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ZnS/ZnSe多量子阱的光调制测试
1
作者
刘大力
李公羽
+3 位作者
杜国同
张景林
张源涛
李万成
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第0Z2期40-42,共3页
以DMZn、H2Se和H2S为源,用Ap-MOCVD法在GaAs(100)衬底上生长出了ZnS/ZnSe超晶格量子阱,并用X射线衍射等方法鉴定了超晶格量子阱结构,在带蚀孔的衬底的ZnS/ZnSe超晶格量子阱上,首次观测到皮秒量级的光光调制现象。
关键词
ZnS/ZnSe多量子阱
光调制
测试
ap-mocvd法
超晶格
硫化锌
硒化锌
X射线衍射
非线性光学
半导体材料
下载PDF
职称材料
题名
ZnS/ZnSe多量子阱的光调制测试
1
作者
刘大力
李公羽
杜国同
张景林
张源涛
李万成
机构
吉林大学集成光电子国家重点联合实验室
吉林大学通信工程学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第0Z2期40-42,共3页
文摘
以DMZn、H2Se和H2S为源,用Ap-MOCVD法在GaAs(100)衬底上生长出了ZnS/ZnSe超晶格量子阱,并用X射线衍射等方法鉴定了超晶格量子阱结构,在带蚀孔的衬底的ZnS/ZnSe超晶格量子阱上,首次观测到皮秒量级的光光调制现象。
关键词
ZnS/ZnSe多量子阱
光调制
测试
ap-mocvd法
超晶格
硫化锌
硒化锌
X射线衍射
非线性光学
半导体材料
分类号
TN304.22 [电子电信—物理电子学]
O47 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
ZnS/ZnSe多量子阱的光调制测试
刘大力
李公羽
杜国同
张景林
张源涛
李万成
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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职称材料
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