S-粗集与它的■-记忆

利用s-粗集(singular rough sets)的F-记忆概念,S-粗集的F-记忆结构;提出F-记忆恢复定理,F-记忆链定理,F-记忆环定理和F-记忆链上知识丢失原理.本文给出S-粗集的-F-记忆概念,S-粗集的-F-记忆结构,提出-F-记忆链定理,-F-记忆环定理和-F-记忆链上知识补充原理.

正多边离散环路磁场积分问题分析

为解决直通光路型光学电流互感器抗外磁场干扰能力差的问题,提出一种零和御磁技术解决方法.在分析离散环路磁场积分的基础上,对离散安培环路定律及其数学模型进行探讨,并具体研究了正多边离散环路Sm模型和Sm正分布的mSm模型等两类离散环路磁场积分模型.结果表明:Sm模型存在2m个零和P点,干扰电流位于零和P点时对Sm模型的磁场积分结果的贡献为零;mSm模型中任意两个Sm位置互换时其原点与零和P点互换.据此提出了Sm模型的零和定理和mSm模型的互易定理,离散安培环路定律与零和定理、互易定理一起形成了正多边离散环路磁场积分理论体系.研究结果为光学电流互感器的零和御磁技术奠定了理论基础.

磁场安培环路定理证明的新方法

大学物理中磁场的安培环路定理是学生重点掌握的内容之一,安培环路定理的证明也是必须要讲解的内容.现有的教材在证明环路不包围电流的情况时多采用圆心角的方法证明,本文给出了两种新的证明方法,此方法借用了环路中包围电流的环路积分结果,方法简单、明了,在国内广泛使用的教材中未见出现此证明方法.

磁场环路积分的等价解环

为解决光学电流互感器(OCT)抵卸磁场干扰与运行可靠性的矛盾问题,在提炼了磁场积分环路的等价解环条件的基础上,提出了磁场积分环路的正交解环法和零和解环法.证明了3个基本的解环定理:正交解环定理、零和解环定理和均匀磁场矩形环路的解环定理.提出的正交解环法和零和解环法可以将安培环路定律等价地推广到非环路情况,并给出了实例.该研究为解决光学电流互感器在电力系统的实际应用中抵御磁场干扰与运行稳定性的矛盾问题奠定了理论基础.

基于霍尔效应直流电表的设计与制作

基于安培环路定理和霍尔效应,设计制作了一种电流测量装置.该装置利用线性霍尔元件,提供了一种间接测量电流的方法,并对0～20A的直流电流进行了实验验证.实验结果表明：该装置的测量精度满足测量要求.

基于贝叶斯定理的势能函数应用于蛋白质结构预测

改进了一种基于贝叶斯定理的S势能函数并应用于对loop结构的测试取得较好结果,证明S势能函数对loop结构预测是可行的和有效的。测定结果说明S势能函数的辨别率高于RAPDF势能函数,对loop结构具有较好的预测能力。

电磁场中两个重要定理的对比研究

高斯定理和安培环路是电磁学中的两个重要定理,通过采用对比研究的方法将定理的证明和定理的应用进行对比研究,找出其相似处,便于更好的掌握电磁学的精髓,运用高斯定理和安培环路定理来解决电磁学中的问题。

安培环路定理的成立条件

在计算一平行板电容器的两板间磁感应强度Ｂ时，有常见的两种解法，其中一种常见解法是错误的。本文分析了这种常见解答错误的原因。进而阐述了安培环路定理的成立条件。

再谈安培环路定理的证明

给出了根据高斯公式证明安培环路定理的一种方法

安培环路定理的一种证明

本文从毕一萨定律出发，运用磁场选加原理和立体角的知识，对安培环路定理提供了一种证明方法．

电力电缆工频磁场计算方法探讨

提出了一种电力电缆工频磁场的等效计算方法。根据安培环路定则确定每相电缆对测量点的磁场贡献,利用局部坐标和叠加定理对每相电流的磁场贡献进行矢量相加,建立了电缆外任意一点的磁感应强度与三相电流之间的物理数学模型,给出了用于计算电缆外任意一点磁场的解析表达式。电磁场有限元仿真和等效模型计算的结果表明,建立的等效模型具有满足需求的准确性,对电力电缆的磁场计算具有指导价值。

二次闭合曲线积分与闭合曲面积分的变换

由静磁场中Ampere环路定理得到二次闭合曲线积分与闭合曲面积分之间相互转化的数学命题,并基于数学分析的Gauss定理和Stokes定理,证明该数学定理,以及利用该定理给出静磁场中Ampere环路定理的严格证明.

氧化锌压敏电阻8/20 μS脉冲电流下的伏安特性曲线分析

氧化锌压敏电阻器在8/20μS脉冲电流下的伏安特性曲线,在电流上升沿和和下降沿呈现不重合的回线特征。本文以压敏陶瓷体在击穿后的电流区以非线性电阻、晶粒电阻、等效电感和引出电阻相串联的物理模型为基础,提出陶瓷体等效电感、电极等效电感和引线电感共同构成压敏电阻的等效串联电感,电极等效电阻和引线等效电阻共同构成引出电阻,串联电感形成回线特征。按照这一模型,用测量数据可以推算出不同电流点的串联电感值,等效电感值是一个常数,并可推断陶瓷体等效电感确实存在且为常数。可以确认,除了引出电感(含引线电感和电极等效电感)外,伏安特性的回线特征是压敏陶瓷体的本征特性。

论“静电场的高斯定理”与“安培环路定理”教学设计的相似性

"静电场的高斯定理"是静电学中最基本最重要的定理,同样"安培环路定理"在稳恒磁场中也同样有着举足轻重的地位,本文基于"静电场的高斯定理"与"安培环路定理"的教学设计,给出两大定理在推导过程中的相似点。