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溅射气氛对所制备PST/Si薄膜性能的影响
1
作者
王茂祥
孙平
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期417-420,共4页
采用高频磁控溅射法制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜(以下简称PST/Si)。实验表明,合适的Ar、O2分压比,能保证溅射时挥发出的Pb及时与补充的O离子得以充分化合,确保制备所需成份的PST薄膜。O2分压过高,Au电极中将有大量的O...
采用高频磁控溅射法制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜(以下简称PST/Si)。实验表明,合适的Ar、O2分压比,能保证溅射时挥发出的Pb及时与补充的O离子得以充分化合,确保制备所需成份的PST薄膜。O2分压过高,Au电极中将有大量的O离子严重渗透,从而使PST薄膜介电损耗增加并降低其极化能力。实验中Ar、O2比为5:1的PST/Si样品性能较好,其介电损耗约在0.12~0.21之间,热释电系数约为2.35×10^-2μC/cm^2K。
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关键词
(Pb1-xSrx)Ti
o
3铁电薄膜
磁控溅射
ar与o2分压比
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职称材料
题名
溅射气氛对所制备PST/Si薄膜性能的影响
1
作者
王茂祥
孙平
机构
南京大学工程管理学院
加拿大多伦多大学
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期417-420,共4页
基金
国家自然科学基金(No.69671008)
教育部光电技术及系统重点实验室资助课题(No.CETD00-09)
文摘
采用高频磁控溅射法制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜(以下简称PST/Si)。实验表明,合适的Ar、O2分压比,能保证溅射时挥发出的Pb及时与补充的O离子得以充分化合,确保制备所需成份的PST薄膜。O2分压过高,Au电极中将有大量的O离子严重渗透,从而使PST薄膜介电损耗增加并降低其极化能力。实验中Ar、O2比为5:1的PST/Si样品性能较好,其介电损耗约在0.12~0.21之间,热释电系数约为2.35×10^-2μC/cm^2K。
关键词
(Pb1-xSrx)Ti
o
3铁电薄膜
磁控溅射
ar与o2分压比
Keywords
(Pb1-xSrx) Ti
o
3 ferr
o
eleetrie thin films, Magnetr
o
n sputtering,
ar
/
o
2
rati
o
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溅射气氛对所制备PST/Si薄膜性能的影响
王茂祥
孙平
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
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职称材料
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