》
CAS
CSCD
1998年第3期293-297,共5页
文摘
采用电渗法研究了电解质溶液组分对铝阳极氧化多孔膜层界面电性能的影响.结果表明,多孔膜分别经含F-、PO3-4、SiO2-3或单宁酸溶液浸泡处理后,膜在0.01mol/LKCl溶液中的等电点由原来的pHIEP=9.20分别移至pHIEP=3.40,4.30,3.30和4.50;pH<pHIEP时,多孔膜荷正电,pH>pHIEP时多孔膜荷负电,膜的ζ电位—pH曲线也发生了变化.经酸性品红和碱性品红溶液浸泡后的多孔膜,在2.0<pH<11.0范围无等电点,膜的ζ电位始终大于零(碱性品红浸泡),ζ电位始终小于零(酸性品红浸泡).
关键词
铝
阳极氧化
界面电性能
多孔膜
Keywords
aluminum
,
anodization
,
interfacial electric characteristic
分类号
O614.31 [理学—无机化学]
O646.542 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
铝阳极氧化膜的界面性能与常温封闭
2
作者
旷亚非
王美媛
王玲
机构
湖南大学化学化工学院
出处
《湖南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1999年第2期24-27,31,共5页
基金
机械工业部教育司基金
文摘
采用电渗法研究了几种电解质溶液对铝阳极氧化多孔膜界面性能的影响.结果表明,含有F-,SiO2-3,PO3-4,S2O2-3和酒石酸根等的电解质溶液,使多孔膜的等电点pHIEP由原来的9.20分别移至3.40,3.30,4.30,3.90和3.80,膜的带电性能发生了相应的变化.多孔膜带电性能的变化有利于常温封闭液中的金属离子进入多孔膜内,同时F-,S2O2-3还可通过与膜内H+,H2O等的相互作用,使膜孔内pH升高,从而加速金属离子在膜内的水解沉积,促进常温封闭的进行.
关键词
铝
阳极氧化
界面性能
常温封闭
多孔膜层
Keywords
aluminum
,
anodization
,
interfacial
characteristic
,cold seal
分类号
TQ153.6 [化学工程—电化学工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
溶液组分对铝阳极氧化多孔膜界面电性能的影响
旷亚非
王玲
王美媛
《电化学》
CAS
CSCD
1998
0
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职称材料
2
铝阳极氧化膜的界面性能与常温封闭
旷亚非
王美媛
王玲
《湖南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1999
0
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职称材料
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