低能Ar离子束处理对CuO纳米线的微观结构、化学成分及润湿性能的影响

离子束技术作为一种精确可控的表面改性技术,已开始成为调控纳米材料结构和性能的重要技术之一。利用热氧化法在铜网表面直接合成高密度、高质量和高长径比的CuO纳米线(CuO NWs)阵列,采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和接触角测试仪,研究低能(860 eV)Ar离子束表面处理不同时间(0、5、10、15、20 min)对CuO NWs微观结构、化学成分及润湿性能的影响。结果表明:CuO NWs表面经低能Ar离子束处理后,CuO NWs顶端弯曲,表面变粗糙。随处理时间的增加,相邻CuO NWs之间出现熔合现象,CuO NWs顶端逐渐由双晶结构转变为非晶结构,CuO NWs表面部分CuO逐渐被还原成Cu_(2)O,CuO NWs表面的静态水接触角(SWCA)值从(86±2)°先大幅度增大到(152±3)°后轻微减小到(141±2)°,当处理时间为10 min时,获得最大的SWCA值为(152±3)°,表明CuO NWs表面具备超疏水性。因此,利用低能Ar离子束表面改性技术可以基本实现对CuO NWs形貌、结构和性能等的精确调控。研究结果可为离子束技术精确调控其他一维纳米材料性能提供理论基础和试验依据。

Ar^+离子束对U薄膜表面粗糙度的影响

采用Ar+离子束对U薄膜表面进行反应溅射,通过白光干涉仪和台阶仪的测量与分析,着重研究Ar+离子束溅射能量、入射角度对其表面粗糙度Ra的影响,并与Ar+离子束刻蚀试验进行比对。结果表明,以30°角入射,随溅射时间的增加,能量为0.5keV的Ar+离子束较1.0keV对U薄膜表面粗糙度趋于减小,表面愈光滑,溅射深度仅限于纳米级,而与金属Mo的刻蚀效果相比与之相反。Ar+离子束溅射对材料表面具有超精细抛光的效果,辅之于离子束微米级刻蚀减薄,将有助于U薄膜表面精细加工。

离子束刻蚀法制备大功率高效率650nm AlGaInP可见光激光器(英文)

用纯 Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率 6 5 0 nm实折射率 Al Ga In P压应变量子阱激光器 .对偏角衬底 ,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面 .制备的激光器条宽腔长分别为 4 μm和 6 0 0 μm,前后端面镀膜条件为 10 % / 90 % .室温下阈值电流的典型值为 4 6 m A,输出功率为 4 0 m W时仍可保持基横模 .10 m W,4 0 m W时的斜率效率分别为 1.4 W/ A和 1.1W/ A.

FIB-SEM-Ar“三束”显微镜

FIB-SEM-Ar"三束"显微镜在FIB/SEM装置的平台上附加了降低样品损伤的低能Ar离子枪,首次实现了通过一台仪器完成高质量的透射电子显微镜TEM的样品制备。简化了样品整个加工的过程,同时大大提高了加工精度和工作效率。对"三束"显微镜做了介绍。

离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度

用Ar+离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的增加呈线性减小;当汞空位浓度一定时,n区宽度随被刻蚀HgCdTe体积的增加呈线性增加.

无芒雀麦愈伤组织在氩离子(Ar^+)注入过程中冻害耐受性研究

以无芒雀麦愈伤组织为研究对象,探讨了甘油处理对愈伤组织在氩离子注入过程中冻害的防护。结果表明:经甘油处理后,当离子注入剂量小于2.6×1015Ar+.cm-2时,愈伤组织存活率在85%以上,失水率在12%,比未经甘油保护的有大幅度提高,甘油预处理的愈伤组织生长比较正常。注入剂量增加到一定程度,愈伤组织不能继续生长。

Ar^+注入小麦M_3代变异的SSR鉴定及再分离研究

用Ar+注入小麦花培5号的干种子。结果表明,M1代的生育期和农艺性状与对照差异不显著。M2代出现株高、穗长变异,变异率为0.2%,10个变异株经SSR鉴定,90对引物中有6对能扩增出特异带,突变点分别发生在2A、2D、3B、5A染色体上。10个变异株的M3代均发生严重的正向或负向分离,有利于筛选到特殊变异类型。